內存式存儲

Ⅰ DV攝像機的存儲介質是什麼意思什麼是內存式和快閃記憶體式

存儲介質，就是用來存放拍攝或者錄制的圖片或者視頻，音頻文件的存放硬體。內存是指機器裡面自帶的部分。快閃記憶體的，是可以安裝取出的SD卡，或者索尼的記憶棒。其它的有用內置硬碟的，或者用刻錄光碟的。最後的一種不建議選擇。對於攝像的，存儲介質的讀寫速度，越快越好，太慢了的。會導致丟幀現象。影響拍攝的效果。

Ⅱ 按存儲內容內存分為哪幾種

經常見到的內存按出現的先後為：EDO,SD,DDR,DDR2,DDR3。

而實際上內存種類很多。

根據組成元件的不同，RAM內存又分為以下十八種：

01.DRAM（Dynamic RAM，動態隨機存取存儲器）：

這是最普通的RAM，一個電子管與一個電容器組成一個位存儲單元，DRAM將每個內存位作為一個電荷保存在位存儲單元中，用電容的充放電來做儲存動作，但因電容本身有漏電問題，因此必須每幾微秒就要刷新一次，否則數據會丟失。存取時間和放電時間一致，約為2~4ms。因為成本比較便宜，通常都用作計算機內的主存儲器。

02.SRAM（Static RAM，靜態隨機存取存儲器）

靜態，指的是內存裡面的數據可以長駐其中而不需要隨時進行存取。每6顆電子管組成一個位存儲單元，因為沒有電容器，因此無須不斷充電即可正常運作，因此它可以比一般的動態隨機處理內存處理速度更快更穩定，往往用來做高速緩存。

03.VRAM（Video RAM，視頻內存）

它的主要功能是將顯卡的視頻數據輸出到數模轉換器中，有效降低繪圖顯示晶元的工作負擔。它採用雙數據口設計，其中一個數據口是並行式的數據輸出入口，另一個是串列式的數據輸出口。多用於高級顯卡中的高檔內存。

04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速頁切換模式動態隨機存取存儲器）

改良版的DRAM，大多數為72Pin或30Pin的模塊。傳統的DRAM在存取一個BIT的數據時，必須送出行地址和列地址各一次才能讀寫數據。而FRM DRAM在觸發了行地址後，如果CPU需要的地址在同一行內，則可以連續輸出列地址而不必再輸出行地址了。由於一般的程序和數據在內存中排列的地址是連續的，這種情況下輸出行地址後連續輸出列地址就可以得到所需要的數據。FPM將記憶體內部隔成許多頁數Pages，從512B到數KB不等，在讀取一連續區域內的數據時，就可以通過快速頁切換模式來直接讀取各page內的資料，從而大大提高讀取速度。在96年以前，在486時代和PENTIUM時代的初期，FPM DRAM被大量使用。

05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸數據輸出動態隨機存取存儲器）

這是繼FPM之後出現的一種存儲器，一般為72Pin、168Pin的模塊。它不需要像FPM DRAM那樣在存取每一BIT 數據時必須輸出行地址和列地址並使其穩定一段時間，然後才能讀寫有效的數據，而下一個BIT的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。因此它可以大大縮短等待輸出地址的時間，其存取速度一般比FPM模式快15%左右。它一般應用於中檔以下的Pentium主板標准內存，後期的486系統開始支持EDO DRAM，到96年後期，EDO DRAM開始執行。。

06.BEDO DRAM（Burst Extended Data Out DRAM，爆發式延伸數據輸出動態隨機存取存儲器）

這是改良型的EDO DRAM，是由美光公司提出的，它在晶元上增加了一個地址計數器來追蹤下一個地址。它是突發式的讀取方式，也就是當一個數據地址被送出後，剩下的三個數據每一個都只需要一個周期就能讀取，因此一次可以存取多組數據，速度比EDO DRAM快。但支持BEDO DRAM內存的主板可謂少之又少，只有極少幾款提供支持（如VIA APOLLO VP2），因此很快就被DRAM取代了。

