晶元的存儲溫度

Ⅰ 晶元的工作溫度范圍和工作的環境溫度的區別

晶元工作溫度等級，是operating temperature range，是自然環境溫度，即整機或者模塊長年累月面對的氣候溫度。這個主要是規定晶元的應用范圍，是指晶元對自然環境的適應性，和工作環境溫度有差異。

Toperating：工作溫度范圍，比如商業級數字晶元工作溫度范圍為0~+70℃，工業級是-45~+85或者105℃。

Tambient：工作的環境溫度，一般是將溫度感測器放置在晶元殼體上1CM左右測得的溫度值；

Tcase ：殼溫；

Tjunction：結溫；

Tstorage：存儲溫度。

(1)晶元的存儲溫度擴展閱讀

晶元四個地方的溫度：內核、封裝表面、空氣周邊、PCB板：

(1) TJ（Die Junction Temp）：晶元的硅核溫度，就是晶元內部核心的 溫度，從英文縮寫就可以看出，這是個死亡溫度，設計者是絕對不能跨越的。

(2) Ta （Ambient Air Temp）：晶元周圍的空氣溫度。不大散熱片的小功率器件一般以這個為計算參數。

(3) Tc（Package Case Temp）：晶元封裝表面溫度。帶散熱片的大功率器件一般以這個為技術參數。

(4) Tb（Ambient board Temp）：安裝晶元的PCB表面溫度。

Ⅱ 最近很火的藍膜熱敏電阻晶元一般都有哪些貯存條件

一般晶元貼到藍膜上後，在藍膜上面會貼一張離形紙，再放入靜電袋中，相當於讓晶元與空氣隔離了，在室溫下能保存幾個月不會有問題，像晶元廠一般的做法會使用氮氣櫃，保持恆溫恆濕，這樣讓晶元保存的時候更長。

Ⅲ 晶元的極限溫度是多少

晶元的極限溫度是多少

晶元的極限溫度與額定電壓和電流一樣是絕對的嗎?盡管集成電路製造商不能保證晶元在其額定溫度范圍之外也正常工作，但當超出其溫度范圍限制時，晶元不會突然停止工作。但是如果工程師需要在其他溫度下使用晶元，那麼他們必須確定這些晶元的工作情況，以及晶元行為的一致性。

一些有用的常用規則

當溫度約為185~200°C(具體值取決於工藝)，增加的漏電和降低的增益將使得硅晶元的工作不可預測，並且摻雜劑的加速擴散會把晶元壽命縮短至數百小時，或者最好的`情況下，也可能僅有數千小時。不過在某些應用中，可以接受高溫對晶元造成的較低性能和較短壽命影響，如鑽頭儀器儀表應用，晶元常常工作在高溫環境下。但如果溫度變得更高，那麼晶元的工作壽命就可能變得太短，以至於無法使用。

在非常低的溫度下，降低載流子遷移率最終導致晶元停止工作，但是某些電路卻能夠在低於50K的溫度下正常工作，盡管該溫度已經超出了標稱范圍。

基本的物理性質並不是唯一的限制因素

設計上的權衡考慮可能會使晶元在某一溫度范圍內的性能得到改善，但是在該溫度范圍外晶元卻會發生故障。例如，如果AD590溫度感測器在上電後並逐漸冷卻的情況下，它可工作於液氮中，但是在77K時卻不能直接啟動。

性能優化導致了更加微妙的影響

商用級晶元在0~70°C的溫度范圍內具有非常好的精度，但是在該溫度范圍外，精度卻會變得很差。而相同晶元的軍用級產品由於採用了不同的微調演算法，或者甚至使用略有差別的電路設計，使它能夠在-55~+155°C的寬溫度范圍內保持略低於商用級晶元的精度。商用級標准和軍用級標准之間的差別並不僅僅是由不同的測試方案導致的。

還存在另外兩個問題

第一個問題：封裝材料的特性，封裝材料可能會在硅失效之前就失效。

第二個問題：熱沖擊的影響。AD590在緩慢冷卻的情況下，在77K的溫度下也能夠工作的這種特性，並不意味著其在較高的瞬態熱力學應用下突然被放置到液氮中，還能同樣正常工作。

