非易失性存儲顆粒

A. 金邦跟金士頓內存條，哪個好

蘿卜青菜各人所愛,細來講金士頓的條子要好很多,從性能兼容性來說肯定是首選,我用的就是金士頓的,是在專賣店裡買的,價格稍貴點點,但肯定是真品。如果你裝機的話用金士頓比較好,為什麼有假貨?就因為用戶多,質量好,才有造假者。真假肯定能判別出來的,專賣店是真貨,買的放心。

B. 2015年的蘋果固態是什麼顆粒

2015年的蘋果固態是3dnanotlc顆粒。固態硬碟的顆粒」指SSD電路板上的快閃記憶體晶元啦。這「顆粒」有SLC、MLC、TLC、3DTLC類型，其讀寫速率和壽命與快閃記憶體類型密切相關。辨別，目前還只能靠查看產品的技術參數得知。根據NAND快閃記憶體中電子單元密度的差異，可以分為SLC（單層次存儲單元）、MLC（雙層存儲單元）。

2015年的蘋果固態顆粒的作用

快閃記憶體顆粒，又稱快閃記憶體，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經寫入的數據，而且是以固定的區塊為單位，而不是以單個的位元組為單位。

因其，體積小，耐抗性強，存儲穩定等優勢，目前開始大規模運用在電子產品中。其中，固態硬碟產品的由來，就得益於快閃記憶體顆粒的大發展而誕生。與此同時，近年來手機、平板等電子產品存儲容量的不斷攀升，也是得益於快閃記憶體顆粒在工藝上和存儲容量上的大幅度升級。

C. 主存儲器和輔助存儲器的區別是什麼

1、易失性與非易失性

隨機存取內存（RAM），是具有易失性的。這意味著當系統斷電時，數據就會丟失。與之相反，外部存儲是非易失性的，因此即使沒有電源，它也能保存數據。

2、性能和容量

在大多數情況下，外存比內存的速度慢得多。而與外存不同的是，RAM直接通過更寬更快的匯流排連接到CPU。

3、存儲時長區別

內存斷電後不保留，外存能長期保留

4、訪問許可權區別

CPU只能直接訪問內存，外存的東西要先到內存CPU才能處理。

(3)非易失性存儲顆粒擴展閱讀：

1、記憶功能：

內存是連接CPU的橋梁。計算機中的所有程序都在內存中運行，因此內存性能對計算機有很大的影響。

CPU計算數據和與外部存儲器（如硬碟）交換的數據的臨時存儲器。只要計算機在運行，CPU就把需要計算的數據傳輸到內存中進行計算。當操作完成時，CPU發送結果。存儲器的運行也決定了計算機的穩定運行。

2、選擇內存方法

在選擇內存時，最重要的是穩定性和性能，內存的工作水平直接影響性能、穩定性和超頻。

記憶粒子的質量直接影響著記憶的性能，可以說是記憶最重要的核心組成部分。所以在購買的時候，盡量選擇大廠家生產的內存顆粒。常見的內存粒子包括三星、現代、美光、南亞、穆斯等。它們都經過了完整的生產過程，所以質量更有保證。

D. 伺服器內存UDIMM, RDIMM, LRDIMM, NVDIMM, DCPMM區別

近來需要在新采購的DELL R740XD伺服器上增加內存。在官方技術規格描述中，R740XD一共支持4種不同類型的內存：分別是RDIMM，RDIMM， NVDIMM， DCPMM（英特爾®傲騰™ DC 持久內存）。故在采購內存之前，中嶽需要就不同種類的內存進行調研。除了上述四種內存外，在伺服器領域還有一種常用的內存：UDIMM。在這里，我們對這四種內存進行學習。

