存儲IC架構

A. 存儲晶元的操作方式

對存儲行業而言，存儲晶元主要以兩種方式實現產品化：
1、ASIC技術實現存儲晶元
ASIC(專用集成電路)在存儲和網路行業已經得到了廣泛應用。除了可以大幅度地提高系統處理能力，加快產品研發速度以外，ASIC更適於大批量生產的產品，根椐固定需求完成標准化設計。在存儲行業，ASIC通常用來實現存儲產品技術的某些功能，被用做加速器，或緩解各種優化技術的大量運算對CPU造成的過量負載所導致的系統整體性能的下降。
2、FPGA 技術實現存儲晶元
FPGA（現場可編程門陣列）是專用集成電路（ASIC）中級別最高的一種。與ASIC相比，FPGA能進一步縮短設計周期，降低設計成本，具有更高的設計靈活性。當需要改變已完成的設計時，ASIC的再設計時間通常以月計算，而FPGA的再設計則以小時計算。這使FPGA具有其他技術平台無可比擬的市場響應速度。
新一代FPGA具有卓越的低耗能、快速迅捷（多數工具以微微秒-百億分之一秒計算）的特性。同時，廠商可對FPGA功能模塊和I/O模塊進行重新配置，也可以在線對其編程實現系統在線重構。這使FPGA可以構建一個根據計算任務而實時定製軟核處理器。並且，FPGA功能沒有限定，可以是存儲控制器，也可以是處理器。新一代FPGA支持多種硬體，具有可編程I/O，IP（知識產權）和多處理器芯核兼備。這些綜合優點，使得FPGA被一些存儲廠商應用在開發存儲晶元架構的全功能產品。

B. 存算一體原理

存算一體晶元主流研究方向：
根據存儲器介質的不同，目前存算一體晶元的主流研發集中在傳統易失性存儲器，如SRAM、DRAM，以及非易失性存儲器，如RRAM，PCM，MRAM與快閃記憶體等,其中比較成熟的是以SRAM和MRAM為代表的通用近存計算架構。

通用近存計算架構：
採用同構眾核的架構，每個存儲計算核（MPU）包含計算引擎（Processing Engine, PE）、緩存（Cache）、控制（CTRL）與輸入輸出（Inout/Output, I/O）等，這里緩存可以是SRAM、MRAM或類似的高速隨機存儲器。

（1） SRAM存算一體

由於SRAM是二值存儲器，二值MAC運算等效於XNOR累加運算，可以用於二值神經網路運算。

（2） DRAM存算一體

基於DRAM的存算一體設計主要利用DRAM單元之間的電荷共享機制[33,34]。

（3） RRAM/PCM/Flash多值存算一體

基於RRAM/PCM/Flah的多值存算一體方案的基本原理是利用存儲單元的多值特性，通過器件本徵的物理電氣行為（例如基爾霍夫定律與歐姆定律）來實現多值MAC運算。每個存儲單元可以看作一個可變電導/電阻,用來存儲網路權重，當在每一行施加電流/電壓（激勵）時，每一列即可得到MAC運算的電壓/電流值。

（4） RRAM/PCM/MRAM二值存算一體

基於RRAM/PCM/MRAM的二值存算一體主要有兩種方案。第一種方案是利用輔助外圍電路，跟上述SRAM存算一體類似，第二種方案是直接利用存儲單元實現布爾邏輯計算。

C. 什麼是架構、引腳、晶元

架構：人們對一個結構內的元素及元素間關系的一種主觀映射的產物。也可指構築，建造。
引腳：引線末端的一段，通過軟釺焊使這一段與印製板上的焊盤共同形成焊點。引腳可劃分為腳跟（bottom）、腳趾（toe）、腳側（side）等部分。 引腳，又叫管腳，英文叫Pin。 就是從集成電路（晶元）內部電路引出與外圍電路的接線，所有的引腳就構成了這塊晶元的介面
晶元 定義：端面可與摩擦襯片和摩擦材料層做成一體的金屬片或非金屬片。

