新型的存儲器

❶ 磁旋存儲- 中電海康

磁旋存儲器是一種新型高端存儲器，其特點為納秒級讀寫速度、極高重寫次數、掉電數據不丟失、極好的抗輻射和抗惡劣環境能力、能耗低等。

直白點說，這是一個新的技術制高點。

中電海康成立了海康馳拓科技有限公司，全力推動以磁旋存儲器為代表的高端存儲晶元開發與產業化。

「除磁旋存儲器外，目前全球還沒有一個納秒級高端存儲晶元在掉電後數據不丟失的。」海康馳拓科技有限公司總經理、「國千」專家劉波博士告訴記者，磁旋存儲晶元產業化之後，在物聯網、醫療衛生、工控與車載電子、存儲器和伺服器及核心路由器、移動終端等領域有著廣泛的市場和發展前景。

❷ 幾種新型非易失性存儲器

關鍵詞： 非易失性存儲器；FeRAM；MRAM；OUM引言更高密度、更大帶寬、更低功耗、更短延遲時問、更低成本和更高可靠性是存儲器設計和製造者追求的永恆目標。根據這一目標，人們研究各種存儲技術，以滿足應用的需求。本文對目前幾種比較有競爭力和發展潛力的新型非易失性存儲器做了一個簡單的介紹。
圖1 MTJ元件結構示意圖鐵電存儲器(FeRAM)
鐵電存儲器是一種在斷電時不會丟失內容的非易失存儲器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優點。
當前應用於存儲器的鐵電材料主要有鈣鈦礦結構系列，包括PbZr1-xTixO3，SrBi2Ti2O9和Bi4-xLaxTi3O12等。鐵電存儲器的存儲原理是基於鐵電材料的高介電常數和鐵電極化特性，按工作模式可以分為破壞性讀出(DRO)和非破壞性讀出(NDRO)。DRO模式是利用鐵電薄膜的電容效應，以鐵電薄膜電容取代常規的存儲電荷的電容，利用鐵電薄膜的極化反轉來實現數據的寫入與讀取。鐵電隨機存取存儲器(FeRAM)就是基於DRO工作模式。這種破壞性的讀出後需重新寫入數據，所以FeRAM在信息讀取過程中伴隨著大量的擦除/重寫的操作。隨著不斷地極化反轉，此類FeRAM會發生疲勞失效等可靠性問題。目前，市場上的鐵電存儲器全部都是採用這種工作模式。

❸ U盤是什麼，有什麼用啊

U盤，全稱USB快閃記憶體檔，英文名「USB flash disk」。它是一種使用USB介面的無需物理驅動器的微型高容量移動存儲產品，通過USB介面與電腦連接，實現即插即用。

U盤的稱呼最早來源於朗科科技生產的一種新型存儲設備，名曰「優盤」，使用USB介面進行連接。U盤連接到電腦的USB介面後，U盤的資料可與電腦交換。

而之後生產的類似技術的設備由於朗科已進行專利注冊，而不能再稱之為「優盤」，而改稱諧音的「U盤」。

後來，U盤這個稱呼因其簡單易記而因而廣為人知，是移動存儲設備之一。現在市面上出現了許多支持多種埠的U盤，即三通U盤（USB電腦埠、iOS蘋果介面、安卓介面）。

(3)新型的存儲器擴展閱讀

1、存儲原理

計算機把二進制數字信號轉為復合二進制數字信號（加入分配、核對、堆棧等指令），讀寫到USB晶元適配介面，通過晶元處理信號分配給EEPROM存儲晶元的相應地址存儲二進制數據，實現數據的存儲。

EEPROM數據存儲器，其控制原理是電壓控制柵晶體管的電壓高低值，柵晶體管的結電容可長時間保存電壓值，斷電後能保存數據的原因主要就是在原有的晶體管上加入了浮動柵和選擇柵。在源極和漏極之間電流單向傳導的半導體上形成貯存電子的浮動柵。

浮動柵包裹著一層硅氧化膜絕緣體。它的上面是在源極和漏極之間控制傳輸電流的選擇/控制柵。數據是0或1取決於在硅底板上形成的浮動柵中是否有電子。有電子為0，無電子為1。

快閃記憶體就如同其名字一樣，寫入前刪除數據進行初始化。具體說就是從所有浮動柵中導出電子。即將有所數據歸「1」。寫入時只有數據為0時才進行寫入，數據為1時則什麼也不做。

寫入0時，向柵電極和漏極施加高電壓，增加在源極和漏極之間傳導的電子能量。這樣一來，電子就會突破氧化膜絕緣體，進入浮動柵。讀取數據時，向柵電極施加一定的電壓，電流大為1，電流小則定為0。