UDIMM：全稱Unbuffered DIMM，即無緩沖雙列直插內存模塊，指地址和控制信號不經緩沖器，無需做任何時序調整，直接到達DIMM上的DRAM晶元。UDIMM由於在CPU和內存之間沒有任何緩存，因此同頻率下延遲較小。
數據從CPU傳到每個內存顆粒時，UDIMM需保證CPU到每個內存顆粒之間的傳輸距離相等，這樣並行傳輸才有效，而這需要較高的製造工藝，因此UDIMM在容量和頻率上都較低。

RDIMM：全稱Registered DIMM，帶寄存器的雙列直插內存模塊。RDIMM在內存條上加了一個寄存器進行傳輸，其位於CPU和內存顆粒之間，既減少了並行傳輸的距離，又保證並行傳輸的有效性。由於寄存器效率很高，因此相比UDIMM，RDIMM的容量和頻率更容易提高。

LRDIMM：全稱Load Reced DIMM，低負載雙列直插內存模塊。相比RDIMM，LRDIMM並未使用復雜寄存器，只是簡單緩沖，緩沖降低了下層主板上的電力負載，但對內存性能幾乎無影響。
此外，LRDIMM內存將RDIMM內存上的Register晶元改為iMB(isolation Memory Buffer)內存隔離緩沖晶元，直接好處就是降低了內存匯流排負載，進一步提升內存支持容量。

NVDIMM：全程非易失性雙列直插式內存模塊（英語：non-volatile al in-line memory mole，縮寫NVDIMM）是一種用於計算機的隨機存取存儲器。非易失性存儲器是即使斷電也能保留其內容的內存，這包括意外斷電、系統崩潰或正常關機。雙列直插式表示該內存使用DIMM封裝。NVDIMM在某些情況下可以改善應用程序的性能、數據安全性和系統崩潰恢復時間。這增強了固態硬碟（SSD）的耐用性和可靠性。
指在一個模塊上同時放入傳統 DRAM 和 flash 快閃記憶體。 計算機可以直接訪問傳統 DRAM。 支持按位元組定址, 也支持塊定址。通過使用一個小的後備電源,為在掉電時, 數據從DRAM 拷貝到快閃記憶體中提供足夠的電能。當電力恢復時, 再重新載入到DRAM 中。
目前, 根據 JEDEC 標准化組織的定義, 有三種NVDIMM 的實現。分別是：

NVDIMM-N指在一個模塊上同時放入傳統 DRAM 和 flash 快閃記憶體。 計算機可以直接訪問傳統 DRAM。 支持按位元組定址, 也支持塊定址。通過使用一個小的後備電源,為在掉電時, 數據從DRAM 拷貝到快閃記憶體中提供足夠的電能。當電力恢復時, 再重新載入到DRAM 中。

NVDIMM-N 的主要工作方式其實和傳統 DRAM是一樣的。因此它的延遲也在10的1次方納秒級。 而且它的容量, 受限於體積, 相比傳統的 DRAM 也不會有什麼提升。
同時它的工作方式決定了它的 flash 部分是不可定址的。而且同時使用兩種介質的作法使成本急劇增加。 但是, NVDIMM-N 為業界提供了持久性內存的新概念。目前市面上已經有很多基於NVIMM-N的產品。

NVDIMM-F指使用了 DRAM 的DDR3或者 DDR4 匯流排的flash快閃記憶體。我們知道由 NAND flash 作為介質的 SSD, 一般使用SATA, SAS 或者PCIe 匯流排。使用 DDR 匯流排可以提高最大帶寬, 一定程度上減少協議帶來的延遲和開銷。 不過只支持塊定址。
NVDIMM-F 的主要工作方式本質上和SSD是一樣的。因此它的延遲在 10的1次方微秒級。它的容量也可以輕松達到 TB 以上。

