磁性隨機存儲器
㈠ 內存儲器分哪幾三類
1、按存儲介質分類
半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。
磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。
2、按存儲方式分類
隨機存儲器：任何存儲單元的內容都能被隨機存取，且存取時間和存儲單元的物理位置無關。
順序存儲器：只能按某種順序來存取，存取時間與存儲單元的物理位置有關。
3、按存儲器的讀寫功能分類
只讀存儲器(ROM)：存儲的內容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導體存儲器。
隨機讀寫存儲器(RAM)：既能讀出又能寫入的半導體存儲器。
4、按信息的可保存性分類
非永久記憶的存儲器：斷電後信息即消失的存儲器。
永久記憶性存儲器：斷電後仍能保存信息的存儲器。
5、按在計算機系統中的作用分類
主存儲器（內存）：用於存放活動的程序和數據，其速度高、容量較小、每位價位高。
輔助存儲器（外存儲器）：主要用於存放當前不活躍的程序和數據，其速度慢、容量大、每位價位低。
緩沖存儲器：主要在兩個不同工作速度的部件起緩沖作用。
㈡ 存儲器可分為哪三類
存儲器不僅可以分為三類。因為按照不同的劃分方法，存儲器可分為不同種類。常見的分類方法如下。
一、按存儲介質劃分
1. 半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。
2. 磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。
二、按存儲方式劃分
1. 隨機存儲器：任何存儲單元的內容都能被隨機存取，且存取時間和存儲單元的物理位置無關。
2. 順序存儲器：只能按某種順序來存取，存取時間和存儲單元的物理位置有關。
三、按讀寫功能劃分
1. 只讀存儲器(ROM)：存儲的內容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導體存儲器。
2. 隨機讀寫存儲器(RAM)：既能讀出又能寫入的存儲器。
二、選用各種存儲器，一般遵循的選擇如下：
1、內部存儲器與外部存儲器
一般而言，內部存儲器的性價比最高但靈活性最低，因此用戶必須確定對存儲的需求將來是否會增長，以及是否有某種途徑可以升級到代碼空間更大的微控制器。基於成本考慮，用戶通常選擇能滿足應用要求的存儲器容量最小的微控制器。
2、引導存儲器
在較大的微控制器系統或基於處理器的系統中，用戶可以利用引導代碼進行初始化。應用本身通常決定了是否需要引導代碼，以及是否需要專門的引導存儲器。
3、配置存儲器
對於現場可編程門陣列(FPGA）或片上系統(SoC)，可以使用存儲器來存儲配置信息。這種存儲器必須是非易失性EPROM、EEPROM或快閃記憶體。大多數情況下，FPGA採用SPI介面，但一些較老的器件仍採用FPGA串列介面。
4、程序存儲器
所有帶處理器的系統都採用程序存儲器，但是用戶必須決定這個存儲器是位於處理器內部還是外部。在做出了這個決策之後，用戶才能進一步確定存儲器的容量和類型。
5、數據存儲器
與程序存儲器類似，數據存儲器可以位於微控制器內部，或者是外部器件，但這兩種情況存在一些差別。有時微控制器內部包含SRAM(易失性)和EEPROM(非易失)兩種數據存儲器，但有時不包含內部EEPROM，在這種情況下，當需要存儲大量數據時，用戶可以選擇外部的串列EEPROM或串列快閃記憶體器件。
6、易失性和非易失性存儲器
存儲器可分成易失性存儲器或者非易失性存儲器，前者在斷電後將丟失數據，而後者在斷電後仍可保持數據。用戶有時將易失性存儲器與後備電池一起使用，使其表現猶如非易失性器件，但這可能比簡單地使用非易失性存儲器更加昂貴。
7、串列存儲器和並行存儲器
對於較大的應用系統，微控制器通常沒有足夠大的內部存儲器。這時必須使用外部存儲器，因為外部定址匯流排通常是並行的，外部的程序存儲器和數據存儲器也將是並行的。
