非揮發性存儲包括

A. 半導體存儲器分哪兩類，區別是什麼

半導體存儲器可區分為揮發性和非揮發性存儲器兩大類。揮發性的如DRAM和SRAM，若其供應電源關閉，將會喪失所儲存的信息。相比之下，非揮發性存儲器卻能在電源供應關閉時保留所儲存的信息。

B. 存儲晶元包括

存儲晶元，是嵌入式系統晶元的概念在存儲行業的具體應用。因此，無論是系統晶元還是存儲晶元，都是通過在單一晶元中嵌入軟體，實現多功能和高性能，以及對多種協議、多種硬體和不同應用的支持。按照不同的技術，存儲器晶元可以細分為EPROM、EEPROM、SRAM、DRAM、FLASH、MASK ROM和FRAM等。
存儲器技術是一種不斷進步的技術，隨著各種專門應用不斷提出新的要求，新的存儲器技術也層出不窮，每一種新技術的出現都會使某種現存的技術走進歷史，因為開發新技術的初衷就是為了消除或減弱某種特定存儲器產品的不足之處。
例如，快閃記憶體技術脫胎於EEPROM，它的一個主要用途就是為了取代用於PC機BIOS的EEPROM晶元，以便方便地對這種計算機中最基本的代碼進行更新。 盡管目前非揮發性存儲器中最先進的就是快閃記憶體，但技術卻並未就此停步。
生產商們正在開發多種新技術，以便使快閃記憶體也擁有像DRAM和SDRAM那樣的高速、低價、壽命長等特點。總之，存儲器技術將會繼續發展，以滿足不同的應用需求。就PC市場來說，更高密度、更大帶寬、更低功耗、更短延遲時間、更低成本的主流DRAM技術將是不二之選。
而在其它非揮發性存儲器領域，供應商們正在研究快閃記憶體之外的各種技術，以便滿足不同應用的需求，未來必將有更多更新的存儲器晶元技術不斷涌現。