NVDIMM-P這是一個目前還沒有發布的標准 (Under Development)。預計將與DDR5 標准一同發布。按照計劃，DDR5將比DDR4提供雙倍的帶寬，並提高信道效率。這些改進，以及伺服器和客戶端平台的用戶友好界面，將在各種應用程序中支持高性能和改進的電源管理。
NVDIMM-P 實際上是真正 DRAM 和 flash 的混合。它既支持塊定址, 也支持類似傳統 DRAM 的按位元組定址。 它既可以在容量上達到類似 NAND flash 的TB以上, 又能把延遲保持在10的2次方納秒級。
通過將數據介質直接連接至內存匯流排, CPU 可以直接訪問數據, 無需任何驅動程序或 PCIe 開銷。而且由於內存訪問是通過64 位元組的 cache line, CPU 只需要訪問它需要的數據, 而不是像普通塊設備那樣每次要按塊訪問。
Intel 公司在2018年5月發布了基於3D XPoint™ 技術的Intel® Optane™ DC Persistent Memory。可以認為是NVDIMM-P 的一種實現。

硬體支持

應用程序可以直接訪問NVDIMM-P, 就像對於傳統 DRAM那樣。這也消除了在傳統塊設備和內存之間頁交換的需要。但是, 向持久性內存里寫數據是和向普通DRAM里寫數據共享計算機資源的。包括處理器緩沖區, L1/L2緩存等。

需要注意的是, 要使數據持久, 一定要保證數據寫入了持久性內存設備, 或者寫入了帶有掉電保護的buffer。軟體如果要充分利用持久性內存的特性, 指令集架構上至少需要以下支持:

寫的原子性
表示對於持久性內存里任意大小的寫都要保證是原子性的, 以防系統崩潰或者突然掉電。IA-32 和 IA-64 處理器保證了對緩存數據最大64位的數據訪問 (對齊或者非對齊) 的寫原子性。 因此, 軟體可以安全地在持久性內存上更新數據。這樣也帶來了性能上的提升, 因為消除了-on-write 或者 write-ahead-logging 這種保證寫原子性的開銷。
高效的緩存刷新(flushing)
出於性能的考慮, 持久性內存的數據也要先放入處理器的緩存(cache)才能被訪問。經過優化的緩存刷新指令減少了由於刷新 (CLFLUSH) 造成的性能影響。

提交至持久性內存(Committing to Persistence)
在現代計算機架構下, 緩存刷新的完成表明修改的數據已經被回寫至內存子系統的寫緩沖區。 但是此時數據並不具有持久性。為了確保數據寫入持久性內存, 軟體需要刷新易失性的寫緩沖區或者在內存子系統的其他緩存。 新的用於持久性寫的提交指令 PCOMMIT 可以把內存子系統寫隊列中的數據提交至持久性內存。

非暫時store操作的優化(Non-temporal Store Optimization)
當軟體需要拷貝大量數據從普通內存到持久性內存中時(或在持久性內存之間拷貝), 可以使用弱順序, 非暫時的store操作 (比如使用MOVNTI 指令)。 因為Non-temporal store指令可以隱式地使要回寫的那條cache line 失效, 軟體就不需要明確地flush cache line了(see Section 10.4.6.2. of Intel® 64 and IA-32 Architectures Software Developer』s Manual, Volume 1)。

DCPMM英特爾®傲騰™ 技術是指以3D XPoint™內存介質與英特爾先進系統內存控制器、介面硬體及軟體IP的獨特組合。這項創新技術提供多種外形規格，以幫助不同系列的產品提升系統性能。它能快速訪問用戶計算機中的常用文檔、圖片、視頻和應用程序，並在關閉電源後記住它們，使用戶能夠以更少的等待時間創建內容、暢玩游戲和完成創作。
英特爾®傲騰™ 技術既不基於NAND也非動態隨機存取存儲器（DRAM）：這項創新技術兼具二者之所長，在內存/存儲層中建立新的數據層，可以有效填補數據中心的內存和性能缺口。

區別與應用

UDIMM由於並未使用寄存器，無需緩沖，同等頻率下延遲較小。此外，UDIMM的另一優點在於價格低廉。其缺點在於容量和頻率較低，容量最大支持4GB，頻率最大支持2133 MT/s。此外，由於UDIMM只能在Unbuffered 模式工作，不支持伺服器內存滿配(最大容量)，無法最大程度發揮伺服器性能。在應用場景上，UDIMM不僅可用於伺服器領域，同樣廣泛運用於桌面市場。