07.MDRAM（Multi-Bank DRAM，多插槽動態隨機存取存儲器）

MoSys公司提出的一種內存規格，其內部分成數個類別不同的小儲存庫 (BANK)，也即由數個屬立的小單位矩陣所構成，每個儲存庫之間以高於外部的資料速度相互連接，一般應用於高速顯示卡或加速卡中，也有少數主機板用於L2高速緩存中。

08.WRAM（Window RAM，窗口隨機存取存儲器）

韓國Samsung公司開發的內存模式，是VRAM內存的改良版，不同之處是它的控制線路有一、二十組的輸入/輸出控制器，並採用EDO的資料存取模式,因此速度相對較快，另外還提供了區塊搬移功能（BitBlt），可應用於專業繪圖工作上。

09.RDRAM（Rambus DRAM，高頻動態隨機存取存儲器）

Rambus公司獨立設計完成的一種內存模式，速度一般可以達到500~530MB/s，是DRAM的10倍以上。但使用該內存後內存控制器需要作相當大的改變，因此它們一般應用於專業的圖形加速適配卡或者電視游戲機的視頻內存中。

10.SDRAM（Synchronous DRAM，同步動態隨機存取存儲器）

這是一種與CPU實現外頻Clock同步的內存模式，一般都採用168Pin的內存模組，工作電壓為3.3V。 所謂clock同步是指內存能夠與CPU同步存取資料，這樣可以取消等待周期，減少數據傳輸的延遲，因此可提升計算機的性能和效率。

11.SGRAM（Synchronous Graphics RAM，同步繪圖隨機存取存儲器）

SDRAM的改良版，它以區塊Block，即每32bit為基本存取單位，個別地取回或修改存取的資料，減少內存整體讀寫的次數，另外還針對繪圖需要而增加了繪圖控制器，並提供區塊搬移功能（BitBlt），效率明顯高於SDRAM。

12.SB SRAM（Synchronous Burst SRAM，同步爆發式靜態隨機存取存儲器）

一般的SRAM是非同步的，為了適應CPU越來越快的速度，需要使它的工作時脈變得與系統同步，這就是SB SRAM產生的原因。

13.PB SRAM（Pipeline Burst SRAM，管線爆發式靜態隨機存取存儲器）

CPU外頻速度的迅猛提升對與其相搭配的內存提出了更高的要求，管線爆發式SRAM取代同步爆發式SRAM成為必然的選擇，因為它可以有效地延長存取時脈，從而有效提高訪問速度。

14.DDR SDRAM（Double Data Rate二倍速率同步動態隨機存取存儲器）

作為SDRAM的換代產品，它具有兩大特點：其一，速度比SDRAM有一倍的提高；其二，採用了DLL（Delay Locked Loop：延時鎖定迴路）提供一個數據濾波信號。這是目前內存市場上的主流模式。

15.SLDRAM （Synchronize Link，同步鏈環動態隨機存取存儲器）

這是一種擴展型SDRAM結構內存，在增加了更先進同步電路的同時，還改進了邏輯控制電路，不過由於技術顯示，投入實用的難度不小。
16.CDRAM（CACHED DRAM，同步緩存動態隨機存取存儲器）

這是三菱電氣公司首先研製的專利技術，它是在DRAM晶元的外部插針和內部DRAM之間插入一個SRAM作為二級CACHE使用。當前，幾乎所有的CPU都裝有一級CACHE來提高效率，隨著CPU時鍾頻率的成倍提高，CACHE不被選中對系統性能產生的影響將會越來越大，而CACHE DRAM所提供的二級CACHE正好用以補充CPU一級CACHE之不足，因此能極大地提高CPU效率。

17.DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM，第二代同步雙倍速率動態隨機存取存儲器)

