鐵定存儲

Ⅰ 鐵電存儲器,誰用過,有沒有介紹的是什麼

一、什麼是鐵電存儲器？
摘自：http://bbs.huazhoucn.com/Topic.aspx?id=19

相對於其它類型的半導體技術而言，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。傳統的主流半導體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態存儲器SRAM（static random access memory)和動態存儲器DRAM （dynamic random access memory)。 SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數據。 RAM 類型的存儲器易於使用、性能好，可是它們同樣會在掉電的情況下會失去所保存的數據。

非易失性存儲器在掉電的情況下並不會丟失所存儲的數據。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自於只讀存儲器（ROM）技術。 正如你所猜想的一樣，被稱為只讀存儲器的東西肯定不容易進行寫入操作，而事實上是根本不能寫入。所有由ROM技術研發出的存儲器則都具有寫入信息困難的特點。這些技術包括有EPROM (幾乎已經廢止）、EEPROM和Flash。 這些存儲器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時功耗大。

鐵電存儲器能兼容RAM的一切功能，並且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁--一種非易失性的RAM。

二、鐵電存儲器技術原理
摘自：http://bbs.huazhoucn.com/Topic.aspx?id=20

當一個電場被加到鐵電晶體時，中心原子順著電場的方向在晶體里移動。當原子移動時，它通過一個能量壁壘，從而引起電荷擊穿。內部電路感應到電荷擊穿並設置存儲器。移去電場後，中心原子保持不動，存儲器的狀態也得以保存。鐵電存儲器不需要定時更新，掉電後數據能夠繼續保存，速度快而且不容易寫壞。
（圖片請參看原址，http://bbs.huazhoucn.com/Topic.aspx?id=20）

鐵電存儲器技術和標準的CMOS製造工藝相兼容。鐵電薄膜被放置於CMOS基層之上，並置於兩電極之間，使用金屬互連並鈍化後完成鐵電製造過程。
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size=2>Ramtron的鐵電存儲器技術到現在已經相當的成熟。最初的鐵電存儲器採用兩晶體管/兩電容器（2T/2C)的結構，導致元件體積相對過大。最近隨著鐵電材料和製造工藝的發展，在鐵電存儲器的每一單元內都不再需要配置標准電容器。Ramtron新的單晶體管/單電容器結構可以像DRAM一樣，使用單電容器為存儲器陣列的每一列提供參考。與現有的2T/2C結構相比，它有效的把內存單元所需要的面積減少一半。新的設計極大的提高了鐵電存儲器的效率，降低了鐵電存儲器產品的生產成本。

Ramtron同樣也通過轉向更小的技術節點來提高鐵電存儲器各單元的成本效率。最近採用的0.35微米的製造工藝相對於前一代0.5微米的製造工藝，極大的降低了晶元的功耗，提高了單個晶元的利用率。
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所有這些令人振奮發展使鐵電存儲器在人們日常生活的各個領域廣為應用。從辦公室復印機、高檔伺服器到汽車安全氣囊和娛樂設施，鐵電存儲器不斷改進性能在世界范圍內得到廣泛的應用。

