nand存儲

1. 長江存儲展出64層3D NAND：可輕松實現單盤1TB容量

在2019中國國際智能產業博覽會上，紫光集團展出旗下晶元及雲計算等領域的最新進展，首次公開旗下長江存儲研發的64層堆棧3D快閃記憶體，採用了Xstacking堆棧結構，核心容量也提升到256Gb。

長江存儲在2018年就小規模量產32層堆棧的3D快閃記憶體，但核心容量只有64Gb，年底真正量產的是64層堆棧的3D快閃記憶體，其核心容量將提升到256Gb，是32層快閃記憶體的4倍，雖然與512Gb到1Tb產品存在差距，但是256Gb核心的快閃記憶體在64層快閃記憶體已達主流水平，可輕松製造512GB到1TB容量的固態硬碟。

長江存儲預計在年底量產64層堆棧的3D快閃記憶體，明年逐步提升產能，2020年底可望將產能提升導月6萬片晶圓/月的規模。2020年會跳過96層堆棧直接殺向128層堆棧，進一步縮短與三星東芝等公司的差距。

根據長江存儲的介紹，3D快閃記憶體採用Xstacking堆棧結構，2018年推出的Xstacking 1.0，可在一片晶圓上獨立加工負責數據I/O及記憶單元操作的外圍電路。這種加工方式有利於選擇合適的先進邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O介面速度及更多的操作功能。存儲單元同樣在另一片晶圓上被獨立加工。當兩片晶圓各自完工後，創新的Xtacking技術只需一個處理步驟就可通過數百萬根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。

長江存儲是紫光集團收購武漢新芯 科技 之後成立的，公司於2016年7月在中國武漢成立，是一家專注於3D NAND快閃記憶體晶元設計、生產和銷售的IDM存儲器公司。長江存儲為全球工商業客戶提供存儲器產品，廣泛應用於移動設備、計算機、數據中心和消費電子產品等領域。

2. 手機裡面的NAND是啥意思

這里說的16G絕對不是我們PC機經常說的內存，128MB的RAM才是內存。而16GB的空間相當於電腦的硬碟，用於給用戶存儲數據用的。NAND是一種快閃記憶體，也是用於存儲東西的。但是它存儲的東西是操作系統、啟動程序和文件系統。

我們一般不會直接去操作NAND，我們存儲東西就是用那個16G的空間。希望我的回答能夠解決你的疑惑。

謝謝

3. 什麼叫NAND快閃記憶體什麼叫NOR快閃記憶體 這兩者有什麼區別

NAND快閃記憶體是一種非易失性存儲技術，即斷電後仍能保存數據。它的發展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。NOR Flash是一種非易失快閃記憶體技術，是Intel在1988年創建。

區別

1、快閃記憶體晶元讀寫的基本單位不同

應用程序對NOR晶元操作以「字」為基本單位。為了方便對大容量NOR快閃記憶體的管理，通常將NOR快閃記憶體分成大小為128KB或者64KB的邏輯塊，有時候塊內還分成扇區。讀寫時需要同時指定邏輯塊號和塊內偏移。

應用程序對NAND晶元操作是以「塊」為基本單位。NAND快閃記憶體的塊比較小，一般是8KB，然後每塊又分成頁，頁的大小一般是512位元組。要修改NAND晶元中一個位元組，必須重寫整個數據塊。

2、應用不同

NOR快閃記憶體是隨機存儲介質，用於數據量較小的場合；NAND快閃記憶體是連續存儲介質，適合存放大的數據。

3、速度不同

N AN D快閃記憶體晶元因為共用地址和數據匯流排的原因，不允許對一個位元組甚至一個塊進行的數據清空，只能對一個固定大小的區域進行清零操作；而NOR晶元可以對字進行操作。所以在處理小數據量的I/O操作的時候的速度要快與NAND的速度。

4. nand存儲器器件尺寸縮小後帶來哪些後果

nand存儲器器件尺寸縮小後帶來的後果是誤碼率不斷增加，從而導致系統故障率降低。隨著器件尺寸的縮小，nand器件塊區的字線間距的尺寸也在減小，這會使浮柵型存儲器出現嚴重的單元間耦合干擾問題，從而影響單元閾值電壓的大小、存儲器陣列的編程和讀取速度。

5. 請問nand flash和nor flash有什麼不同

分類: 電腦/網路 >> 硬體
問題描述:

包括原理，用法，

解析:

NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失快閃記憶體技術。Intel於1988年首先開發出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，並且象磁碟一樣可以通過介面輕松升級。但是經過了十多年之後，仍然有相當多的硬體工程師分不清NOR和NAND快閃記憶體。

相「flash存儲器」經常可以與相「NOR存儲器」互換使用。許多業內人士也搞不清楚NAND快閃記憶體技術相對於NOR技術的優越之處，因為大多數情況下快閃記憶體只是用來存儲少量的代碼，這時NOR快閃記憶體更適合一些。而NAND則是高數據存儲密度的理想解決方案。