DDRII 是DDR原有的SLDRAM聯盟於1999年解散後將既有的研發成果與DDR整合之後的未來新標准。DDRII的詳細規格目前尚未確定。

18.DRDRAM (Direct Rambus DRAM)

是下一代的主流內存標准之一，由Rambus 公司所設計發展出來，是將所有的接腳都連結到一個共同的Bus，這樣不但可以減少控制器的體積，已可以增加資料傳送的效率。

Ⅲ 請問MP3的存儲介質快閃記憶體式和內存式有什麼區別，哪個好呀

MP3隻分硬碟式和快閃記憶體的
個人推薦大容量的快閃記憶體型，硬碟型工作壽命在哪裡擺著，硬碟型工作原理是轉動後將數據讀取到它的緩存里(大概5M左右)要是你光聽一首歌，硬碟不會轉，要是你一首首換著聽，硬碟會轉動，從而損耗盤面，要是在顛簸的路上，有可能出問題。。
個人推薦快閃記憶體型
不過硬碟型也沒社么脆弱，不過是相對於快閃記憶體型而言的

Ⅳ 什麼是內存的存儲方式

我在回答你的上一個問題中有提到，內存的類型主要有3種
SDRAM
DDR（包括DDR2）
和RDRAM，這三中類型本身就代表著他的存儲方式不同，具體不同請參照我回答你的上一個問題中對每一中存儲類型的解釋。

Ⅳ 什麼是內存的存儲方式

我在回答你的上一個問題中有提到，內存的類型主要有3種 SDRAM DDR（包括DDR2） 和RDRAM，這三中類型本身就代表著他的存儲方式不同，具體不同請參照我回答你的上一個問題中對每一中存儲類型的解釋。