而RDIMM支持Buffered模式和高性能的Registered模式，較UDIMM更為穩定，同時支持伺服器內存容量最高容量。此外，RDIMM支持更高的容量和頻率，容量支持32GB，頻率支持 3200 MT/s 。缺點在於由於寄存器的使用，其延遲較高，同時加大了能耗，此外，價格也比UDIMM昂貴。因此，RDIMM主要用於伺服器市場。

LRDIMM可以說是RDIMM的替代品，其一方面降低了內存匯流排的負載和功耗，另一方面又提供了內存的最大支持容量，雖然其最高頻率和RDIMM一樣，均為3200 MT/s，但在容量上提高到64GB。並且，相比RDIMM，Dual-Rank LRDIMM內存功耗只有其50%。LRDIMM也同樣運於伺服器領域，但其價格，較RDIMM也更貴些。

E. 為什麼固態硬碟上只有一個快閃記憶體顆粒

快閃記憶體顆粒，又稱快閃記憶體，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經寫入的數據，而且是以固定的區塊為單位，而不是以單個的位元組為單位。

快閃記憶體顆粒在當代對於存儲產品的重要性，根據其內部電子結構不同，全球快閃記憶體產品主要有三種，SLC（單層次存儲單元）、MLC（雙層存儲單元）以及TLC(三層存儲單元)，此三種存儲單元在壽命以及造價上有著明顯的區別。

對於固態硬碟與傳統的機械硬碟不一樣，固態硬碟是用NAND快閃記憶體顆粒來儲存數據的，由兩個主要部件組成：一是負責指揮的控制單元（主控）；二是負責存儲數據的存儲單元（快閃記憶體顆粒）；部分固態硬碟還有緩存。優點是比機械硬碟更輕薄，運行時更安靜，讀寫速度快，不怕震動，信息更安全。


SLC（單層式存儲），單層電子結構，寫入數據時電壓變化區間小，壽命最長，但是造價昂貴，多用於企業級高端產品。

MLC（多層式存儲），使用高低電壓的而不同構建的雙層電子結構，壽命相對較長長，造價可接受，多用民用高端產品。

TLC（三層式存儲），是MLC快閃記憶體延伸，TLC達到3bit/cell。存儲密度最高，容量是MLC的1.5倍。造價成本最低，使命壽命相對較低，性價比高，是當下主流廠商首選快閃記憶體顆粒。

對於SSD快閃記憶體顆粒，固態硬碟的壽命受到擦寫次數的限制，快閃記憶體完全擦寫一次叫做1次P/E，因此，P/E就是快閃記憶體的壽命單位。不同的存儲單元（快閃記憶體顆粒）類型擦寫次數也不同：SLC：大約1萬-10萬次的擦除壽命；MLC：大約5千-1萬次的擦除壽命；TLC：大約3000次的擦寫壽命；QLC：大約500-1000次的擦寫壽命。


那麼盡量選擇TLC的固態硬碟，若選QLC，則盡可能選擇大容量的，因為固態硬碟的容量大了，不僅能存儲更多的數據，壽命也會更長。

F. FLASH存儲器DDR存儲器RAM存儲器SRAM存儲器DRAM存儲器有啥區別各有什麼作用用在那

Flash存儲器又稱為快閃記憶體，是一種非易失性的ROM存儲器，在EEPROM的基礎上發展而來，但不同於EEPROM只能全盤擦寫，快閃記憶體可以對某個特定的區塊進行擦寫，這源於它和內存一樣擁有獨立地址線。快閃記憶體的讀寫速度快，但遠不及RAM存儲器；但它斷電後不會像內存一樣丟失數據，因此適合做外存儲設備。用途：U盤、固態硬碟、BIOS晶元等。