NOR的特點是晶元內執行(XIP, eXecute In Place)，這樣應用程序可以直接在flash快閃記憶體內運行，不必再把代碼讀到系統RAM中。NOR的傳輸效率很高，在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。

NAND結構能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度，並且寫入和擦除的速度也很快。應用NAND的困難在於flash的管理和需要特殊的系統介面。

性能比較

flash快閃記憶體是非易失存儲器，可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先執行擦除。NAND器件執行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為0。

由於擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進行的，執行一個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進行的，執行相同的操作最多隻需要4ms。

執行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距，統計表明，對於給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時)，更多的擦除操作必須在基於NOR的單元中進行。這樣，當選擇存儲解決方案時，設計師必須權衡以下的各項因素。

● NOR的讀速度比NAND稍快一些。

● NAND的寫入速度比NOR快很多。

● NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。

● 大多數寫入操作需要先進行擦除操作。

● NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。

介面差別

NOR flash帶有SRAM介面，有足夠的地址引腳來定址，可以很容易地存取其內部的每一個位元組。

NAND器件使用復雜的I/O口來串列地存取數據，各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和數據信息。

NAND讀和寫操作採用512位元組的塊，這一點有點像硬碟管理此類操作，很自然地，基於NAND的存儲器就可以取代硬碟或其他塊設備。

容量和成本

NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由於生產過程更為簡單，NAND結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量，也就相應地降低了價格。

NOR flash占據了容量為1～16MB快閃記憶體市場的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的產品當中，這也說明NOR主要應用在代碼存儲介質中，NAND適合於數據存儲，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存儲卡市場上所佔份額最大。

可*性和耐用性

採用flahs介質時一個需要重點考慮的問題是可*性。對於需要擴展MTBF的系統來說，Flash是非常合適的存儲方案。可以從壽命(耐用性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較NOR和NAND的可*性。

壽命(耐用性)

在NAND快閃記憶體中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次，而NOR的擦寫次數是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優勢，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個NAND存儲器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。

位交換

所有flash器件都受位交換現象的困擾。在某些情況下(很少見，NAND發生的次數要比NOR多)，一個比特位會發生反轉或被報告反轉了。

一位的變化可能不很明顯，但是如果發生在一個關鍵文件上，這個小小的故障可能導致系統停機。如果只是報告有問題，多讀幾次就可能解決了。

當然，如果這個位真的改變了，就必須採用錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)演算法。位反轉的問題更多見於NAND快閃記憶體，NAND的供應商建議使用NAND快閃記憶體的時候，同時使用EDC/ECC演算法。

這個問題對於用NAND存儲多媒體信息時倒不是致命的。當然，如果用本地存儲設備來存儲操作系統、配置文件或其他敏感信息時，必須使用EDC/ECC系統以確保可*性。

壞塊處理

NAND器件中的壞塊是隨機分布的。以前也曾有過消除壞塊的努力，但發現成品率太低，代價太高，根本不劃算。

NAND器件需要對介質進行初始化掃描以發現壞塊，並將壞塊標記為不可用。在已製成的器件中，如果通過可*的方法不能進行這項處理，將導致高故障率。

易於使用

可以非常直接地使用基於NOR的快閃記憶體，可以像其他存儲器那樣連接，並可以在上面直接運行代碼。

由於需要I/O介面，NAND要復雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠家而異。

在使用NAND器件時，必須先寫入驅動程序，才能繼續執行其他操作。向NAND器件寫入信息需要相當的技巧，因為設計師絕不能向壞塊寫入，這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進行虛擬映射。

軟體支持

當討論軟體支持的時候，應該區別基本的讀/寫/擦操作和高一級的用於磁碟模擬和快閃記憶體管理演算法的軟體，包括性能優化。

在NOR器件上運行代碼不需要任何的軟體支持，在NAND器件上進行同樣操作時，通常需要驅動程序，也就是內存技術驅動程序(MTD)，NAND和NOR器件在進行寫入和擦除操作時都需要MTD。

使用NOR器件時所需要的MTD要相對少一些，許多廠商都提供用於NOR器件的更高級軟體，這其中包括M-System的TrueFFS驅動，該驅動被Wind River System、Microsoft、QNX Sofare System、Symbian和Intel等廠商所採用。

驅動還用於對DiskOnChip產品進行模擬和NAND快閃記憶體的管理，包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。

6. NAND快閃記憶體中NAND的英文全名是什麼還有NOR的全名

NAND其實不是縮寫，是Not AND，意思是為：是與非。NOR的意思就是：是或非。

快閃記憶體結合了EPROM的高密度和EEPROM結構的變通性的優點。

EPROM是指其中的內容可以通過特殊手段擦去，然後重新寫入。其基本單元電路如下圖所示。常採用浮空柵雪崩注入式MOS電路，簡稱為FAMOS。它與MOS電路相似，是在N型基片上生長出兩個高濃度的P型區，通過歐姆接觸分別引出源極S和漏極D。