D. SLC，MLC和TLC晶元三者的區別

SLC、MLC和TLC
X3（3-bit-per-cell）架構的TLC晶元技術是MLC和TLC技術的延伸，最早期NAND Flash技術架構是SLC（Single-Level Cell），原理是在1個存儲器儲存單元（cell）中存放1位元（bit）的資料，直到MLC（Multi-Level Cell）技術接棒後，架構演進為1個存儲器儲存單元存放2位元。
2009年TLC架構正式問世，代表1個存儲器儲存單元可存放3位元，成本進一步大幅降低。
如同上一波SLC技術轉MLC技術趨勢般，這次也是由NAND Flash大廠東芝（Toshiba）引發戰火，之後三星電子（Samsung Electronics）也趕緊加入戰局，使得整個TLC技術大量被量產且應用在終端產品上。
TLC晶元雖然儲存容量變大，成本低廉許多，但因為效能也大打折扣，因此僅能用在低階的NAND Flash相關產品上，象是低速快閃記憶卡、小型記憶卡microSD或隨身碟等。

E. 主要的四種類型內部存儲器晶元是什麼

按照功能劃分，可以分為四種類型，主要是內存晶元、微處理器、標准晶元和復雜的片上系統（SoCs）。按照集成電路的類型來劃分，則可以分為三類，分別是數字晶元、模擬晶元和混合晶元。

從功能上看，半導體存儲晶元將數據和程序存儲在計算機和數據存儲設備上。隨機存取存儲器（RAM）晶元提供臨時的工作空間，而快閃記憶體晶元則可以永久保存信息，除非主動刪除這些信息。只讀存儲器（ROM）和可編程只讀存儲器（PROM）晶元不能修改。而可擦可編程只讀存儲器（EPROM）和電可擦只讀存儲器（EEPROM）晶元可以是可以修改的。

微處理器包括一個或多個中央處理器（CPU）。計算機伺服器、個人電腦（PC）、平板電腦和智能手機可能都有多個CPU。PC和伺服器中的32位和64位微處理器基於x86、POWER和SPARC晶元架構。而移動設備通常使用ARM晶元架構。功能較弱的8位、16位和24位微處理器則主要用在玩具和汽車等產品中。

標准晶元，也稱為商用集成電路，是用於執行重復處理程序的簡單晶元。這些晶元會被批量生產，通常用於條形碼掃描儀等用途簡單的設備。商用IC市場的特點是利潤率較低，主要由亞洲大型半導體製造商主導。

SoC是最受廠商歡迎的一種新型晶元。在SoC中，整個系統所需的所有電子元件都被構建到一個單晶元中。SoC的功能比微控制器晶元更廣泛，後者通常將CPU與RAM、ROM和輸入/輸出（I/O）設備相結合。在智能手機中，SoC還可以集成圖形、相機、音頻和視頻處理功能。通過添加一個管理晶元和一個無線電晶元還可以實現一個三晶元的解決方案。

晶元的另一種分類方式，是按照使用的集成電路進行劃分，目前大多數計算機處理器都使用數字電路。這些電路通常結合晶體管和邏輯門。有時，會添加微控制器。數字電路通常使用基於二進制方案的數字離散信號。使用兩種不同的電壓，每個電壓代表一個不同的邏輯值。

但是這並不代表模擬晶元已經完全被數字晶元取代。電源晶元使用的通常就是模擬晶元。寬頻信號也仍然需要模擬晶元，它們仍然被用作感測器。在模擬晶元中，電壓和電流在電路中指定的點上不斷變化。模擬晶元通常包括晶體管和無源元件，如電感、電容和電阻。模擬晶元更容易產生雜訊或電壓的微小變化，這可能會產生一些誤差。

混合電路半導體是一種典型的數字晶元，同時具有處理模擬電路和數字電路的技術。微控制器可能包括用於連接模擬晶元的模數轉換器（ADC），例如溫度感測器。而數字-模擬轉換器（DAC）可以使微控制器產生模擬電壓，從而通過模擬設備發出聲音。

F. 晶元架構有多少種

目前市場上主流的晶元架構有X86、ARM、RiSC-V和MIPS四種。

提到晶元架構，就不得不說CPU，因為架構的發明離不開它。CPU也叫中央處理器，是一塊超大規模的集成電路，主要包括運算器和高速緩沖存儲器及實現它們之間聯系的數據、控制及狀態的匯流排。CPU的核心是各種類型的晶元，晶元架構是造芯的第一步。