三、鐵電存儲器產品應用
摘自：http://bbs.huazhoucn.com/Topic.aspx?id=21

（圖片請參看原址，http://bbs.huazhoucn.com/Topic.aspx?id=21）
儀表：電表、水表、汽表、流量表、郵資表。
汽車：安全氣袋、車身控制系統、車載收音機、勻速控制、車載 DVD 、引擎、娛樂設備、儀器簇、 傳動系、保險裝置、遙感勘測/導航系統、自動收費系統
通訊：移動通訊發射站、 數據記錄儀 、電話、收音機、電信、可攜式GPS
消費性電子產品：家電、機頂盒、等離子液晶屏電視
計算機：辦公設備、雷達系統、 網路附屬存儲 、電子式電腦切換器。
工業、科技、醫療：i工業自動控制、電梯、酒店門鎖、掌上操作儀器、醫療儀器、發動機控制。
其他：自動提款機、照相機、游戲機、POS功能機（可以用來以電子 方式購買商品和服務）、 自動售貨機。
-------------------------------------------------------------------------------- 鐵電存儲器在應用中所起的作用
數據收集存儲
鐵電存儲器能夠允許系統設計師更快、更頻繁的寫入數據，斷電不易丟失。對於使用EEPROM的用戶而言，這些是不能享受到的優良性能。
數據收集包括數據獲取和存儲數據，而這些數據必須在掉電的情況下仍能保留（不是暫時性的或中間結果暫存）。這些就是具有基本收集數據功能的系統或者子系統，並會隨著時間而不斷的發展出新的功能。在絕大多數的情況下，這個改變的過程紀錄是很重要的。
配置信息存儲
鐵電存儲器能夠靈活實時的，並非在斷電的瞬間，存儲配置信息，從而幫助系統設計師克服由於突然掉電而造成的數據丟失。
配置信息的存儲能夠隨著時間來追蹤系統變化。其目標是在接通電源後恢復信息在以前的狀態和位置，識別錯誤發生的起因。總的來說，數據收集通常是一個系統或者子系統的功能，然而配置信息存儲則是一個低級別的工程功能，與系統的類別無關。
非易失性緩沖器
鐵電存儲器能夠在數據發送或存儲到其它非易失性媒介前，很快地存儲正在運行中的數據。
在這種情況下，數據信息由一個子系統傳輸到另一個子系統。這個信息是十分重要的並且不允許在斷電的情況下丟失。在有些情況下, 目標系統是一個更大的存儲器。 而鐵電存儲器的快速、無限次的讀寫特點使得數據在被發送到另一個系統前就能及時保存。
SRAM的替代和擴展存儲器
鐵電存儲器的快速寫入和非易失性的特點可以通過系統設計師把SRAM和EEPROM的特點合而為一或者能單純的擴展SRAM的功能而實現。
在很多情況下，一個系統會用到各種不同類型的存儲器。鐵電存儲器同時具有ROM、 RAM以及 EEPROM的功能,並能節約系統內存和功耗。最常見的例子就是一個外部串列EEPROM的嵌入式的微控制器。鐵電存儲器能夠取代EEPROM,同樣也能提供SRAM的微功能。

Ⅱ 倉儲儲存鍍鋅鐵製品對溫濕度有什麼要求

1.目的:
確保原料、半成品、成品在貯存過程中具有衛生的、良好的環境，以防止損壞或變 質。
2.使用范圍
原材料庫、半成品庫、成品庫、包裝物料庫
3.責任
責任倉庫負責人及相關人員
4.內容
4.1倉庫溫濕度的測定，通常使用干濕球溫度表測定空氣溫濕度。
4.2在庫外設置干濕表，企業每日必須定時對庫內，外的溫濕度進行觀測、記錄，一般在上午8～10時，下午2～4時各觀測一次。記錄資料要妥善保存，定期分析，摸出規律，以便掌握物品保管的主動權。 4.3倉庫溫濕度要求
（1）倉庫溫度應盡量保持在25±3度左右。
（2）當倉庫溫度高過允許的上限（38度）或者等於/低於允許的下限（0度），倉管員應在一 個小時內通知倉庫主管，要求條取措施，調整倉庫溫度。 （3）當倉庫濕度過允許的上限（85%），倉管員應在一個小時內通知倉庫主管，要求知取適當的措施，保持倉庫正常濕度。 4.4倉庫溫濕度的控制和調節
為了保護倉儲物品的質量，創造適宜於物品儲存的環境，當庫內溫濕度適宜物品儲存時，就要設法防止庫外氣候對庫內產生的不利影響；當庫內溫濕度不適宜物品儲存時，就要及時採取有效措施調節庫內的溫濕度。實踐證明，採用密封、通風與吸潮相結合的辦法，是控制和調節庫內溫濕度行之有效的辦法。
(1)密封。就是把物品盡可能嚴密地封閉起來，減少外界不良氣候條件的影響，以達到安全保管的目的。
密封保管應注意以下幾點事項。
①密封前要檢查物品質量、溫度和含水量是否正常，如發現發霉、生蟲、發熱、水淞等現象就不能進行密封．發現物品含水量超過安全范圍或包裝材料過潮，也不宜密封。
②密封的時間要根據物品的性能和氣候情況來決定。怕潮、怕溶化、怕霉的物品，應選擇在相對濕度較低的時節進行密封。