在晶元的標稱溫度范圍外使用的唯一方法就是測試，測試，再測試，這樣才確保您能夠理解非標准溫度對幾個不同批次的晶元行為的影響。檢查您所有的假設。晶元製造商有可能會向您提供相關幫助，但是也可能不會給出有關標稱溫度范圍外的晶元工作的任何信息。

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Ⅳ AT25F512晶元的基本參數

串列外圍晶元SPI兼容
支持SPI模式0（0，0）和模式3（1，1）
20MHZ時鍾頻率
位元組模式和256位元組頁寫模式編程
扇區特性：
2扇區，每扇區32K位元組（512K）
4扇區，每扇區32K位元組（1M）
每扇區128頁
產品認證模式
低壓工作
（VCC=2.7V 到3.6V）
扇區防寫
防寫（ /W/P ）針是寫禁止指令，保護硬體和軟體
自計時編程周期（典型值 60us/Byte）
自計時扇擦除周期（典型值1秒）
狀態寄存器單周期編程（擦除和編程）
高可靠性：可寫10000次
描述：
AT25F512/1024按65,536/131,072個字組織提供524288/1048576位元組的串列可編程FLASH模塊，進行優化操作後在低功耗或低電壓的工業或商業場合具有明顯優勢。AT25F512/1024採用節省空間的8引腳SOIC封裝形式。
AT25F512/1024由 引腳使能，由3線串列介面串列輸入(SI )、串列輸出(SO)、串列時鍾(SCK)通訊。所有的寫入周期都是自計時的。塊防寫通過編程狀態寄存器實現，包括1/4、1/2/、1M/或全存儲組(512K)，提供獨立的寫使能和寫禁止進行附加數據保護。由 引腳增加對硬體數據的保護，防止不恰當的寫入狀態寄存器。/H/O/L/D引腳用來暫停串列通訊而不重新設置串列序列。
片選 SI 串列輸入 SO串列輸出 GND 地 VCC電源 串列輸入懸掛 防寫
工作溫度： -40°C--+85°C
存儲溫度：-65°C--+150°C
引腳對地電壓： -1.0V---7.0V
最大工作電壓：6.25V
直流輸出電流：5.0MA
注意：超過工作范圍將導致器件永久損壞。這只是其中之一，任何超過規定所述工作條件的操作都將引起器件的損壞。暴露於工作極限時間過長會減小可靠性。
串列介面描述：主機：產生串列時鍾
從方式：因為串列時鍾總是讀入，所以AT25F512/1024工作於從方式。
MSB：首先發送和接收
串列OP碼：片選端 變低後，首先接收一個位元組數據，定義接下來的操作。
無效串列OP碼：當收到一個無效的串列OP碼，數據不會移入AT25F512/1024，SO輸出保持高阻態，直到 再次降低，這將重新初始化串列通訊。
晶元選擇：AT25F512/1024在 低電平時被選擇，當晶元沒有被選擇時，SI引腳不會讀入數據，SO保持高阻態。
/H/O/L/D：/H/O/L/D和/C/S一起選擇AT25F512/1024。當串列傳輸正在進行時，/H/O/L/D可以暫停數據傳輸而主機不用重新設置串列通訊。要暫停串列傳輸，/H/O/L/D必須在CLK低電平時變低，要恢復傳輸，/H/O/L/D必須在CLK為低是變高
（/H/O/L/D變低時CLK依然觸發）SO為高阻態時輸入引腳SI被忽略。
防寫：AT25F512/1024有一個寫鎖定特性，通過防寫引腳WP被激活。被鎖定的部分為只讀特性。防寫引腳在高電平是是正常的讀寫特性，/W/P變低電平且WPEN置一時，所有對狀態寄存器的寫操作被禁止。/W/P在/C/S為低電平時變低，將中斷一個寫入狀態寄存器的操作。WPEN為0時，/W/P被禁止，所以把AT25F512/1024裝進系統時可以把/W/P引腳和地相連。/W/P的所有功能在WPEN為高時被使能。
功能描述：AT25F512/1024可以和6800個微處理器進行SPI同步串列通訊。
AT25F512/1024是8位寄存器結構。表1給出了指令寄存器的功能和代碼。所有指令（地址、數據）都是高位在前，由高到低傳輸方式。以下是編程（擦除）的格式
下述命令：編程PROGRAM、塊擦除SECTOR ERASE、晶元擦除CHIP ERASE、寫寄存器WRSR