C. 內存晶元的種類有哪些

愛學習的小夥伴們，你們知道內存晶元有哪些種類嗎?不知道的話跟著我一起來學習了解內存晶元有哪些種類吧。

內存晶元有哪些種類

存儲器分類

簡稱：Cache

標准：Cache Memory

中文：高速緩存

高速緩存是隨機存取內存(RAM)的一種，其存取速度要比一般RAM來得快。當中央處理器

(CPU)處理數據時，它會先到高速緩存中尋找，如果數據因先前已經讀取而暫存其中，就不

需從內存中讀取數據。由於CPU的運行速度通常比主存儲器快，CPU若要連續存取內存的話，

必須等待數個機器周期造成浪費。所以提供“高速緩存”的目的是適應CPU的讀取速度。如

Intel的Pentium處理器分別在片上集成了容量不同的指令高速緩存和數據高速緩存，通稱為

L1高速緩存(Memory)。L2高速緩存則通常是一顆獨立的靜態隨機存取內存(SRAM)晶元。

簡稱：DDR

標准：Double Date Rate

中文：雙倍數據傳輸率

DDR系統時脈為100或133MHz，但是數據傳輸速率為系統時脈的兩倍，即200或266MHz，系統

使用3.3或3.5V的電壓。因為DDR SDRAM的速度增加，因此它的傳輸效能比同步動態隨機存取

內存(SDRAM)好。

DDR is the acronym for Double Data Rate Synchronous DRAM (SDRAM). DDR SDRAM

memory technology is an evolutionary technology derived from mature SDRAM

technology. The secret to DDR memory's high performance is its ability to

perform two data operations in one clock cycle - providing twice the throughput

of SDRAM

簡稱：DIMM

標准：Dual in Line Memory Mole

中文：雙直列內存條

DIMM是一個採用多塊隨機存儲器(RAM)晶元(Chip)焊接在一片PCB板上模塊，它實際上是一

種封裝技術。在PCB板的一邊緣上，每面有64叫指狀銅接觸條，兩面共有168條。DIMM可以分

為3.3V和5V兩種電壓，這其中又有含緩沖器以及不含緩沖器兩種，目前比較常見的是3.3V含

緩沖器類型，而DIMM還需要一個抹除式只讀存儲器(EPROM)供基本輸出入系統(BIOS)儲存各

種參數，讓晶元組(Chipset)達到最佳狀態。

簡稱：DRAM

標准：Dynamic Random Access Memory

中文：動態隨機存儲器

一般計算機系統使用的隨機存取內存(RAM)可分動態與靜態隨機存取內存(SRAM)兩種，差異

在於DRAM需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新，才能維系數據保存，SRAM的數據

則不需要刷新過程，在上電期間，數據不會丟失。

簡稱：ECC

標准：Error Checking and Correction)

在處理單位作錯誤偵測和改正所有的單一位的誤差，也可以作雙位或多位的誤差核對與改

正。

簡稱：EDO DRAM

標准：Extend Data Out Dynamic Random Access Memory

中文：EDO動態隨機存儲器

EDO DRAM也稱為Hyper Page Mode DRAM，這是一種可以增加動態隨機存取內存(DRAM)讀取

效能的存儲器，為了提高EDO DRAM的讀取效率，EDO DRAM可以保持資料輸出直到下一周期

CAS#之下降邊緣，而EDO DRAM的頻寬由100個兆位元組(MB)增加到了200MB。

簡稱：EEPROM

標准：Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory

中文：電子抹除式只讀存儲器

非揮發性存儲器。電源撤除後，儲存的信息(Data)依然存在，在特殊管腳上施加電壓，同

時輸出相應命令，就可以擦除內部數據。典型應用於如電視機、空調中，存儲用戶設置的參

數。

這種存儲器支持再線修改數據，每次寫數據之前，必須保證書寫單元被擦除干凈，寫一個數

據的大約時間在2-10ms之間。支持單位元組單元擦除功能。

簡稱：EPROM

標准：Erasable Programmable Read-Only Memory

中文：紫外擦除只讀存器

非揮發性存儲器。不需要電力來維持其內容，非常適合用作硬體當中的基本輸出入系統

(BIOS)。允許使用者以紫外線消除其中的程序重復使用。

這種存儲器不支持再線修改數據。

簡稱：Flash

標准：Memory

中文：閃爍存儲器

非揮發性存儲器。是目前在可在線可改寫的非揮發性存儲器中容量最大的存儲器。支持再

線修改數據，寫數據的速度比EEPROM提高1個數量級。

Flash應用於大容量的數據和程序存儲，如電子字典庫、固態硬碟、PDA上的操作系統等。

簡稱：FeRAM

標准：Ferroelectric random access memory

中文：鐵電存儲器

ferroelectric random access memory (FRAM) is a new generation of nonvolatile

memory that combines high-performance and low-power operation with the ability

to retain data without power.