③密封材料，常用的有塑料薄膜、防潮紙、油氈紙、蘆席等。密封材料必須乾燥清潔，無異味。
④密封常用的方法有整庫密封，小室密封、按垛密封以及按貨架、搐件密封等。 (2) 通風。空氣是從壓力大的地方向壓力小的地方流動。氣壓差越大，空氣流動速度就越快。
通風就是利用庫內外空氣溫度不同而形成的氣壓差，使庫內外空氣形成對流，來達到調節庫內溫濕度的目的。當庫內外溫度差距越大時，空氣流動就越快；若庫外有風，借風的壓力更能加速庫內外空氣的對流。但風力不能過大(風力超過5級則灰塵較多)。正確通風，不僅可以調節與改善庫內的溫濕度，還能及時地散發物品及包裝物的多餘水分，按通風門的的不同，可分為利用通風降溫(或增沮)和利用通風散潮兩種。
(3) 吸潮。在梅雨季節或陰雨天，當庫內濕度過高，不適宜物品保管，而庫外濕度過大，也不宜進行通風散潮時，可以在密封庫內用吸潮的辦法降低庫內濕度。
倉庫中通常使用的吸潮劑有氯化鈣、硅膠等。倉庫普遍使用機械吸潮的方法。吸濕機是把庫內的濕空氣通過抽風機，吸入吸濕機冷卻器內，使它凝結為水而排出。

Ⅲ 雨季怎麼存儲鐵屑,不生銹

常用的防止鐵生銹的方法有：

（1）組成合金，以改變鐵內部的組織結構．例如把鉻、鎳等金屬加入普通鋼里製成不銹鋼，就大大地增加了鋼鐵製品的抗生銹能力．

（2）在鐵製品表面覆蓋保護層是防止鐵製品生銹普遍而重要的方法．根據保護層的成分不同，可分為如下幾種：

a．在鐵製品表面塗礦物性油、油漆或燒制搪瓷、噴塑等．例如：車廂、水桶等常塗油漆；機器常塗礦物性油等．

b．在鋼鐵表面用電鍍、熱鍍等方法鍍上一層不易生銹的金屬，如鋅、錫、鉻、鎳等．這些金屬表面都能形成一層緻密的氧化物薄膜，從而防止鐵製品和水、空氣等物質接觸而生銹．

c．用化學方法使鐵製品表面生成一層緻密而穩定的氧化膜以防止鐵製品生銹．

（3）保持鐵製品表面的潔凈和乾燥也是防止鐵製品生銹的一種很好方法．

Ⅳ 什麼是鐵電存儲器

鐵電存儲器（FRAM）產品將ROM的非易失性數據存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優勢結合在一起。FRAM產品包括各種介面和多種密度，像工業標準的串列和並行介面，工業標準的封裝類型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。

非易失性記憶體掉電後數據不丟失。可是所有的非易失性記憶體均源自ROM技術。你能想像到,只讀記憶體的數據是不可能修改的。所有以它為基礎發展起來的非易失性記憶體都很難寫入，而且寫入速度慢，它們包括EPROM（現在基本已經淘汰）,EEPROM和Flash，它們存在寫入數據時需要的時間長，擦寫次數低,寫數據功耗大等缺點。

FRAM 提供一種與RAM一致的性能,但又有與ROM 一樣的非易失性。 FRAM 克服以上二種記憶體的缺陷並合並它們的優點，它是全新創造的產品，一個非易失性隨機存取儲存器。