8、EEPROM與快閃記憶體
存儲器技術的成熟使得RAM和ROM之間的界限變得很模糊，如今有一些類型的存儲器（比如EEPROM和快閃記憶體）組合了兩者的特性。這些器件像RAM一樣進行讀寫，並像ROM一樣在斷電時保持數據，它們都可電擦除且可編程，但各自有它們優缺點。
參考資料來源：網路——存儲器
㈢ MRAM是否可以按位元組讀寫
MRAM可以按位元組讀寫
mram也是內存的一種！這種內存的質量很好！比一般的RAM好！下面是MRAM的一些介紹：
MRAM
MRAM(Magnetic Random Access Memory) 是一種非揮發性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動態隨機存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
MRAM用TMR磁性體單元存儲數據
趨勢要點:隨著材料學的不斷進步, 一種新的磁阻內存(MRAM)正在吸引人們的目光。盡管還只是在實驗室存在,但是這種高速內存技術已經被視為DRAM內存的接班人，將會把「等待」這個詞徹底從電腦用戶的詞典中去掉。
DRAM的局限性
你是否很久以來都認為開機之後看著Windows進度條一次次滾過，爾後登錄、打開桌面這樣的過程是理所當然？
之所以每次開機時操作系統都需要重新做一遍內存初始化的操作，是因為現在普遍使用的內存都採用的是動態隨機存取技術(DRAM)的內存，像SDRAM、DDR和DDR II都屬於這種內存。使用了DRAM技術的內存的一個重要特點就是它們屬於揮發性內存(volatile memory)，也就是說一旦斷電，它裡面的數據就會消失。換句話說，DRAM內存裡面的數據之所以能夠存在，實際上是依靠不斷供電來刷新才得以保持的。
所以，操作系統在每次開機的時刻，總需要把一系列系統本身要使用的數據再次寫入內存，這就是開機等待時間里操作系統完成的工作。對於DRAM內存來說，如果要免除這個過程，供內存刷新的電力是不能斷的。所謂的休眠(sleep)，實際上計算機還在繼續耗電，只不過是比正常運行時少一些罷了。
㈣ 飛思卡爾mc9s12x中的RAM，FLASH,EEPROM的作用分別是什麼
flash用於存放程序代碼，eeprom的功能差不多，就是存儲機制不一樣而已，速度稍快，易擦寫，多用於存放掉電不丟失的數據，ram數據掉電丟失，但是速度很快，用於存放程序運行時候的變數等，希望可以幫到你哦
㈤ 內存晶元的種類有哪些
愛學習的小夥伴們，你們知道內存晶元有哪些種類嗎?不知道的話跟著我一起來學習了解內存晶元有哪些種類吧。
內存晶元有哪些種類
存儲器分類
簡稱：Cache
標准：Cache Memory
中文：高速緩存
高速緩存是隨機存取內存(RAM)的一種，其存取速度要比一般RAM來得快。當中央處理器
(CPU)處理數據時，它會先到高速緩存中尋找，如果數據因先前已經讀取而暫存其中，就不
需從內存中讀取數據。由於CPU的運行速度通常比主存儲器快，CPU若要連續存取內存的話，
必須等待數個機器周期造成浪費。所以提供“高速緩存”的目的是適應CPU的讀取速度。如
Intel的Pentium處理器分別在片上集成了容量不同的指令高速緩存和數據高速緩存，通稱為
L1高速緩存(Memory)。L2高速緩存則通常是一顆獨立的靜態隨機存取內存(SRAM)晶元。
簡稱：DDR
標准：Double Date Rate
中文：雙倍數據傳輸率
DDR系統時脈為100或133MHz，但是數據傳輸速率為系統時脈的兩倍，即200或266MHz，系統
使用3.3或3.5V的電壓。因為DDR SDRAM的速度增加，因此它的傳輸效能比同步動態隨機存取
內存(SDRAM)好。
DDR is the acronym for Double Data Rate Synchronous DRAM (SDRAM). DDR SDRAM
memory technology is an evolutionary technology derived from mature SDRAM