FRAM has the fast read/write speed and low power of battery-backed SRAM and

eliminates the need for a battery

簡稱：MRAM

標准：Magnetoresistive Random Access Memory

中文：磁性隨機存儲器

磁性隨機存儲器是正在開發階段的，基於半導體(1T)和磁通道(magnetic tunnel

junction-MTJ)技術的固態存儲介質，屬於非揮發性晶元。主要開發廠商有IBM、Infineon

(英飛凌)、Cypress和Motorola(摩托羅拉)。其擦寫次數高於現有的Flash存儲器，可達

1015，讀寫時間可達70nS，

簡稱：RAM

標准：Random Access Memory

中文：隨機存儲器

隨機存取內存，是內存(Memory)的一種，由計算機CPU控制，是計算機主要的儲存區域，指

令和資料暫時存在這里。RAM是可讀可寫的內存，它幫助中央處理器 (CPU ) 工作，從鍵盤

(Keyboard ) 或滑鼠之類的來源讀取指令，幫助CPU把資料 (Data) 寫到一樣可讀可寫的輔

助內存 (Auxiliary Memory) ，以便日後仍可取用，也能主動把資料送到輸出裝置，例如打

印機、顯示器。 RAM的大小會影響計算的速度，RAM越大，所能容納的資料越多，CPU讀取的

速度越快。

簡稱：RDRAM

標准：Rambus DRAM

中文：Rambus動態隨機存儲器

這是一種主要用於影像加速的內存 (Memory ) ，提供了1000Mbps的傳送速率，作業時不會

間斷，比起動態隨機存取內存 (DRAM ) 的200mbps更加快速，當然價格比要DRAM貴。雖然

RDRA無法完全取代現有內存，不過因為匯流排 (BUS) 速度的需求，可以取代DRAM與靜態隨機

存取內存 (SRAM ) 。 SDRAM的運算速度為100赫茲 (Hz ) ，製造商展示的RDRAM則可達

600MHz，內存也只有8或9位 (bit ) 長，若將RDRAM並排使用，可以大幅增加頻寬

(Bandwidth) ，將內存增為32或64位。

簡稱：ROM

標准：Read Only Memory

中文：只讀存儲器

只讀存儲器，這種內存 (Memory ) 的內容任何情況下都不會改變，計算機與使用者只能讀

取保存在這里的指令，和使用儲存在ROM的數據，但不能變更或存入資料。 ROM被儲存在一

個非揮發性晶元上，也就是說，即使在關機之後記憶的內容仍可以被保存，所以這種內存多

用來儲存特定功能的程序或系統程序。 ROM儲存用來激活計算機的指令，開機的時候ROM提

供一連串的指令給中央處理單元進行測試，在最初的測試中，檢查RAM位置(location)以確

認其儲存數據的能力。此外其它電子組件包括鍵盤 (Keyboard ) 、計時迴路(timer

circuit)以及CPU本身也被納入CPU的測試中。

簡稱：SDRAM

標准：Synchronous Dynamic RAM

中文：同步動態隨機存儲器

SDRAM的運作時脈和微處理器 (Microprocessor) 同步，所以可以比EDO 動態記憶模塊

(EDO DRAM ) 的速度還快，採用3.3V電壓(EDO DRAM為5V)，168個接腳，還可以配合中央處

理器 (CPU ) 的外頻 (External Clock) ，而有66與100MHz不同的規格，100MHz的規格就是

大家所熟知的PC100內存 (Memory ) 。

簡稱：SIMM

標准：Single In-Line Memory Mole

中文：單直列內存模塊

內存(Memory )模塊的概念一直到80386時候才被應用在主機板(Mother Board)上，當時的

接腳主要為30個，可以提供8條資料 (Data) 存取線 (Access Line)，一次資料存取

(Access)為32個位元組，所以分為四條一組，因此80386以四條為一個單位。而今一條SIMM為

72Pins，不過只能提供32位元組的工作量，但是外部的數據匯流排(Data Bus)為64位元組(bite)，

因此一個主機板上必須有兩條SIMM才足以執行龐大的資料(Data)處理工作。

簡稱：SRAM

標准：Static Random Access Memory