G. 現在市場上流行固態硬碟，單你知道固態硬碟里晶元的類型么 查詢下SLC MLC TLC QLC的區

固態硬碟共有三種快閃記憶體類型，分別為SLC、MLC以及TLC；

SLC全稱為Single-LevelCell，單層單元快閃記憶體。SLC為NAND快閃記憶體架構，其每一個單元儲存一位數據，但是SLC生產成本較高，晶片可重復寫入十萬次。SLC的特點是成本高、容量小、速度快

MLC全稱為Multi-Level Cell，多層單元快閃記憶體，MLC通過使用大量的電壓等級，每一個單元儲存兩位數據，數據密度比較高。MLC的特點是容量大成本低，但是速度相較於SLC更慢。

TLC全稱為Triple-cell-per-bit，由於採用三層存儲單元，因此可以以較低的成本實現更大的容量。現主流的SSD多數都採用最新的3D NAND快閃記憶體堆疊技術，基於該技術可打造出存儲容量比同類NAND技術高達數倍的存儲設備。該技術可支持在更小的空間內容納更高存儲容量，進而帶來很大的成本節約、能耗降低，以及大幅的性能提升。東芝已研發96層3D BiCS FLASH存儲單元。

為什麼SLC速度快壽命更長呢？SLC架構由於每Cell僅存放1bit數據，故只有高和低2種電平狀態。而MLC架構每Cell需要存放2個bit，即電平至少要被分為4檔，TLC則為8檔，QLC則為16檔。

SLC每Cell只有開和關兩種狀態,非常穩定,就算其中一個Cell損壞,對整體的性能也不會有影響。而MLC有四種狀態，意味著MLC存儲時要更精確地控制每個存儲單元的充電電壓,讀寫時就需要更長的充電時間來保證數據的可靠性，而且一旦出現錯誤，就會導致2倍及以上的數據損壞。

而SLC價格更貴的原因在於SLC的一個Cell只存1bit數據，MLC、TLC、QLC的一個Cell卻能存2bit或者更多的bit數據，但晶元的體積並沒增加，等於壓縮存儲了數據，這樣的結果就是相同的一塊晶元存儲的容量變大，因此，MLC、TLC、QLC的自然價格就便宜了。