technology. The secret to DDR memory's high performance is its ability to
perform two data operations in one clock cycle - providing twice the throughput
of SDRAM
簡稱：DIMM
標准：Dual in Line Memory Mole
中文：雙直列內存條
DIMM是一個採用多塊隨機存儲器(RAM)晶元(Chip)焊接在一片PCB板上模塊，它實際上是一
種封裝技術。在PCB板的一邊緣上，每面有64叫指狀銅接觸條，兩面共有168條。DIMM可以分
為3.3V和5V兩種電壓，這其中又有含緩沖器以及不含緩沖器兩種，目前比較常見的是3.3V含
緩沖器類型，而DIMM還需要一個抹除式只讀存儲器(EPROM)供基本輸出入系統(BIOS)儲存各
種參數，讓晶元組(Chipset)達到最佳狀態。
簡稱：DRAM
標准：Dynamic Random Access Memory
中文：動態隨機存儲器
一般計算機系統使用的隨機存取內存(RAM)可分動態與靜態隨機存取內存(SRAM)兩種，差異
在於DRAM需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新，才能維系數據保存，SRAM的數據
則不需要刷新過程，在上電期間，數據不會丟失。
簡稱：ECC
標准：Error Checking and Correction)
在處理單位作錯誤偵測和改正所有的單一位的誤差，也可以作雙位或多位的誤差核對與改
正。
簡稱：EDO DRAM
標准：Extend Data Out Dynamic Random Access Memory
中文：EDO動態隨機存儲器
EDO DRAM也稱為Hyper Page Mode DRAM，這是一種可以增加動態隨機存取內存(DRAM)讀取
效能的存儲器，為了提高EDO DRAM的讀取效率，EDO DRAM可以保持資料輸出直到下一周期
CAS#之下降邊緣，而EDO DRAM的頻寬由100個兆位元組(MB)增加到了200MB。
簡稱：EEPROM
標准：Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory
中文：電子抹除式只讀存儲器
非揮發性存儲器。電源撤除後，儲存的信息(Data)依然存在，在特殊管腳上施加電壓，同
時輸出相應命令，就可以擦除內部數據。典型應用於如電視機、空調中，存儲用戶設置的參
數。
這種存儲器支持再線修改數據，每次寫數據之前，必須保證書寫單元被擦除干凈，寫一個數
據的大約時間在2-10ms之間。支持單位元組單元擦除功能。
簡稱：EPROM
標准：Erasable Programmable Read-Only Memory
中文：紫外擦除只讀存器
非揮發性存儲器。不需要電力來維持其內容，非常適合用作硬體當中的基本輸出入系統
(BIOS)。允許使用者以紫外線消除其中的程序重復使用。
這種存儲器不支持再線修改數據。
簡稱：Flash
標准：Memory
中文：閃爍存儲器
非揮發性存儲器。是目前在可在線可改寫的非揮發性存儲器中容量最大的存儲器。支持再
線修改數據，寫數據的速度比EEPROM提高1個數量級。
Flash應用於大容量的數據和程序存儲，如電子字典庫、固態硬碟、PDA上的操作系統等。
簡稱：FeRAM
標准：Ferroelectric random access memory
中文：鐵電存儲器
ferroelectric random access memory (FRAM) is a new generation of nonvolatile
memory that combines high-performance and low-power operation with the ability
to retain data without power.