Ⅵ 內存卡儲存的原理

1、FLASH 晶元 是應用非常廣泛的存儲材料，與之容易混淆的是 RAM晶元 ，我們經常在有關IT的文章裡面談到這兩種晶元。由於它們的工作條件與方式不一樣，決定它們性能和用途也有差異。 這里簡單介紹一下它們的工作原理。首先介紹一下計算機的信息是怎樣儲存的。計算機用的是二進制，也就是0與1。在二進制中，0與1可以組成任何數。而電腦的器件都有兩種狀態，可以表示0與1。比如三極體的斷電與通電，磁性物質的已被磁化與未被磁化，物質平面的凹與凸，都可以表示0與1。 硬碟( FLASH晶元）—— 硬碟就是採用磁性物質記錄信息的，磁碟上的磁性物質被磁化了就表示1，未被磁化就表示0，因為磁性在斷電後不會喪失，所以磁碟斷電後依然能保存數據。而內存的儲存形式則不同，內存不是用磁性物質，而是用RAM晶元。現在請你在一張紙上畫一個「田」，就是畫一個正方形再平均分成四份，這個「田」字就是一個內存，這樣，「田」裡面的四個空格就是內存的儲存空間了，這個儲存空間極小極小，只能儲存電子 內存（RAM晶元） ——內存通電後，如果我要把「1010」這個信息保存在內存（現在畫的「田」字）中，那麼電子就會進入內存的儲存空間里。「田」字的第一個空格你畫一點東西表示電子，第二個空格不用畫東西，第三個空格又畫東西表示電子，第四個格不畫東西。這樣，「田」的第一格有電子，表示1，第二格沒有，表示0，第三格有電子，表示1，第四格沒有，表示0，內存就是這樣把「1010」這個數據保存好了。電子是運動沒有規律的物質，必須有一個電源才能規則地運動，內存通電時它很安守地在內存的儲存空間里，一旦內存斷電，電子失去了電源，就會露出它亂雜無章的本分，逃離出內存的空間去，所以，內存斷電就不能保存數據了。 再看看U盤、MP3，它們的儲存晶元是Flash晶元，它與RAM晶元的工作原理相似但不同。現在你在紙上再畫一個「田」字，這次要在四個空格中各畫一個頂格的圓圈，這個圓圈不是表示電子，而是表示一種物質。好，Flash晶元工作通電了，這次也是保存「1010」這個數據。電子進入了「田」的第一個空格，也就是晶元的儲存空間。電子把裡面的物質改變了性質，為了表示這個物質改變了性質，你可以把「田」內的第一個圓圈塗上顏色。由於數據「1010」的第二位數是0，所以Flash晶元的第二個空間沒有電子，自然裡面那個物質就不會改變了。第三位數是1，所以「田」的第三個空格通電，第四個不通電。現在你畫的「田」字，第一個空格的物質塗上了顏色，表示這個物質改變了性質，表示1，第二個沒有塗顏色，表示0，以此類推。當Flash晶元斷電後，物質的性質不會改變了，除非你通電擦除。當Flash晶元通電查看儲存的信息時，電子就會進入儲存空間再反饋信息，電腦就知道晶元裡面的物質有沒有改變。就是這樣，RAM晶元斷電後數據會丟失，Flash晶元斷電後數據不會丟失，還有一點RAM的讀取數據速度遠遠快於Flash晶元，所以運行游戲、程序速度快慢看的是RAM，也就是動態內存，而FLASH的大小並不影響運行速度。
3、FLASH 晶元 是應用非常廣泛的存儲材料，與之容易混淆的是 RAM晶元 ，我們經常在有關IT的文章裡面談到這兩種晶元。由於它們的工作條件與方式不一樣，決定它們性能和用途也有差異。 這里簡單介紹一下它們的工作原理。首先介紹一下計算機的信息是怎樣儲存的。計算機用的是二進制，也就是0與1。在二進制中，0與1可以組成任何數。而電腦的器件都有兩種狀態，可以表示0與1。比如三極體的斷電與通電，磁性物質的已被磁化與未被磁化，物質平面的凹與凸，都可以表示0與1。 硬碟( FLASH晶元）—— 硬碟就是採用磁性物質記錄信息的，磁碟上的磁性物質被磁化了就表示1，未被磁化就表示0，因為磁性在斷電後不會喪失，所以磁碟斷電後依然能保存數據。而內存的儲存形式則不同，內存不是用磁性物質，而是用RAM晶元。現在請你在一張紙上畫一個「田」，就是畫一個正方形再平均分成四份，這個「田」字就是一個內存，這樣，「田」裡面的四個空格就是內存的儲存空間了，這個儲存空間極小極小，只能儲存電子 內存（RAM晶元） ——內存通電後，如果我要把「1010」這個信息保存在內存（現在畫的「田」字）中，那麼電子就會進入內存的儲存空間里。「田」字的第一個空格你畫一點東西表示電子，第二個空格不用畫東西，第三個空格又畫東西表示電子，第四個格不畫東西。這樣，「田」的第一格有電子，表示1，第二格沒有，表示0，第三格有電子，表示1，第四格沒有，表示0，內存就是這樣把「1010」這個數據保存好了。電子是運動沒有規律的物質，必須有一個電源才能規則地運動，內存通電時它很安守地在內存的儲存空間里，一旦內存斷電，電子失去了電源，就會露出它亂雜無章的本分，逃離出內存的空間去，所以，內存斷電就不能保存數據了。再看看U盤、MP3，它們的儲存晶元是Flash晶元，它與RAM晶元的工作原理相似但不同。現在你在紙上再畫一個「田」字，這次要在四個空格中各畫一個頂格的圓圈，這個圓圈不是表示電子，而是表示一種物質。好，Flash晶元工作通電了，這次也是保存「1010」這個數據。電子進入了「田」的第一個空格，也就是晶元的儲存空間。電子把裡面的物質改變了性質，為了表示這個物質改變了性質，你可以把「田」內的第一個圓圈塗上顏色。由於數據「1010」的第二位數是0，所以Flash晶元的第二個空間沒有電子，自然裡面那個物質就不會改變了。第三位數是1，所以「田」的第三個空格通電，第四個不通電。現在你畫的「田」字，第一個空格的物質塗上了顏色，表示這個物質改變了性質，表示1，第二個沒有塗顏色，表示0，以此類推。當Flash晶元斷電後，物質的性質不會改變了，除非你通電擦除。當Flash晶元通電查看儲存的信息時，電子就會進入儲存空間再反饋信息，電腦就知道晶元裡面的物質有沒有改變。就是這樣，RAM晶元斷電後數據會丟失，Flash晶元斷電後數據不會丟失，還有一點RAM的讀取數據速度遠遠快於Flash晶元，所以運行游戲、程序速度快慢看的是RAM，也就是動態內存，而FLASH的大小並不影響運行速度。