目前，SLC在消費電子領域幾乎絕跡，MLC也越來越少，TLC已經成為主流。Intel發布QLC快閃記憶體的660P SSD，則吹響了QLC進攻的號角。

H. U盤晶元的快閃記憶體晶元（也即是U盤晶元）介紹及分類

SLC英文全稱(Single Level Cell——SLC)即單層式儲存 。主要由三星、海力士、美光、東芝等使用。
SLC技術特點是在浮置閘極與源極之中的氧化薄膜更薄，在寫入數據時通過對浮置閘極的電荷加電壓，然後透過源極，即可將所儲存的電荷消除，通過這樣的方式，便可儲存1個信息單元，這種技術能提供快速的程序編程與讀取，不過此技術受限於Silicon efficiency的問題，必須要由較先進的流程強化技術(Process enhancements)，才能向上提升SLC製程技術。 MLC英文全稱（Multi Level Cell——MLC)即多層式儲存。主要由東芝、Renesas、三星使用。
英特爾（Intel）在1997年9月最先開發成功MLC，其作用是將兩個單位的信息存入一個Floating
Gate（快閃記憶體存儲單元中存放電荷的部分），然後利用不同電位（Level）的電荷，通過內存儲存的電壓控制精準讀寫。MLC通過使用大量的電壓等級，每個單元儲存兩位數據，數據密度比較大。SLC架構是0和1兩個值，而MLC架構可以一次儲存4個以上的值，因此，MLC架構可以有比較好的儲存密度。 簽於目前市場主要以SLC和MLC儲存為主，我們多了解下SLC和MLC儲存，並且可以利用老舊的生產程備來提高產品的容量，無須額外投資生產設備，擁有成本與良率的優勢。
與SLC相比較，MLC生產成本較低，容量大。如果經過改進，MLC的讀寫性能應該還可以進一步提升。 MLC架構有許多缺點，首先是使用壽命較短，SLC架構可以寫入10萬次，而MLC架構只能承受約1萬次的寫入。
其次就是存取速度慢，在目前技術條件下，MLC晶元理論速度只能達到6MB左右。SLC架構比MLC架構要快速三倍以上。
再者，MLC能耗比SLC高，在相同使用條件下比SLC要多15%左右的電流消耗。
雖然與SLC相比，MLC缺點很多，但在單顆晶元容量方面，目前MLC還是佔了絕對的優勢。由於MLC架構和成本都具有絕對優勢，能滿足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市場需求。
U盤中使用的SLC、MLC、TLC快閃記憶體晶元的區別
SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價格超貴（約MLC 3倍以上的價格），約10萬次擦寫壽命
MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000次擦寫壽命
TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash廠家叫8LC，速度慢壽命短，價格便宜，約500次擦寫壽命，目前還沒有廠家能做到1000次。
目前，安德旺科技生產的指紋U盤產品中採用的快閃記憶體晶元都是三星MLC中的原裝A級晶元。讀寫速度：採用H2testw v1.4測試，三星MLC寫入速度: 4.28-5.59 MByte/s，讀取速度: 12.2-12.9 MByte/s。三星SLC寫入速度: 8.5MByte/s，讀取速度: 14.3MByte/s。
需要說明的快閃記憶體的壽命指的是寫入(擦寫)的次數，不是讀出的次數，因為讀取對晶元的壽命影響不大。
面是SLC、MLC、TLC三代快閃記憶體的壽命差異
SLC 利用正、負兩種電荷 一個浮動柵存儲1個bit的信息，約10萬次擦寫壽命。
MLC 利用不同電位的電荷，一個浮動柵存儲2個bit的信息，約一萬次擦寫壽命，SLC-MLC【容量大了一倍，壽命縮短為1/10】。
TLC 利用不同電位的電荷，一個浮動柵存儲3個bit的信息，約500-1000次擦寫壽命，MLC-TLC【容量大了1/2倍，壽命縮短為1/20】。