中文：靜態隨機存儲器

SRAM製造方法與動態隨機存取內存(DRAM )不同，每個位使用6個晶體管(transistor)組

成，不需要不斷對晶體管周期刷新以保持數據丟失，其存取時間較短控制電路簡單，但製造

成本較高，單片難以做到DRAM那樣容量。

簡稱：VCM SDRAM

標准：Virtual Channel Memory SDRAM

中文：虛擬信道存儲器

1999年由於SDRAM在市場上大為缺貨，而由日本NEC恩益禧搭配一些主機板廠商及晶元組

(Chipset)業者，大力推廣所謂的VCM模塊技術，而為消費者廣為接受，日本NEC更希望一舉

將VCM的規格推向工業級標准。VCM內存規格是以SDRAM為基礎觀念所開發出的新產品，並加

強原有的SDRAM功能。昔日的SDRAM須等待中央處理器(CPU)處理完資料或VGA卡處理完資料

後，才能完整地送至SDRAM做進一步的處理，然而VCM的內部區分為16條虛擬信道Virtual

Channel)，每一個信道都負責一個單獨的memory master，因此可以減少內存(Memory)介面

的負擔，進而增加計算機使用者使用效率。 目前為全球第四大內存模塊廠商的宇瞻科技與

日本NEC技術合作，在台灣推出以PC133 (PC133) VCM內存模塊為設計的筆記型計算機，由於

VCM技術可以減少內存介面的負擔，以及本身低耗電的特性，相當適合筆記型計算機的運

D. 計算機中S1,S3,S4,S5各自的狀態是什麼

1、S1 =>Standby。即指說系統處於低電源供應狀態，在 windows or BIOS 中可設定螢幕訊號輸出關閉、 硬碟停止運轉進入待命狀態、電源燈號處於閃爍狀態。此時動一動滑鼠、按鍵盤任一鍵均可叫醒電腦。

2、S2 =>Power Standby，和 S1 幾乎是一樣，這時只剩下電源燈號一閃一閃的，其它和關機沒什麼兩樣。

3、S3 =>Suspend to RAM。即是把 windows 現在存在記憶體中的所有資料保存不動，然後進入「假關機」。此時除了記憶體需要電源來保持資料以外，其它的設備、裝置全部停止供電。也就是說，理論上可以把 CPU, PCI, AGP device 拿掉又插回去，電腦也可能正常完成開機及運作，只要不動到記憶體和電源的部份。

4、S4 =>Suspend to Disk。即是把 windows 記憶體中的資料完整的存在硬碟中。等開機時就直接從存這些資料的地方直接完整的讀到記憶體，不需要跑一堆應用程式。使用這種模式的話，硬碟一定要騰出一個完整的連續空間。Windows 98/SE 必需要用軟體去製作一個大檔案或是一個磁區來提供 win98/SE 執行 S4 這功能，WinME/2000/XP 本身就有製作一個大檔案來給 S4 功能用（在電源管理中有一個啟動休眠，就是這個啦） 。在啟動後，在 C: 下會看到一個和你電腦現有記憶體大小一樣的大檔案。

5、S5 =>Shutdown，電源供應器的風扇也停止運轉喔）重新開新後，電腦只是把記憶體的資料完整性確認後，即立刻會回到你進 S3 前的畫面。記得有人試過，在燒錄中啟動 S3 ，CDRW 還會自動啟動 Just-Link ，等你回復後它又自動繼續燒。

E. 硬碟屬於內存儲器還是外存儲器

硬碟屬於外存儲器。

硬碟（英語：Hard Disk Drive，簡稱HDD）是電腦上使用堅硬的旋轉碟片為基礎的非揮發性存儲設備，它在平整的磁性表面存儲和檢索數字數據，信息通過離磁性表面很近的磁頭，由電磁流來改變極性方式被電磁流寫到磁碟上，信息可以通過相反的方式讀取，例如讀頭經過紀錄數據的上方時磁場導致線圈中電氣信號的改變。硬碟的讀寫是採用隨機存取的方式，因此可以以任意順序讀取硬碟中的數據[2]。硬碟包括一至數片高速轉動的磁碟以及放在執行器懸臂上的磁頭。

早期的硬碟存儲介質是可替換的，不過今日典型的硬碟採用的是固定的存儲介質，碟片與磁頭被封裝在機身里（除了一個有過濾的氣孔，用來平衡工作時產生的熱量導致的氣壓差）。

硬碟是由IBM在1956年開始使用[3]，在1960年代初成為通用式電腦中主要的輔助存放設備，隨著技術的進步，硬碟也成為伺服器及個人電腦的主要組件。

硬碟按數據介面不同，大致分為ATA（IDE）和SATA以及SCSI和SAS。介面速度不是實際硬碟數據傳輸的速度，目前非基於快閃記憶體技術的硬碟數據實際傳輸速度一般不會超過300MB/s。

