動態存儲器為什麼刷新

『壹』 動態MOS存儲器為什麼要刷新常用的刷新方式有哪幾種

動態MOS存儲單元存儲信息的原理，是利用MOS管柵極電容具有暫時存儲信息的作用。但由於漏電流的存在，柵極電容上存儲的電荷不可能長久保持不變，因此為了及時補充漏掉的電荷，避免存儲信息丟失，需要定時地給柵極電容補充電荷，通常把這種操作稱作刷新或再生。 常用的刷新方式有三種，一種是集中式，另一種是分散式，第三種是非同步式。 集中式刷新：在整個刷新間隔內，前一段時間重復進行讀/寫周期或維持周期，等到需要進行刷新操作時，便暫停讀/寫或維持周期，而逐行刷新整個存儲器，它適用於高速存儲器。 分散式刷新：把一個存儲系統周期t c 分為兩半，周期前半段時間t m 用來讀/寫操作或維持信息，周期後半段時間t r 作為刷新操作時間。這樣，每經過128個系統周期時間，整個存儲器便全部刷新一遍。 非同步式刷新：前兩種方式的結合。同學們可以自己畫畫它的刷新周期圖。

『貳』 動態存儲器刷新以什麼為單位

行。動態存儲器是在指定功能或應用軟體之間共享的存儲器，如果一個或兩個應用軟體佔用了所有存儲器空間，此時將無法為其他應用軟體分配存儲器空間。動態存儲器刷新以行為單位，動態存儲器刷新刷新周期：從上次對整個存儲器刷新結束到下次對整個存儲器全部刷新一遍為止的時間間隔，為電容數據有效保存期的上限(64ms)。

『叄』 半導體 動態存儲器為什麼要進行刷新

動態半導體存儲器利用電容存儲電荷記錄。電容會放電,因此必須在電荷流失前對電容充電–刷新

『肆』 磁碟上的信息必須定時刷新

DRAM存儲器必須定時刷新，才能維持其中的信息不變存儲元。
要定期刷新機械硬碟上的數據，只需將其剪切到另一個地方，並將其重新寫回硬碟。
由於這種需要定時刷新的特性，因此被稱為「動態」存儲器。相對來說，靜態存儲器（SRAM）只要存入數據後，縱使不刷新也不會丟失記憶。

『伍』 動態RAM為什麼要刷新這里的刷新是什麼概念

RAM中，半導體晶體管中的電荷每1.2微秒會消失，數據也會消失。所以為了保存數據，每1微秒會重新通一次電即刷新一次。
在動態RAM晶元內部，每個內存單元保存一位信息。單元由下面兩部分組成：一個晶體管和一個電容器。當然這些部件都非常地小，因此一個內存晶元內可以包含數百萬個。電容器保存信息位--0或1（有關位的信息，請參見位和位元組）。晶體管起到了開關的作用，能讓內存晶元上的控制線路讀取電容上的數據，或改變其狀態。 
電容器就像一個儲存電子的小桶。在存儲單元中寫入1，小桶內就充滿電子；寫入0，小桶就被清空。這只"桶"的問題在於：它會泄漏。只需大約幾毫秒的時間，一個充滿電子的小桶就會漏得一干二凈。因此，為了確保動態存儲器能正常工作，必須由CPU或是由內存控制器對所有電容不斷地進行充電，使它們在電子流失殆盡之前保持"1"值。為此，內存控制器會先行讀取存儲器中的數據，再把數據寫回去。這種刷新操作每秒鍾會自動進行數千次。 

『陸』 動態隨機存儲器為什麼要進行刷新

dram的存儲單元是用的電容的充放電來表示01的，如果電容有點表示為1，沒有電表示為0.但是因由於電容會通過電阻放電，隨著時間推移會造成1變成0，因此刷新的工作是將數據讀出來再寫進去，相當於重復給電容重復充電，保證數據不丟失。

『柒』 什麼是動態存儲器的定時刷新

動態刷新是指定期存放「1」的電容重新充電以補充泄路通路放掉的電荷。
也有表達刷新是指周期性的對電容執行讀出再寫入的操作。

『捌』 動態 RAM的刷新

為什麼需要刷新，動態RAM以電容存儲電荷的方式存儲信息，電容經過一段時間裡面的電荷會因放電而丟失。
每次刷新RAM時以行為單位，所以只和行地址有關
三種方式
這里假設每2ms 需要對動態RAM刷新
1.集中刷新

每個存取周期為0.5us前3872個周期都是在讀寫數據，後面128個周期全部分配用來刷新地址。因此會造成128個周期的死區（不能存取數據）

2.分散刷新

分散刷新每個存取周期為1us，因為每個存取周期被分為讀寫和刷新兩部分，在一個存取周期內，一半用來存取數據，一半用來刷新存儲器。缺點在於刷新次數過多。連續佔用時間短，總計時間長

3.非同步刷新

非同步刷新則是在2 ms內每一行只刷新一次，將2ms分為128份，每份時間內刷新一行