浮動柵沒有電子的狀態（數據為1）下，在柵電極施加電壓的狀態時向漏極施加電壓，源極和漏極之間由於大量電子的移動，就會產生電流。而在浮動柵有電子的狀態（數據為0）下，溝道中傳導的電子就會減少。因為施加在柵電極的電壓被浮動柵電子吸收後，很難對溝道產生影響。

2、注意事項

1、 U盤一般有防寫開關，但應該在U盤插入計算機介面之前切換，不要在U盤工作狀態下進行切換。

2、 U盤都有工作狀態指示燈，如果是一個指示燈，當插入主機介面時，燈亮表示接通電源，當燈閃爍時表示正在讀寫數據。如果是兩個指示燈，一般兩種顏色，一個在接通電源時亮，一個在U盤進行讀寫數據時亮。

有些U盤在系統拷貝進度條消失後仍然在工作狀態，嚴禁在讀寫狀態燈亮時拔下U盤。一定要等讀寫狀態指示燈停止閃爍或滅了才能拔下U盤。

3、有些品牌型號的U盤為文件分配表預留的空間較小，在拷貝大量單個小文件時容易報錯，這時可以停止拷貝，採取先把多個小文件壓縮成一個大文件的方法解決。

4、為了保護主板以及U盤的USB介面，預防變形以減少摩擦，如果對拷貝速度沒有要求，可以使用USB延長線，（一般都隨U盤贈送。如果需要買，盡量選擇知名品牌，線越粗越好。但不能超過3米，否則容易在拷貝數據時出錯。）注意USB延長線如果是USB1.1（USB2.0
Full Speed）的，速度會很慢。

5、 U盤的存儲原理和硬碟有很大出入，不要整理碎片，否則影響使用壽命。

6、U盤里可能會有U盤病毒，插入電腦時最好進行U盤殺毒。

7、新U盤買來最好做個U盤病毒免疫，可以很好的避免U盤中毒

8、u盤在電腦還未啟動起來（進入桌面以前）不要插在電腦上，否則可能造成電腦無法正常啟動。

❹ 使用量子力學技術的新型超低功耗存儲器或將取代DRAM和Flash

看到了當前的數字技術能源危機，蘭開斯特大學的研究人員開發出了一種可以解決這一問題的新型計算機並申請了專利。

這種新型的存儲器有望取代動態隨機存取存儲器（DRAM）和快閃記憶體（Flash）驅動器。強大且超低能耗計算時代即將來臨，你准備好了嗎？

研究人員對這一進展有充分的理由感到興奮。物聯網在家庭和辦公室的出現在很大程度上方便了我們的智能生活，但以數據為中心也將消耗大量的能源。無論是互聯智能設備、音箱還是其它的家用設備將需要能量來處理所有「數據」以提供最佳功能。

事實上，能源消耗是一個非常令人關切的問題，而高效率的照明和電器節省的能源實際上可以通過更多地使用計算機和小工具。根據一個研究預測，到2025年，數據洪流預計將消耗全球電力的五分之一。

新開發的電子存儲設備能夠以超低的能耗為服務所有人日常生活。這種低功耗意味著，存儲設備不需要啟動，甚至在按鍵切換時也可以立即進入節能模式。

正如蘭開斯特大學物理學教授Manus Hayne 所說，「通用存儲器穩定的存儲數據，輕易改存儲的數據被廣泛認為是不可行，甚至是不可能的，新的設備證明了其矛盾性。」

「理想的是結合兩者的優點而沒有缺點，這就是我們已經證明的。我們的設備有一個固有的數據存儲時間，預計超過宇宙的年齡，但它可以用比DRAM少100倍的能量存儲或刪除數據。」 Manus Hayne表示。

為了解決和創造這種新的存儲設備，研究人員使用量子力學來解決穩定的長期數據存儲和低能量寫入和擦除之間選擇的困境。

剛剛獲得專利的新設備和研究已經有幾家公司表示對此感興趣，新的存儲設備預計將取代1000億美元的動態隨機存取存儲器（DRAM）市場。

上述這種技術到底如何實現？雷鋒網找到了蘭開斯特大學的研究人員發表的《Room-temperature Operation of Low-voltage, Non-volatile, Compound-semiconctor Memory Cells》的論文，可以再進一步了解這個技術。

文章中指出，雖然不同形式的傳統（基於電荷）存儲器非常適合應用於計算機和其他電子設備，靜態隨機存取存儲器（SRAM），動態隨機存取存儲器（DRAM）和快閃記憶體（Flash）具有互補的特性，它們分別非常適合在高速緩存、動態存儲器和數據存儲中的發揮作用。然而，他們又都有自身的缺點。這就意味著市場需要新的存儲器，特別是，同時實現穩定性和快速、低壓（低能量）的矛盾要求已證明是具有挑戰性的。