FRAM技術

Ramtron的FRAM技術核心是鐵電。這就使得FRAM產品既可以進行非易失性數據存儲又可以像RAM一樣操作。

當一個電場被加到鐵電晶體時，中心原子順著電場的方向在晶體里移動，當原子移動時，它通過一個能量壁壘，從而引起電荷擊穿。 內部電路感應到電荷擊穿並設置記憶體。移去電場後中心原子保持不動，記憶體的狀態也得以保存。FRAM 記憶體不需要定時刷新，掉電後數據立即保存，它速度很快，且不容易寫壞。

FRAM存儲器技術和標準的CMOS製造工藝相兼容。鐵電薄膜被放於CMOS base layers之上，並置於兩電極之間，使用金屬互連並鈍化後完成鐵電製造過程。

Ramtron 的FRAM 記憶體技術從開始到現在已經相當成熟。 最初FRAM 記憶體採用二晶體管/ 二電容器的( 2T/2C) 結構，導致元件體積相對較大。 最近發展的鐵電材料和製造工藝不再需要在鐵電存儲器每一單元內配置標准電容器。 Ramtron 新的單晶體管/ 單電容器結構記憶體可以像DRAM一樣進行操作，它使用單電容器為存儲器陣列的每一列提供參考。與現有的2T/2C結構相比，它有效地把內存單元所需要面積減少一半。新的設計極大的改進了die leverage並且降低了FRAM存儲器產品的生產成本。

Ramtron公司現採用0.35微米製造工藝，相對於現有的0.5微米的製造工藝而言，這極大地降低晶元功耗，提高了成本效率。

這些令人振奮的發展使FRAM在人們日常生活的各個領域找到了應用的途徑。從辦公復印機、高檔伺服器到汽車安全氣囊和娛樂設備， FRAM 使一系列產品的性能得到改進並在全世界范圍內得到廣泛的應用。

鐵電應用

數據採集與記錄

存儲器（FRAM）可以讓設計者更快、更頻繁地將數據寫入非易失性存儲器，而且價格比EEPROM低。數據採集通常包括採集和存儲兩部分，系統所採集的數據（(除臨時或中間結果數據外)需要在掉電後能夠保存，這些功能是數據採集系統或子系統所具有的基本功能。在大多數情況下，一些歷史記錄是很重要的。

典型應用：儀表 (電表、氣表、水表、流量表)、RF/ID、儀器,、和汽車黑匣子、安全氣袋、GPS定位系統、電力電網監控系統。

參數設置與存儲

FRAM通過實時存儲數據幫助系統設計者解決了突然斷電數據丟失的問題。參數存儲用於跟蹤系統在過去時間內的改變，它的目的包括在上電狀態時恢復系統狀態或者確認一個系統錯誤。總的來說，數據採集是系統或子系統的功能，不論何種系統類型，設置參數存儲都是一種底層的系統功能。

典型應用： 影印機,列印機, 工業控制, 機頂盒 (Set-Top-Box), 網路設備（網路數據機）和大型家用電器。

非易失性緩沖

鐵電存貯器（FRAM）可以在數據傳遞儲存在其它存儲器之前快速存儲數據。在此情況下，信息從一個子系統非實時地傳送到另一個子系統去.。由於資料的重要性, 緩沖區內的數據在掉電時不能丟失.，在某些情況下，目標系統是一個較大容量的存儲裝置。FRAM以其擦寫速度快、擦寫次數多使數據在傳送之前得到存儲。

典型應用：工業系統、銀行自動提款機 (ATM), 稅控機, 商業結算系統 (POS), 傳真機，未來將應用於硬碟非易失性高速緩沖存儲器。

SRAM的取代和擴展

鐵電存貯器（FRAM） 快速擦寫和非易失性等特點，令系統工程師可以把現有設計中的SRAM和EEPROM器件整合到一個鐵電存貯器（FRAM）里，或者簡單地作為SRAM擴展。

