非易失性隨機存儲器

⑴ 常見的非易失性存儲器有哪幾種

常見的非易失性存儲器有以下幾種：

一、可編程只讀內存：PROM（Programmable read-only memory）

其內部有行列式的_絲，可依用戶（廠商）的需要，利用電流將其燒斷，以寫入所需的數據及程序，_絲一經燒斷便無法再恢復，亦即數據無法再更改。

二、電可擦可編程只讀內存：EEPROM（Electrically erasable programmable read only memory）

電子抹除式可復寫只讀存儲器（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，EEPROM）之運作原理類似EPROM，但是抹除的方式是使用高電場來完成，因此不需要透明窗。

三、可擦可編程只讀內存：EPROM（Erasable programmable read only memory）

可利用高電壓將數據編程寫入，但抹除時需將線路曝光於紫外線下一段時間，數據始可被清空，再供重復使用。因此，在封裝外殼上會預留一個石英玻璃所制的透明窗以便進行紫外線曝光。

四、電可改寫只讀內存：EAROM（Electrically alterable read only memory）

內部所用的晶元與寫入原理同EPROM，但是為了節省成本，封裝上不設置透明窗，因此編程寫入之後就不能再抹除改寫。

五、快閃記憶體：Flash memory

是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式，允許在操作中被多次擦或寫的存儲器。這種科技主要用於一般性數據存儲，以及在電腦與其他數字產品間交換傳輸數據，如儲存卡與U盤。快閃記憶體是一種特殊的、以宏塊抹寫的EEPROM。早期的快閃記憶體進行一次抹除，就會清除掉整顆晶元上的數據。

⑵ 什麼是易失性存儲器什麼是非易失性存儲器

易失性存儲器就是在關閉計算機或者突然性、意外性關閉計算機的時候，裡面的數據會丟失，就像內存。非易失性存儲器在上面的情況下數據不會丟失，像硬碟等外存。

⑶ 什麼是非易失性存儲器

非易失性存儲器（nonvolatile memory）是所有形式的固態（沒有可動部分）存儲器的一個一般的術語，它不用定期地刷新存儲器內容。這包括所有形式的只讀存儲器（ROM），像是可編程只讀存儲器（PROM）、可擦可編程只讀存儲器（EPROM）、電可擦除只讀存儲器（EEPROM）和快閃記憶體。它也包括電池供電的隨機存取儲存器（RAM）。

⑷ 什麼是非易失性存儲器

斷電後，所存儲的數據不會丟失的存儲器。
在許多常見的應用中，微處理器要求用非易失性存儲器來存放其可執行代碼、變數和其他暫態數據。rom、eprom或flash
memory(快閃記憶體)常被用來存放可執行代碼(因這些代碼不會被頻繁修改)

⑸ 存儲器可分為哪三類

存儲器不僅可以分為三類。因為按照不同的劃分方法，存儲器可分為不同種類。常見的分類方法如下。

一、按存儲介質劃分

1. 半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。

2. 磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。

二、按存儲方式劃分

1. 隨機存儲器：任何存儲單元的內容都能被隨機存取，且存取時間和存儲單元的物理位置無關。

2. 順序存儲器：只能按某種順序來存取，存取時間和存儲單元的物理位置有關。

三、按讀寫功能劃分

1. 只讀存儲器(ROM)：存儲的內容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導體存儲器。

2. 隨機讀寫存儲器(RAM)：既能讀出又能寫入的存儲器。

二、選用各種存儲器，一般遵循的選擇如下：

1、內部存儲器與外部存儲器

一般而言，內部存儲器的性價比最高但靈活性最低，因此用戶必須確定對存儲的需求將來是否會增長，以及是否有某種途徑可以升級到代碼空間更大的微控制器。基於成本考慮，用戶通常選擇能滿足應用要求的存儲器容量最小的微控制器。

2、引導存儲器

在較大的微控制器系統或基於處理器的系統中，用戶可以利用引導代碼進行初始化。應用本身通常決定了是否需要引導代碼，以及是否需要專門的引導存儲器。

3、配置存儲器

對於現場可編程門陣列(FPGA）或片上系統(SoC)，可以使用存儲器來存儲配置信息。這種存儲器必須是非易失性EPROM、EEPROM或快閃記憶體。大多數情況下，FPGA採用SPI介面，但一些較老的器件仍採用FPGA串列介面。

4、程序存儲器

所有帶處理器的系統都採用程序存儲器，但是用戶必須決定這個存儲器是位於處理器內部還是外部。在做出了這個決策之後，用戶才能進一步確定存儲器的容量和類型。

5、數據存儲器

與程序存儲器類似，數據存儲器可以位於微控制器內部，或者是外部器件，但這兩種情況存在一些差別。有時微控制器內部包含SRAM(易失性)和EEPROM(非易失)兩種數據存儲器，但有時不包含內部EEPROM，在這種情況下，當需要存儲大量數據時，用戶可以選擇外部的串列EEPROM或串列快閃記憶體器件。