DDR是一種技術，中文為雙倍速率，並不屬於一種存儲器。DDR通常指DDR SDRAM存儲器，全稱為Double Date Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，雙倍速率同步動態隨機存儲器。顧名思義，它有三個重要特性：Double Date Rate、Synchronous和Dynamic。首先是Dynamic（動態），表明存儲元為電容，通過電容的電荷性判斷數據0和1。而由於電容有漏電流，必須隨時對電容進行充電，以防數據丟失，這個過程就叫動態刷新；其次是Synchronous（同步），表明讀寫過程由時鍾信號控制，只能發生在時鍾信號的上沿或下沿，是同步進行的，而不可以在隨意時刻進行；最後是Double Date Rate（DDR），這是DDR內存最重要的特性，即相比SDRAM內存，DDR內存在時鍾的上沿和下沿均可以完成一次數據發射，因此一個周期內可以傳輸兩次數據，所以稱為雙倍速率。因此等效頻率是SDRAM的兩倍。用途：內存條和顯存顆粒，如DDR、DDR2、DDR3、GDDR5。

RAM是Random Access Memory的縮寫，中文為隨機存儲器。這個定義非常廣，凡是可以進行隨機讀寫的存儲器，都可以稱為RAM，和ROM（只讀存儲器）相對。用途：內存、顯存、單片機、高速緩存等等

SRAM是Static Random Access Memory的縮寫，靜態存儲器，和動態存儲器DRAM相對。由於SRAM工作原理是依靠晶體管組合來鎖住電平，並不需要進行刷新，只要不斷電，數據就不會丟失，因此稱為靜態RAM。相比動態RAM，優點：1.不需要刷新操作，省去刷新電路，布線簡單；2.速度遠高於DRAM。缺點：1.容量遠小於DRAM；2.由於晶體管規模遠大於DRAM，成本遠高於DRAM。用途：寄存器、高速緩存、早期內存

DRAM是Dynamic Random Access Memory的縮寫，動態存儲器。和上面的定義一樣，由電容存儲數據，需要實時刷新，因此叫動態RAM。和SDRAM的區別在於DRAM可以不需要時鍾信號控制發射，但通常我們不嚴格區分它們，把SDRAM和DRAM都叫做DRAM。DDR SDRAM也屬於一種DRAM。用途：內存、顯存

G. 為什麼SSD測試的時候只有4K讀取速度特別慢呢

估計是接到SATA2.0介面上，也有可能你的電腦主板只支持SATA2.0，雖然硬碟是SATA3.0，但只能運行SATA2.0的速度上。

去掉RAPID加速，這個玩意是直接讀寫主機內存，和SSD無關，然後再跑測試就正常了。這個是三星專門為ASSSD測試軟體進行的優化，無任何實際用途。

而且4K單線程讀取是隨機獲取，既然必須是從磁碟中隨機且讀的是小文件，所以就任何加速方法都無效，4K單線程寫入也是RAPID加速將內容寫入主機內存中了。

(7)非易失性存儲顆粒擴展閱讀

和其他所有的DIY硬體一樣，固態硬碟行業在發展的這幾年裡，也逐漸從魚龍混雜的混沌局面慢慢開始呈現品牌化的趨勢，出現了諸多聲名在外的大型固態硬碟存儲廠商。

在我們挑選固態硬碟的時候，不妨先看看這些在固態硬碟行業內部已經確立地位的大品牌的最新產品。目前，固態硬碟行業的品牌化十分明顯，特別是消費級存儲市場，有著許多大廠可供選擇。

主要的一線大廠有閃迪、東芝、三星、Intel等有著自己的晶圓廠和研發中心的國際化存儲品牌，它們在存儲行業數十年的研發經驗，以及自身在固態硬碟主要原料快閃記憶體顆粒上的生產優勢，讓這些大廠在固態硬碟行業發展初期就奠定了品牌優勢。