研究團隊報告了一種基於III-V半導體異質結構的無氧化浮柵存儲器單元，其具有無結通道和存儲數據的非破壞性讀取。非易失性數據保留至少100000s ，通過使用InAs/AlSb的2.1eV導帶偏移和三勢壘共振隧穿結構，可以實現與≤2.6V的開關相結合。低電壓操作和小電容的組合意味著每單位面積的固有開關能量分別比動態隨機存取存儲器和快閃記憶體小100和1000倍。因此，該設備可以被認為是具有相當大潛力的新興存儲器。

具體結構方面，這是一種新型低壓，化合物半導體，基於電荷的非易失性存儲器件的概念進行設計、建模、製造適合室溫運行。利用AlSb / InAs驚人的導帶陣列進行電荷保持，以及形成諧振隧道勢壘，使研究團隊能夠證明低壓（低能耗）操作與非易變儲存。該器件是由InAs / AlSb / GaSb異質結構構成的FG存儲器結構，其中InAs用作FG和無結通道。研究團隊通過模擬驗證了器件的工作原理，並給出了器件的關鍵存儲特性，如編程/擦除狀態的保留特性，並給出了在單個元件上的實驗結果。

雷鋒網編譯，via interestingengineering、nature

❺ 請問什麼是fsmc

FSMC(Flexible Static Memory Controller，可變靜態存儲控制器)是STM32系列採用的一種新型的存儲器擴展技術。在外部存儲器擴展方面具有獨特的優勢，可根據系統的應用需要，方便地進行不同類型大容量靜態存儲器的擴展。

STM32是ST(意法半導體)公司推出的基於ARM內核Cortex－M3的32位微控制器系列。Cortex－M3內核是為低功耗和價格敏感的應用而專門設計的，具有突出的能效比和處理速度。

(5)新型的存儲器擴展閱讀

FSMC技術優勢：

①支持多種靜態存儲器類型。STM32通過FSMC可以與SRAM、ROM、PSRAM、NOR Flash和NANDFlash存儲器的引腳直接相連。

②支持豐富的存儲操作方法。FSMC不僅支持多種數據寬度的非同步讀/寫操作，而且支持對NOR/PSRAM/NAND存儲器的同步突發訪問方式。

③支持同時擴展多種存儲器。FSMC的映射地址空間中，不同的BANK是獨立的，可用於擴展不同類型的存儲器。當系統中擴展和使用多個外部存儲器時，FSMC會通過匯流排懸空延遲時間參數的設置，防止各存儲器對匯流排的訪問沖突。

④支持更為廣泛的存儲器型號。通過對FSMC的時間參數設置，擴大了系統中可用存儲器的速度范圍，為用戶提供了靈活的存儲晶元選擇空間。

⑤支持代碼從FSMC擴展的外部存儲器中直接運行，而不需要首先調入內部SRAM。

❻ 常見的外部存儲設備有哪些

1、軟盤

軟盤（Floppy Disk）是個人計算機（PC）中最早使用的可移介質。軟盤的讀寫是通過軟盤驅動器完成的。軟盤驅動器設計能接收可移動式軟盤，目前常用的就是容量為1.44MB的3.5英寸軟盤。

2、硬碟

硬碟是計算機最為重要的存儲設備，存放著用戶所有的數據信息，這些數據的價值遠遠高於硬碟本身，同時硬碟又是計算機的主要組成部分，其性能的好壞直接影響計算機的運行速度和用戶的操作體驗。

3、光碟

光碟是以光信息做為存儲的載體並用來存儲數據的一種物品。分不可擦寫光碟，如CD-ROM、DVD-ROM等；和可擦寫光碟，如CD-RW、DVD-RAM等。

光碟是利用激光原理進行讀、寫的設備，是迅速發展的一種輔助存儲器，可以存放各種文字、聲音、圖形、圖像和動畫等多媒體數字信息。

4、U盤

U盤，全稱USB快閃記憶體檔，英文名「USB flash disk」。它是一種使用USB介面的無需物理驅動器的微型高容量移動存儲產品，通過USB介面與電腦連接，實現即插即用。

5、移動硬碟

移動硬碟(Mobile Hard disk)顧名思義是以硬碟為存儲介質，計算機之間交換大容量數據，強調便攜性的存儲產品。移動硬碟多採用USB、IEEE1394等傳輸速度較快的介面，可以較高的速度與系統進行數據傳輸。

因為採用硬碟為存儲介質，因此移動硬碟在數據的讀寫模式與標准IDE硬碟是相同的。截至2015年，主流2.5英寸品牌移動硬碟的讀取速度約為50-100MB/s，寫入速度約為30-80MB/s。