I. 快閃記憶體晶元的簡介

我們常說的快閃記憶體其實只是一個籠統的稱呼，准確地說它是非易失隨機訪問存儲器（NVRAM）的俗稱，特點是斷電後數據不消失，因此可以作為外部存儲器使用。
而所謂的內存是揮發性存儲器，分為DRAM和SRAM兩大類，其中常說的內存主要指DRAM，也就是我們熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。 快閃記憶體也有不同類型，其中主要分為NOR型和NAND型兩大類。
NOR型與NAND型快閃記憶體的區別很大，打個比方說，NOR型快閃記憶體更像內存，有獨立的地址線和數據線，但價格比較貴，容量比較小；而NAND型更像硬碟，地址線和數據線是共用的I/O線，類似硬碟的所有信息都通過一條硬碟線傳送一般，而且NAND型與NOR型快閃記憶體相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型快閃記憶體比較適合頻繁隨機讀寫的場合，通常用於存儲程序代碼並直接在快閃記憶體內運行，手機就是使用NOR型快閃記憶體的大戶，所以手機的「內存」容量通常不大；NAND型快閃記憶體主要用來存儲資料，我們常用的快閃記憶體產品，如快閃記憶體檔、數碼存儲卡都是用NAND型快閃記憶體。 這里我們還需要端正一個概念，那就是快閃記憶體的速度其實很有限，它本身操作速度、頻率就比內存低得多，而且NAND型快閃記憶體類似硬碟的操作方式效率也比內存的直接訪問方式慢得多。因此，不要以為快閃記憶體檔的性能瓶頸是在介面，甚至想當然地認為快閃記憶體檔採用USB2.0介面之後會獲得巨大的性能提升。
前面提到NAND型快閃記憶體的操作方式效率低，這和它的架構設計和介面設計有關，它操作起來確實挺像硬碟（其實NAND型快閃記憶體在設計之初確實考慮了與硬碟的兼容性），它的性能特點也很像硬碟：小數據塊操作速度很慢，而大數據塊速度就很快，這種差異遠比其他存儲介質大的多。這種性能特點非常值得我們留意。 NAND型快閃記憶體以塊為單位進行擦除操作。快閃記憶體的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數據，必須先擦除後寫入，因此擦除操作是快閃記憶體的基本操作。一般每個塊包含32個512位元組的頁，容量16KB；而大容量快閃記憶體採用2KB頁時，則每個塊包含64個頁，容量128KB。
每顆NAND型快閃記憶體的I/O介面一般是8條，每條數據線每次傳輸（512+16）bit信息，8條就是（512+16）×8bit，也就是前面說的512位元組。但較大容量的NAND型快閃記憶體也越來越多地採用16條I/O線的設計，如三星編號K9K1G16U0A的晶元就是64M×16bit的NAND型快閃記憶體，容量1Gb，基本數據單位是（256+8）×16bit，還是512位元組。 每一頁的容量決定了一次可以傳輸的數據量，因此大容量的頁有更好的性能。前面提到大容量快閃記憶體（4Gb）提高了頁的容量，從512位元組提高到2KB。頁容量的提高不但易於提高容量，更可以提高傳輸性能。我們可以舉例子說明。以三星K9K1G08U0M和K9K4G08U0M為例，前者為1Gb，512位元組頁容量，隨機讀（穩定）時間12μs，寫時間為200μs；後者為4Gb，2KB頁容量，隨機讀（穩定）時間25μs，寫時間為300μs。假設它們工作在20MHz。
讀取性能：NAND型快閃記憶體的讀取步驟分為：發送命令和定址信息→將數據傳向頁面寄存器（隨機讀穩定時間）→數據傳出（每周期8bit，需要傳送512+16或2K+64次）。
K9K1G08U0M讀一個頁需要：5個命令、定址周期×50ns+12μs+（512+16）×50ns=38.7μs；K9K1G08U0M實際讀傳輸率：512位元組÷38.7μs=13.2MB/s；K9K4G08U0M讀一個頁需要：6個命令、定址周期×50ns+25μs+（2K+64）×50ns=131.1μs；K9K4G08U0M實際讀傳輸率：2KB位元組÷131.1μs=15.6MB/s。因此，採用2KB頁容量比512位元組也容量約提高讀性能20%。
寫入性能：NAND型快閃記憶體的寫步驟分為：發送定址信息→將數據傳向頁面寄存器→發送命令信息→數據從寄存器寫入頁面。其中命令周期也是一個，我們下面將其和定址周期合並，但這兩個部分並非連續的。
K9K1G08U0M寫一個頁需要：5個命令、定址周期×50ns+（512+16）×50ns+200μs=226.7μs。K9K1G08U0M實際寫傳輸率：512位元組÷226.7μs=2.2MB/s。K9K4G08U0M寫一個頁需要：6個命令、定址周期×50ns+（2K+64）×50ns+300μs=405.9μs。K9K4G08U0M實際寫傳輸率：2112位元組/405.9μs=5MB/s。因此，採用2KB頁容量比512位元組頁容量提高寫性能兩倍以上。 以往NAND型快閃記憶體的數據線一般為8條，不過從256Mb產品開始，就有16條數據線的產品出現了。但由於控制器等方面的原因，x16晶元實際應用的相對比較少，但將來數量上還是會呈上升趨勢的。雖然x16的晶元在傳送數據和地址信息時仍採用8位一組，佔用的周期也不變，但傳送數據時就以16位為一組，帶寬增加一倍。K9K4G16U0M就是典型的64M×16晶元，它每頁仍為2KB，但結構為（1K+32）×16bit。
模仿上面的計算，我們得到如下。K9K4G16U0M讀一個頁需要：6個命令、定址周期×50ns+25μs+（1K+32）×50ns=78.1μs。K9K4G16U0M實際讀傳輸率：2KB位元組÷78.1μs=26.2MB/s。K9K4G16U0M寫一個頁需要：6個命令、定址周期×50ns+（1K+32）×50ns+300μs=353.1μs。K9K4G16U0M實際寫傳輸率：2KB位元組÷353.1μs=5.8MB/s
可以看到，相同容量的晶元，將數據線增加到16條後，讀性能提高近70%，寫性能也提高16%。 工作頻率的影響很容易理解。NAND型快閃記憶體的工作頻率在20～33MHz，頻率越高性能越好。前面以K9K4G08U0M為例時，我們假設頻率為20MHz，如果我們將頻率提高一倍，達到40MHz，則
K9K4G08U0M讀一個頁需要：6個命令、定址周期×25ns+25μs+（2K+64）×25ns=78μs。K9K4G08U0M實際讀傳輸率：2KB位元組÷78μs=26.3MB/s。可以看到，如果K9K4G08U0M的工作頻率從20MHz提高到40MHz，讀性能可以提高近70%！當然，上面的例子只是為了方便計算而已。在三星實際的產品線中，可工作在較高頻率下的應是K9XXG08UXM，而不是K9XXG08U0M，前者的頻率可達33MHz。 製造工藝可以影響晶體管的密度，也對一些操作的時間有影響。譬如前面提到的寫穩定和讀穩定時間，它們在我們的計算當中佔去了時間的重要部分，尤其是寫入時。如果能夠降低這些時間，就可以進一步提高性能。90nm的製造工藝能夠改進性能嗎？答案恐怕是否！實際情況是，隨著存儲密度的提高，需要的讀、寫穩定時間是呈現上升趨勢的。前面的計算所舉的例子中就體現了這種趨勢，否則4Gb晶元的性能提升更加明顯。
綜合來看，大容量的NAND型快閃記憶體晶元雖然定址、操作時間會略長，但隨著頁容量的提高，有效傳輸率還是會大一些，大容量的晶元符合市場對容量、成本和性能的需求趨勢。而增加數據線和提高頻率，則是提高性能的最有效途徑，但由於命令、地址信息佔用操作周期，以及一些固定操作時間（如信號穩定時間等）等工藝、物理因素的影響，它們不會帶來同比的性能提升。
1Page=（2K+64）Bytes；1Block=（2K+64）B×64Pages=（128K+4K)Bytes；1Device=（2K+64）B×64Pages×4096Blocks=4224Mbits
其中：A0～11對頁內進行定址，可以被理解為「列地址」。
A12～29對頁進行定址，可以被理解為「行地址」。為了方便，「列地址」和「行地址」分為兩組傳輸，而不是將它們直接組合起來一個大組。因此每組在最後一個周期會有若干數據線無信息傳輸。沒有利用的數據線保持低電平。NAND型快閃記憶體所謂的「行地址」和「列地址」不是我們在DRAM、SRAM中所熟悉的定義，只是一種相對方便的表達方式而已。為了便於理解，我們可以將上面三維的NAND型快閃記憶體晶元架構圖在垂直方向做一個剖面，在這個剖面中套用二維的「行」、「列」概念就比較直觀了。