FRAM has the fast read/write speed and low power of battery-backed SRAM and
eliminates the need for a battery
簡稱：MRAM
標准：Magnetoresistive Random Access Memory
中文：磁性隨機存儲器
磁性隨機存儲器是正在開發階段的，基於半導體(1T)和磁通道(magnetic tunnel
junction-MTJ)技術的固態存儲介質，屬於非揮發性晶元。主要開發廠商有IBM、Infineon
(英飛凌)、Cypress和Motorola(摩托羅拉)。其擦寫次數高於現有的Flash存儲器，可達
1015，讀寫時間可達70nS，
簡稱：RAM
標准：Random Access Memory
中文：隨機存儲器
隨機存取內存，是內存(Memory)的一種，由計算機CPU控制，是計算機主要的儲存區域，指
令和資料暫時存在這里。RAM是可讀可寫的內存，它幫助中央處理器 (CPU ) 工作，從鍵盤
(Keyboard ) 或滑鼠之類的來源讀取指令，幫助CPU把資料 (Data) 寫到一樣可讀可寫的輔
助內存 (Auxiliary Memory) ，以便日後仍可取用，也能主動把資料送到輸出裝置，例如打
印機、顯示器。 RAM的大小會影響計算的速度，RAM越大，所能容納的資料越多，CPU讀取的
速度越快。
簡稱：RDRAM
標准：Rambus DRAM
中文：Rambus動態隨機存儲器
這是一種主要用於影像加速的內存 (Memory ) ，提供了1000Mbps的傳送速率，作業時不會
間斷，比起動態隨機存取內存 (DRAM ) 的200mbps更加快速，當然價格比要DRAM貴。雖然
RDRA無法完全取代現有內存，不過因為匯流排 (BUS) 速度的需求，可以取代DRAM與靜態隨機
存取內存 (SRAM ) 。 SDRAM的運算速度為100赫茲 (Hz ) ，製造商展示的RDRAM則可達
600MHz，內存也只有8或9位 (bit ) 長，若將RDRAM並排使用，可以大幅增加頻寬
(Bandwidth) ，將內存增為32或64位。
簡稱：ROM
標准：Read Only Memory
中文：只讀存儲器
只讀存儲器，這種內存 (Memory ) 的內容任何情況下都不會改變，計算機與使用者只能讀
取保存在這里的指令，和使用儲存在ROM的數據，但不能變更或存入資料。 ROM被儲存在一
個非揮發性晶元上，也就是說，即使在關機之後記憶的內容仍可以被保存，所以這種內存多
用來儲存特定功能的程序或系統程序。 ROM儲存用來激活計算機的指令，開機的時候ROM提
供一連串的指令給中央處理單元進行測試，在最初的測試中，檢查RAM位置(location)以確
認其儲存數據的能力。此外其它電子組件包括鍵盤 (Keyboard ) 、計時迴路(timer
circuit)以及CPU本身也被納入CPU的測試中。
簡稱：SDRAM
標准：Synchronous Dynamic RAM
中文：同步動態隨機存儲器
SDRAM的運作時脈和微處理器 (Microprocessor) 同步，所以可以比EDO 動態記憶模塊
(EDO DRAM ) 的速度還快，採用3.3V電壓(EDO DRAM為5V)，168個接腳，還可以配合中央處
理器 (CPU ) 的外頻 (External Clock) ，而有66與100MHz不同的規格，100MHz的規格就是
大家所熟知的PC100內存 (Memory ) 。
簡稱：SIMM
標准：Single In-Line Memory Mole
中文：單直列內存模塊
內存(Memory )模塊的概念一直到80386時候才被應用在主機板(Mother Board)上，當時的
接腳主要為30個，可以提供8條資料 (Data) 存取線 (Access Line)，一次資料存取
(Access)為32個位元組，所以分為四條一組，因此80386以四條為一個單位。而今一條SIMM為
72Pins，不過只能提供32位元組的工作量，但是外部的數據匯流排(Data Bus)為64位元組(bite)，
因此一個主機板上必須有兩條SIMM才足以執行龐大的資料(Data)處理工作。
簡稱：SRAM
標准：Static Random Access Memory
中文：靜態隨機存儲器
SRAM製造方法與動態隨機存取內存(DRAM )不同，每個位使用6個晶體管(transistor)組
成，不需要不斷對晶體管周期刷新以保持數據丟失，其存取時間較短控制電路簡單，但製造
成本較高，單片難以做到DRAM那樣容量。
簡稱：VCM SDRAM