在多數情況下，系統使用多種存儲器類型，FRAM提供了只使用一個器件就能提供ROM,RAM和EEPROM功能的能力，節省了功耗, 成本, 空間，同時增加了整個系統的可靠性。最常見的例子就是在一個有外部串列EEPROM嵌入式系統中，FRAM能夠代替EEPROM,同時也為處理器提供了額外的SRAM功能。

典型應用：攜帶型設備中的一體化存儲器，使用低端控制器的任何系統。

深圳華胄科技有限公司----RAMTRON鐵電存儲器代理商
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Ⅳ 鐵電存儲器的原理

FRAM利用鐵電晶體的鐵電效應實現數據存儲，鐵電晶體的結構如圖1所示。鐵電效應是指在鐵電晶體上施加一定的電場時，晶體中心原子在電場的作用下運動，並達到一種穩定狀態；當電場從晶體移走後，中心原子會保持在原來的位置。這是由於晶體的中間層是一個高能階，中心原子在沒有獲得外部能量時不能越過高能階到達另一穩定位置，因此FRAM保持數據不需要電壓，也不需要像DRAM一樣周期性刷新。由於鐵電效應是鐵電晶體所固有的一種偏振極化特性，與電磁作用無關，所以FRAM存儲器的內容不會受到外界條件諸如磁場因素的影響，能夠同普通ROM存儲器一樣使用，具有非易失性的存儲特性。
FRAM的特點是速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在如E2PROM的最大寫入次數的問題。但受鐵電晶體特性制約，FRAM仍有最大訪問（讀）次數的限制。

Ⅵ 最穩定的存儲介質是那種，基本不考慮成本的。

你還想著雲計算？你又要求防水防震防損耗時間長，這和雲計算有關嗎？你知道什麼叫雲計算嗎？不相乾的事情別扯到一起，不論如何存儲，無非都是存儲在某種介質當中，有介質存在，就會有損耗，你還想存個幾億年？有介質存在，鐵定會產生費用，又有誰會免費讓你存儲這么多數據？我憑什麼用我的空間來存儲你的東西？你要用，就得付錢！什麼年代了，還想著又免費又好的，有這種玩意？你以為電子郵箱啊？

別人回答了你的問題，沒有功勞也有苦勞，沒想要你那點分，權當發揮網路知道的精神，有誰不禮貌待人了嗎？你看到有臟話了嗎？你看到有人罵你低能嗎？？？！！！！！

別拿根雞毛當令箭使，至少我混得比你久，往後再也不會回答你這類愚蠢問題

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一張光碟，你保存好點的能放到10年以上，你怕啥？
硬碟，你保存好點的，能放到50年以上，你擔心啥？
U盤，沒見過摔2次就不見數據的，不知道你怎麼摔的，10米跳台？

如果你怕光碟劃傷，硬碟震傷，U盤摔傷

建議你用數據磁帶，不怕摔，不怕劃傷【有外殼】，不怕震，就是怕磁場，當然，前提是你得有這方面的數據轉錄設備

你自己看著辦

Ⅶ 鐵在人體內是否被儲存

當然會被儲存啊，因為在檢查缺鐵性貧血時有個很重要的指標，那就是血清鐵含量，由此看來鐵在人體吸收後會被儲存起來，用於機體生理需要，尤其是作為造血的合成原料。

Ⅷ 鐵電儲存器大批量生產了嗎

是。RAMTRON公司研製的鐵電存儲器成功打批量生產解決了電池問題。鐵電存儲器（FRAM，ferroelectricRAM）是一種隨機存取存儲器，它將動態隨機存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關掉後保留數據能力（就像其他穩定的存儲設備一樣，如只讀存儲器和快閃記憶體）結合起來。