J. 存儲器晶元屬於哪種集成電路

存儲器晶元屬於通用集成電路。
存儲晶元是嵌入式系統晶元的概念在存儲行業的具體應用。因此，無論是系統晶元還是存儲晶元，都是通過在單一晶元中嵌入軟體，實現多功能和高性能，以及對多種協議、多種硬體和不同應用的支持。
對存儲行業而言，存儲晶元主要以兩種方式實現產品化：
1、ASIC技術實現存儲晶元
ASIC(專用集成電路)在存儲和網路行業已經得到了廣泛應用。除了可以大幅度地提高系統處理能力，加快產品研發速度以外，ASIC更適於大批量生產的產品，根椐固定需求完成標准化設計。在存儲行業，ASIC通常用來實現存儲產品技術的某些功能，被用做加速器，或緩解各種優化技術的大量運算對CPU造成的過量負載所導致的系統整體性能的下降。
2、FPGA 技術實現存儲晶元
FPGA（現場可編程門陣列）是專用集成電路（ASIC）中級別最高的一種。與ASIC相比，FPGA能進一步縮短設計周期，降低設計成本，具有更高的設計靈活性。當需要改變已完成的設計時，ASIC的再設計時間通常以月計算，而FPGA的再設計則以小時計算。這使FPGA具有其他技術平台無可比擬的市場響應速度。
新一代FPGA具有卓越的低耗能、快速迅捷（多數工具以微微秒-百億分之一秒計算）的特性。同時，廠商可對FPGA功能模塊和I/O模塊進行重新配置，也可以在線對其編程實現系統在線重構。這使FPGA可以構建一個根據計算任務而實時定製軟核處理器。並且，FPGA功能沒有限定，可以是存儲控制器，也可以是處理器。新一代FPGA支持多種硬體，具有可編程I/O，IP（知識產權）和多處理器芯核兼備。這些綜合優點，使得FPGA被一些存儲廠商應用在開發存儲晶元架構的全功能產品。