標准：Virtual Channel Memory SDRAM
中文：虛擬信道存儲器
1999年由於SDRAM在市場上大為缺貨，而由日本NEC恩益禧搭配一些主機板廠商及晶元組
(Chipset)業者，大力推廣所謂的VCM模塊技術，而為消費者廣為接受，日本NEC更希望一舉
將VCM的規格推向工業級標准。VCM內存規格是以SDRAM為基礎觀念所開發出的新產品，並加
強原有的SDRAM功能。昔日的SDRAM須等待中央處理器(CPU)處理完資料或VGA卡處理完資料
後，才能完整地送至SDRAM做進一步的處理，然而VCM的內部區分為16條虛擬信道Virtual
Channel)，每一個信道都負責一個單獨的memory master，因此可以減少內存(Memory)介面
的負擔，進而增加計算機使用者使用效率。 目前為全球第四大內存模塊廠商的宇瞻科技與
日本NEC技術合作，在台灣推出以PC133 (PC133) VCM內存模塊為設計的筆記型計算機，由於
VCM技術可以減少內存介面的負擔，以及本身低耗電的特性，相當適合筆記型計算機的運
㈥ 硬碟聯通驅動器是一種什麼存儲器
硬碟聯通驅動器是一種存儲容量存儲器。
數據傳輸是這樣的 硬碟-》硬碟緩存-》內存-》cpu緩存-》cpucpu-》cpu緩存-》內存-》硬碟緩存-》硬碟cache 是高速緩存而目前高速緩存 CPU（1級2級緩存）硬碟（12M緩存）自身都有緩存。
內存儲器訪問速度快，但是價格較責，存儲容量比外存儲器小。外存儲器單位存儲容量的價格便宜，存儲容量大，但是存取速度較慢。硬碟連同驅動器是磁性隨機存儲器，由於它的價格便宜，存儲容量大，存取速度較慢，所以通常作為外存儲器使用。
容量：
作為計算機系統的數據存儲器，容量是硬碟最主要的參數。
硬碟的容量以兆位元組（MB）或千兆位元組（GB）為單位，1GB=1024MB，1TB=1024GB。但硬碟廠商在標稱硬碟容量時通常取1G=1000MB，因此我們在BIOS中或在格式化硬碟時看到的容量會比廠家的標稱值要小。
硬碟的容量指標還包括硬碟的單碟容量。所謂單碟容量是指硬碟單片碟片的容量，單碟容量越大，單位成本越低，平均訪問時間也越短。對於用戶而言，硬碟的容量就像內存一樣，永遠只會嫌少不會嫌多。
Windows操作系統帶給我們的除了更為簡便的操作外，還帶來了文件大小與數量的日益膨脹，一些應用程序動輒就要吃掉上百兆的硬碟空間，而且還有不斷增大的趨勢。
㈦ 隨機存儲器是什麼
RAM（隨機存取存儲器）RAM -random access memory 隨機存儲器。存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容，故主要用於存儲短時間使用的程序。 按照存儲信息的不同，隨機存儲器又分為靜態隨機存儲器（Static RAM,SRAM)和動態隨機存儲器（Dynamic RAM,DRAM)。
㈧ 常見的非易失性存儲器有哪幾種
常見的非易失性存儲器有以下幾種：
一、可編程只讀內存：PROM（Programmable read-only memory）
其內部有行列式的鎔絲，可依用戶（廠商）的需要，利用電流將其燒斷，以寫入所需的數據及程序，鎔絲一經燒斷便無法再恢復，亦即數據無法再更改。
二、電可擦可編程只讀內存：EEPROM（Electrically erasable programmable read only memory）
電子抹除式可復寫只讀存儲器（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，EEPROM）之運作原理類似EPROM，但是抹除的方式是使用高電場來完成，因此不需要透明窗。
三、可擦可編程只讀內存：EPROM（Erasable programmable read only memory）
可利用高電壓將數據編程寫入，但抹除時需將線路曝光於紫外線下一段時間，數據始可被清空，再供重復使用。因此，在封裝外殼上會預留一個石英玻璃所制的透明窗以便進行紫外線曝光。
四、電可改寫只讀內存：EAROM（Electrically alterable read only memory）
內部所用的晶元與寫入原理同EPROM，但是為了節省成本，封裝上不設置透明窗，因此編程寫入之後就不能再抹除改寫。
五、快閃記憶體：Flash memory
是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式，允許在操作中被多次擦或寫的存儲器。這種科技主要用於一般性數據存儲，以及在電腦與其他數字產品間交換傳輸數據，如儲存卡與U盤。快閃記憶體是一種特殊的、以宏塊抹寫的EEPROM。早期的快閃記憶體進行一次抹除，就會清除掉整顆晶元上的數據。