接下來，還有一些長期和東芝、Intel、三星等手握原廠晶圓的廠商進行深入合作的存儲廠商，由於能夠拿到一線原廠的快閃記憶體顆粒，以及多年在消費級存儲市場的開拓，讓這些廠商能夠保證相當的產品品質，和產品性能。這一類的主要品牌有台系的浦科特，影馳，威剛等主流廠商。

以上舉例的這些廠商，無論是在快閃記憶體顆粒的生產上，還是產品研發和品牌營造上，可以說是當下固態硬碟行業的佼佼者，購買它們旗下的固態硬碟產品，至少在品質上可以放心。

固態硬碟作為新近流行的DIY硬體，它的內部結構非常簡單，主要是由主控晶元、快閃記憶體顆粒以及緩存晶元所組成，並利用一塊PCB板作為載體，通過光電轉換的方式進行數據的讀取和寫入。

其中，最為核心、生產成本最高的內部控制項便是起到關鍵性存儲功能的快閃記憶體顆粒了。

所謂快閃記憶體，本質上是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息)的存儲器，數據刪除不是以單個的位元組為單位而是以固定的區塊為單位。

正是快閃記憶體顆粒的非易失性，讓快閃記憶體顆粒成為了存儲行業新的介質，由此開創了一個以快閃記憶體顆粒為核心的新的存儲時代。

除了非易失性之外，快閃記憶體顆粒因其利用的是電子的寫入和讀取進行存儲，在性能上和穩定性上遠遠超過傳統機械硬碟利用機械手段進行存儲的老舊模式，成為了當下和未來最具價值的存儲產品。

在固態硬碟領域中，根據NAND快閃記憶體中電子單元密度的差異，又可以分為SLC（單層次存儲單元）、MLC（雙層存儲單元）以及TLC(三層存儲單元)，此三種存儲單元在壽命以及造價上有著明顯的區別.

SLC(單層式存儲）單層電子結構，寫入數據時電壓變化區間小，壽命長，讀寫次數在10萬次以上，造價高，多用於企業級高端產品。

MLC（多層式存儲），使用高低電壓的而不同構建的雙層電子結構，壽命長，造價可接受，多用民用高端產品，讀寫次數在5000左右。

TLC（三層式存儲），是MLC快閃記憶體延伸，TLC達到3bit/cell。存儲密度最高，容量是MLC的1.5倍。 造價成本最低， 使命壽命低，讀寫次數在1000~2000左右，是當下主流廠商首選快閃記憶體顆粒。

當前，主流的所謂原廠快閃記憶體顆粒廠商有toshiba東芝、samsung三星、Intel英特爾、micron美光、skhynix海力士、sandisk閃迪等六家晶圓廠，它們及其下屬的子公司生產的快閃記憶體顆粒幾乎占據了全球市場的近九成份額。

H. 內存條用的快閃記憶體顆粒與固態硬碟用的快閃記憶體顆粒一樣嗎

內存上用的內存顆粒是DDR內存，屬於易失性存儲器，也就是斷電後其中數據就消失的存儲器。
固態硬碟中使用的快閃記憶體顆粒是浮柵管存儲器，屬於非易失性存儲器，斷電後其數據還會保存其中。
這二者的差異是根本上的，不是一個東西。

I. 固態硬碟M.2介面是什麼介面

M.2介面是一種新的主機介面方案，可以兼容多種通信協議，如sata、PCIe、USB、HSIC、UART、SMBus等。
M.2介面是為超極本（Ultrabook）量身定做的新一代介面標准，以取代原來的mSATA介面。無論是更小巧的規格尺寸，還是更高的傳輸性能，M.2都遠勝於mSATA。

J. 內存顆粒、快閃記憶體顆粒的區別

快閃記憶體是利用了快閃記憶體技術的非易失性存儲顆粒，一般用於sd卡，tf卡，u盤等小型存儲設備。內存是系統運行時暫時保存文件的隨機存儲驅動器，是易失性的，也就是只有通電狀況下才能保存，完全是兩種技術。