Ⅶ 內存存儲數據，是怎麼存儲的存儲的是什麼樣的數據是101001010010之類的嗎

1、內存條是一個非常精密的部件，包含了上億個電子元器件，它們很小，達到了納米級別。這些元器件，實際上就是電路；電路的電壓會變化，要麼是 0V，要麼是 5V，只有這兩種電壓。5V 是通電，用1來表示，0V 是斷電，用0來表示。所以，一個元器件有2種狀態，0 或者 1。

2、我們通過電路來控制這些元器件的通斷電，會得到很多0、1的組合。例如，8個元器件有 28=256 種不同的組合，16個元器件有 216=65536 種不同的組合。雖然一個元器件只能表示2個數值，但是多個結合起來就可以表示很多數值了。

3、我們可以給每一種組合賦予特定的含義，例如，可以分別用 1101000、00011100、11111111、00000000、01010101、10101010 來表示 我、是、一、個、 好、人這幾個字，那麼結合起來 1101000 00011100 11111111 00000000 01010101 10101010 就表示「我是一個好人」

4、一般情況下我們不一個一個的使用元器件，而是將8個元器件看做一個單位，即使表示很小的數，例如 1，也需要8個，也就是 00000001。1個元器件稱為1比特（Bit）或1位，8個元器件稱為1位元組（Byte），那麼16個元器件就是2Byte，32個就是4Byte，以此類推：

8×1024個元器件就是1024Byte，簡寫為1KB；

8×1024×1024個元器件就是1024KB，簡寫為1MB；

8×1024×1024×1024個元器件就是1024MB，簡寫為1GB。

5、介紹一下單位換算：

1Byte = 8 Bit

1KB = 1024Byte = 210Byte

1MB = 1024KB = 220Byte

1GB = 1024MB = 230Byte

1TB = 1024GB = 240Byte

1PB = 1024TB = 250Byte

1EB = 1024PB = 260Byte

6、我們平時使用計算機時，通常只會設計到 KB、MB、GB、TB 這幾個單位，PB 和 EB 這兩個高級單位一般在大數據處理過程中才會用到。

7、在內存中沒有abc這樣的字元，也沒有gif、jpg這樣的圖片，只有0和1兩個數字，計算機也只認識0和1。所以，計算機使用二進制，而不是我們熟悉的十進制，寫入內存中的數據，都會被轉換成0和1的組合。

Ⅷ 內存存儲和硬碟存儲有啥區別呢

硬碟與內存的區別是很大的，這里只談最主要的三點：一、內存是計算機的工作場所，硬碟用來存放暫時不用的信息。二、內存是半導體材料製作，硬碟是磁性材料製作。三、內存中的信息會隨掉電而丟失，硬碟中的信息可以長久保存。

內存與硬碟的聯系也非常密切：這里只提一點：硬碟上的信息永遠是暫時不用的，要用嗎？請裝入內存！CPU與硬碟不發生直接的數據交換，CPU只是通過控制信號指揮硬碟工作，硬碟上的信息只有在裝入內存後才能被處理。

計算機的啟動過程就是一個從硬碟上把最常用信息裝入內存的過程。