Ⅳ 晶元存儲濕度多少適合

一、每盒標簽要註明生產日期，進庫時間，出貨以先進先出為原則。

二、IC真空密封包裝：IC生產完畢，不能馬上上生產線，這時就要進倉庫儲放。儲放時要格外注意光線和潮濕對IC的影響，IC的包裝此時很重要。IC要用防靜電的包裝袋包裝，密封時要抽真空，環境溫度要小於40度，濕度小於90%R.H。

三、IC包裝拆開後，進入生產環節時，SMT或幫定車間溫度要控制在22度以下，濕度小於60%R.H。

四、IC生產用量規則：〈1〉拆封後，IC要在48小時內用完。〈2〉每班領取IC數量不得超過當班生產用量數。〈3〉拆封的IC要放在乾燥的環境中。

五、生產後沒有用完的IC，要重新包裝儲放，幫定IC要抽真空，去濕。單片機進行烘烤去濕，包裝時放入適量的乾燥劑，放進乾燥的櫃子內保存。

Ⅵ 一般晶元的存儲溫度是多少，SYN6288這款的具體是多少，可以工作的最高、最低溫度分別是多少

存儲-40到100攝氏度；工作溫度-30到80攝氏度

Ⅶ 軍品，工業，民用晶元的溫度分別是多少

商業級（0~70攝氏度）、工業級（-40~85攝氏度）、汽車級（-40~120攝氏度）軍工級（-55~150攝氏度）一般區分都是按晶元型號的後綴字母來區分不過根據不同的廠家後綴字母也不一樣。

Ⅷ 裸晶元的存儲溫度是什麼

裸晶元的存儲溫度是儲存不受損的最佳溫度。
電子產品晶元使用的都是半導體材料，半導體材料在50°時會出現轉移曲線明顯。
晶元的硅核溫度，就是晶元內部核心的 溫度，從英文縮寫就可以看出，這是個死亡溫度，設計者是絕對不能跨越的。

Ⅸ 一般電子元件/貼片PCB儲存溫度/濕度要求

工廠環境溫度一般是18～28攝氏度，濕度的話要分儲存和生產環境，儲存環境在濕度5%或以下，生產環境濕度40%～60%可以。元件和PCB一般都是真空包裝的，但真要儲存的話要求放在防潮箱濕度5%以下按照IPC的標准就相當於真空狀態，可以無限期存儲。

(9)晶元的存儲溫度擴展閱讀：

電子元件保護裝置

在過高的電壓或電流之中保護電路的被動元件

雖然這些元件，在技術上屬於電線、電阻或真空管類，但根據它們的用途列於下方。

有源元件，在半導體類中屬於執行保護功能，如下。

保險絲（Fuse）- 過電流保護，只能使用一次。

自恢復保險絲（PolySwitch, self-resetting fuse）- 過電流保護，可重設後重復使用

金屬氧化物壓敏電阻、突波吸收器（MOV）- 過電壓保護，這些是被動元件，不像是TVS

突波電流限制器（Inrush current limiter） - 避免突波電流（Inrush current）造成損壞

氣體放電管（Gas Discharge Tube）

斷路器（Circuit Breaker）- 過電流致動的開關

積熱電驛（Thermal Realy）- 過電流致動的開關

接地漏電保護插座（GFCI）或RCD

參考資料來源：

網路-電子元件

網路-溫度

Ⅹ 晶元的工作溫度等級是指外殼溫度還是環境溫度

工作溫度等級，是operating temperature range，是自然環境溫度，即整機或者模塊長年累月面對的氣候溫度。這個主要是規定晶元的應用范圍，是指晶元對自然環境的適應性，和工作環境溫度有差異。
晶元的幾個溫度——
Toperating：工作溫度范圍，比如商業級數字晶元工作溫度范圍為0~+70℃，工業級是-45~+85或者105℃。
Tambient：工作的環境溫度，一般是將溫度感測器放置在晶元殼體上1CM左右測得的溫度值；
Tcase ：殼溫；
Tjunction：結溫；
Tstorage：存儲溫度。