6、易失性和非易失性存儲器

存儲器可分成易失性存儲器或者非易失性存儲器，前者在斷電後將丟失數據，而後者在斷電後仍可保持數據。用戶有時將易失性存儲器與後備電池一起使用，使其表現猶如非易失性器件，但這可能比簡單地使用非易失性存儲器更加昂貴。

7、串列存儲器和並行存儲器

對於較大的應用系統，微控制器通常沒有足夠大的內部存儲器。這時必須使用外部存儲器，因為外部定址匯流排通常是並行的，外部的程序存儲器和數據存儲器也將是並行的。

8、EEPROM與快閃記憶體

存儲器技術的成熟使得RAM和ROM之間的界限變得很模糊，如今有一些類型的存儲器（比如EEPROM和快閃記憶體）組合了兩者的特性。這些器件像RAM一樣進行讀寫，並像ROM一樣在斷電時保持數據，它們都可電擦除且可編程，但各自有它們優缺點。

參考資料來源：網路——存儲器

⑹ 幾種新型非易失性存儲器

關鍵詞： 非易失性存儲器；FeRAM；MRAM；OUM引言更高密度、更大帶寬、更低功耗、更短延遲時問、更低成本和更高可靠性是存儲器設計和製造者追求的永恆目標。根據這一目標，人們研究各種存儲技術，以滿足應用的需求。本文對目前幾種比較有競爭力和發展潛力的新型非易失性存儲器做了一個簡單的介紹。
圖1 MTJ元件結構示意圖鐵電存儲器(FeRAM)
鐵電存儲器是一種在斷電時不會丟失內容的非易失存儲器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優點。
當前應用於存儲器的鐵電材料主要有鈣鈦礦結構系列，包括PbZr1-xTixO3，SrBi2Ti2O9和Bi4-xLaxTi3O12等。鐵電存儲器的存儲原理是基於鐵電材料的高介電常數和鐵電極化特性，按工作模式可以分為破壞性讀出(DRO)和非破壞性讀出(NDRO)。DRO模式是利用鐵電薄膜的電容效應，以鐵電薄膜電容取代常規的存儲電荷的電容，利用鐵電薄膜的極化反轉來實現數據的寫入與讀取。鐵電隨機存取存儲器(FeRAM)就是基於DRO工作模式。這種破壞性的讀出後需重新寫入數據，所以FeRAM在信息讀取過程中伴隨著大量的擦除/重寫的操作。隨著不斷地極化反轉，此類FeRAM會發生疲勞失效等可靠性問題。目前，市場上的鐵電存儲器全部都是採用這種工作模式。

⑺ NVRAM是什麼

NVRAM 非易失性隨機訪問存儲器 (Non-Volatile Random Access Memory),是指斷電後仍能保持數據的一種RAM.如果通俗地解釋非易失性存儲器,那就是指那些斷電後數據仍然能保留的半導體存儲器.對這類存儲器,業界統稱為非易...

⑻ 開機出現checking nvram

NVRAM是非易失性隨機存儲器的意思，在電腦中就是內存，樓主遇到的問題是主板在檢測內存通不過，可能有幾個原因，一個是主板出現故障，另外可能是內存存在故障或者是顯卡故障，當然也有可能是內存槽中進入灰塵，導致接觸不良，你的問題是打雷造成的，估計設備損壞的可能居多，你可以換件測試。

下面是我在網上找的解釋：
CHECKING：檢查
NVRAM ：非易失性隨機訪問存儲器 (Non-Volatile Random Access Memory)，是指斷電後仍能保持數據的一種RAM。

如果通俗地解釋非易失性存儲器，那就是指斷電之後，所存儲的數據不丟失的隨機訪問存儲器。
之所以加如此的定語，是因為：
1.與此對應的隨機訪問存儲器（Random Access Memory，RAM）包含SRAM和DRAM（其又分為SDRAM，DDR SDRAM，DDR2 SDRAM ，RDRAM，Direct RDRAM），斷電之後信息就丟失了。其中，DRAM又分為SDRAM（由6個晶體管組成），DDR SDRAM（有一個晶體管組成），DDR2 SDRAM（利用電平脈沖的上升沿和下降沿傳輸數據，使得數據傳輸頻率相對於普通的DDR SDRAM加倍） ，和採用RSL技術的RDRAM，Direct RDRAM），
2.NVRAM可以隨機訪問。因此有些解釋中，說Flash是屬於NVRAM，是不準確的。因為從嚴格意義上來說，Flash分有兩種：nand flash和nor flash。其中的nor屬於是可以隨機訪問的，而nand flash不是真正的隨機訪問，屬於順序訪問（serial access）。

而目前常見的NVRAM，有兩種：
1.帶有備用電源的SRAM
2.藉助NVM（比如E2PROM）存儲SRAM的信息並恢復來實現非易失性。

對於我們身邊處處可見的U盤，數碼相機、可拍照手機、PDA、以及其中的存儲卡，如CF、SD等等，內部多數是採用的Nand Flash。
而Nor Flash 對用於嵌入式中少量系統等信息的存儲。
希望能給你帶來點幫助