Ⅸ 鐵電存儲器的讀寫操作

FRAM保存數據不是通過電容上的電荷，而是由存儲單元電容中鐵電晶體的中心原子位置進行記錄。直接對中心原子的位置進行檢測是不能實現的，實際的讀操作過程是：在存儲單元電容上施加一已知電場（即對電容充電），如果原來晶體的中心原子的位置與所施加的電場方向使中心原子要達到的位置相同，則中心原子不會移動；若相反，則中心原子將越過晶體中間層的高能階到達另一位置，則在充電波形上就會出現一個尖峰，即產生原子移動的比沒有產生移動的多了一個尖峰，把這個充電波形同參考位（確定且已知）的充電波形進行比較，便可以判斷檢測的存儲單元中的內容是「1」或「0」。
無論是2T2C還是1T1C的FRAM，對存儲單元進行讀操作時，數據位狀態可能改變而參考位則不會改變（這是因為讀操作施加的電場方向與原參考位中原子的位置相同）。由於讀操作可能導致存儲單元狀態的改變，需要電路自動恢復其內容，所以每個讀操作後面還伴隨一個"預充"（precharge）過程來對數據位恢復，而參考位則不用恢復。晶體原子狀態的切換時間小於1ns，讀操作的時間小於70ns，加上"預充"時間60ns，一個完整的讀操作時間約為130ns。
寫操作和讀操作十分類似，只要施加所要方向的電場改變鐵電晶體的狀態就可以了，而無需進行恢復。但是寫操作仍要保留一個"預充"時間，所以總的時間與讀操作相同。FRAM的寫操作與其它非易失性存儲器的寫操作相比，速度要快得多，而且功耗小。

Ⅹ 鐵電存儲器的技術比較

Ramtron公司的FRAM主要包括兩大類：串列FRAM和並行FRAM。其中串列FRAM又分I2C兩線方式的FM24 系列和SPI三線方式的FM25 系列。串列FRAM與傳統的24 、25 型的E2PROM引腳及時序兼容，可以直接替換，如Microchip、Xicor公司的同型號產品，但各項性能要好得多，性能比較如表1所示。並行FRAM價格較高但速度快，由於存在預充問題，在時序上有所不同不能和傳統的SRAM直接替換。
FRAM產品具有RAM和ROM優點，讀寫速度快並可以像非易失性存儲器一樣使用。因鐵電晶體的固有缺點，訪問次數是有限的，超出了限度，FRAM就不再具有非易失性。Ramtron給出的最大訪問次數是100萬次，比flash壽命長10倍，但是並不是說在超過這個次數之後，FRAM就會報廢，而是它僅僅沒有了非易失性，但它仍可像普通RAM一樣使用。
1.FRAM與E2PROM
FRAM可以作為E2PROM的第二種選擇，它除了E2PROM的性能外，訪問速度要快得多。但是決定使用FRAM之前，必須確定系統中一旦超出對FRAM的100萬次訪問之後絕對不會有危險。
2.FRAM與SRAM
從速度、價格及使用方便來看SRAM優於FRAM，但是從整個設計來看，FRAM還有一定的優勢。
假設設計中需要大約3K位元組的SRAM，還要幾百個位元組用來保存啟動代碼的E2PROM配置。
非易失性的FRAM可以保存啟動程序和配置信息。如果應用中所有存儲器的最大訪問速度是70ns，那麼可以使用一片FRAM完成這個系統，使系統結構更加簡單。
3．FRAM與DRAM
DRAM適用於那些密度和價格比速度更重要的場合。例如DRAM是圖形顯示存儲器的最佳選擇，有大量的像素需要存儲，而恢復時間並不是很重要。如果不需要下次開機時保存上次內容，使用易失性的DRAM存儲器就可以。DRAM的作用與成本是FRAM無法比擬的，事實證明，DRAM不是FRAM所能取代的。
4．FRAM與Flash
現在最常用的程序存儲器是Flash，它使用十分方便而且越來越便宜。程序存儲器必須是非易失性的並且要相對低廉，且比較容易改寫，而使用FRAM會受訪問次數的限制，多次讀取之後會失去其非易失性。
下面介紹並行FRAM --FM1808與8051/52的實際應用。