在源極和漏極之間有一個多晶硅柵極浮空在 絕緣層中，與四周無直接電氣聯接。這種電路以浮空柵極是否帶電來表示存1或者0，浮空柵極帶電後（例如負電荷），就在其下面。

源極和漏極之間感應出正的導電溝道，使MOS管導通，即表示存入0.若浮空柵極不帶電，則不能形成導電溝道，MOS管不導通，即存入1。

NAND快閃記憶體是一種比硬碟驅動器更好的存儲設備，在不超過4GB的低容量應用中表現得尤為明顯。隨著人們持續追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品，NAND被證明極具吸引力。

NAND快閃記憶體是一種非易失性存儲技術，即斷電後仍能保存數據。它的發展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。

7. nand存儲顆粒封裝尺寸

8mm乘6mm。nand存儲是一個嵌入式存儲解決方案設計的LGA8WSON小封裝，顆粒封裝尺寸只有8mm乘6mm，SD卡的操作與SD卡類似，是行業標准尺寸。

8. nor flash和nand flash的區別

一、NAND flash和NOR flash的性能比較x0dx0a1、NOR的讀速度比NAND稍快一些。x0dx0a2、NAND的寫入速度比NOR快很多。x0dx0a3、NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。x0dx0a4、大多數寫入操作需要先進行擦除操作。x0dx0a5、NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。x0dx0a二、NAND flash和NOR flash的介面差別x0dx0aNOR flash帶有SRAM介面，有足夠的地址引腳來定址，可以很容易地存取其內部的每一個位元組。x0dx0aNAND器件使用復雜的I/O口來串列地存取數據，各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和數據信息。NAND讀和寫操作採用512位元組的塊，這一點有點像硬碟管理此類操作，很自然地，基於NAND的存儲器就可以取代硬碟或其他塊設備。x0dx0a三、NAND flash和NOR flash的容量和成本x0dx0aNAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由於生產過程更為簡單，NAND結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量，也就相應地降低了價格。x0dx0a四、NAND flash和NOR flash的可靠性和耐用性x0dx0a採用flahs介質時一個需要重點考慮的問題是可靠性。對於需要擴展MTBF的系統來說，Flash是非常合適的存儲方案。可以從壽命(耐用性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較NOR和NAND的可靠性。x0dx0a五、NAND flash和NOR flash的壽命(耐用性)x0dx0a在NAND快閃記憶體中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次，而NOR的擦寫次數是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優勢，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個NAND存儲器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。x0dx0a六、位交換x0dx0a所有flash器件都受位交換現象的困擾。在某些情況下(很少見，NAND發生的次數要比NOR多)，一個比特位會發生反轉或被報告反轉了。一位的變化可能不很明顯，但是如果發生在一個關鍵文件上，這個小小的故障可能導致系統停機。如果只是報告有問題，多讀幾次就可能解決了。當然，如果這個位真的改變了，就必須採用錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)演算法。位反轉的問題更多見於NAND快閃記憶體，NAND的供應商建議使用NAND快閃記憶體的時候，同時使用x0dx0a七、EDC/ECC演算法x0dx0a這個問題對於用NAND存儲多媒體信息時倒不是致命的。當然，如果用本地存儲設備來存儲操作系統、配置文件或其他敏感信息時，必須使用EDC/ECC系統以確保可靠性。x0dx0a八、壞塊處理x0dx0aNAND器件中的壞塊是隨機分布的。以前也曾有過消除壞塊的努力，但發現成品率太低，代價太高，根本不劃算。x0dx0aNAND器件需要對介質進行初始化掃描以發現壞塊，並將壞塊標記為不可用。在已製成的器件中，如果通過可靠的方法不能進行這項處理，將導致高故障率。x0dx0a九、易於使用x0dx0a可以非常直接地使用基於NOR的快閃記憶體，可以像其他存儲器那樣連接，並可以在上面直接運行代碼。x0dx0a由於需要I/O介面，NAND要復雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠家而異。在使用NAND器件時，必須先寫入驅動程序，才能繼續執行其他操作。向NAND器件寫入信息需要相當的技巧，因為設計師絕不能向壞塊寫入，這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進行虛擬映射。x0dx0a十、軟體支持x0dx0a當討論軟體支持的時候，應該區別基本的讀/寫/擦操作和高一級的用於磁碟模擬和快閃記憶體管理演算法的軟體，包括性能優化。x0dx0a在NOR器件上運行代碼不需要任何的軟體支持，在NAND器件上進行同樣操作時，通常需要驅動程序，也就是內存技術驅動程序(MTD)，NAND和NOR器件在進行寫入和擦除操作時都需要MTD。x0dx0a使用NOR器件時所需要的MTD要相對少一些，許多廠商都提供用於NOR器件的更高級軟體，這其中包括M-System的TrueFFS驅動，該驅動被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等廠商所採用。x0dx0a驅動還用於對DiskOnChip產品進行模擬和NAND快閃記憶體的管理，包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。