F. hdd硬碟 sata硬碟的區別

一、主體不同

1、hdd硬碟：是電腦上使用堅硬的旋轉碟片為基礎的非揮發性存儲設備。

2、sata硬碟：是一種以存儲器作為永久性存儲器的電腦存儲設備。

二、特點不同

1、hdd硬碟：在平整的磁性表面存儲和檢索數字數據，信息通過離磁性表面很近的磁頭，由電磁流來改變極性方式被電磁流寫到磁碟上。

2、sata硬碟：數據的存取主要由NAND Flash及其主控晶元來實現，沒有活動的機械部件，為純晶元結構。

二、工作噪音不同

1、hdd硬碟：有工作噪音。

2、sata硬碟：沒有工作噪音。

G. 什麼是揮發性存儲器非揮發性存儲器呢

1，揮發性存儲器（內存）RAM-RandomAccessMemory易揮發性隨機存取存儲器，高速存取，讀寫時間相等，且與地址無關，如計算機內存等。

隨機存取存儲器（random access memory，RAM）又稱作「隨機存儲器」，是與CPU直接交換數據的內部存儲器，也叫主存(內存)。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲媒介。

存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容，故主要用於存儲短時間使用的程序。 按照存儲單元的工作原理，隨機存儲器又分為靜態隨機存儲器（英文：Static RAM，SRAM)和動態隨機存儲器（英文Dynamic RAM，DRAM)。

2，非揮發性內存（英語：Non-volatile memory，縮寫為NVRAM）是指當電流關掉後，所儲存的資料不會消失者的電腦內存。非揮發性內存中，依內存內的資料是否能在使用電腦時隨時改寫為標准，可分為二大類產品，即ROM和Flash memory。

• 類型：

ROM

Read-only memory，只讀存儲器

PROM

Programmable read-only memory，可編程式只讀存儲器

EAROM

Electrically alterable read only memory，電可改寫只讀存儲器

EPROM

Erasable programmable read only memory，可擦可編程式只讀存儲器

EEPROM

Electrically erasable programmable read only memory，可電擦可編程式只讀存儲器

Flash memory

H. 存儲芯卡是揮發存儲器

揮發性存儲器和非揮發存儲器。
存儲晶元可分為揮發性存儲器和非揮發存儲器，其中非揮發存儲器包括EEPROM、FlashMemory等。
存儲晶元是半導體元器件中不可或缺的組成部分，幾乎存在於所有的電子設備中。

I. 計算機中S1,S3,S4,S5各自的狀態是什麼

S1--也稱為POS（Power on Suspend），這時除了通過CPU時鍾控制器將CPU關閉之外，其他的部件仍然正常工作，這時的功耗一般在30W以下；（其實有些CPU降溫軟體就是利用這種工作原理）

S2--這時CPU處於停止運作狀態，匯流排時鍾也被關閉，但其餘的設備仍然運轉；

S3--這就是我們熟悉的STR（Suspend to RAM），這時的功耗不超過10W；

S4--也稱為STD（Suspend to Disk），這時系統主電源關閉，硬碟存儲S4前數據信息，所以S4是比S3更省電狀態.

S5--這種狀態是最乾脆的，就是連電源在內的所有設備全部關閉，即關機（shutdown），功耗為0。

(9)非揮發性存儲包括擴展閱讀：

節電方式

1、(suspend即掛起)顯示屏自動斷電；只是主機通電。這時敲任意鍵即可恢復原來狀態。

2、（save to ram 或suspend to ram 即掛起到內存）系統把當前信息儲存在內存中，只有內存等幾個關鍵部件通電，這時計算機處在高度節電狀態，按任意鍵後，計算機從內存中讀取信息很快恢復到原來狀態。

3、（save to disk或suspend to disk即掛起到硬碟）計算機自動關機，關機前將當前數據存儲在硬碟上，用戶下次按開關鍵開機時計算機將無須啟動系統，直接從硬碟讀取數據，恢復原來狀態。