正常速度讀取的存儲器
❶ 讀寫最快的存儲器
通常來說,內存速度最快,但不排除特殊情況,比如nvme固態硬碟要比幾年前ddr2內存還快,不過nvme固態延遲ms級,內存延遲是nm級,固態還是不能取代內存的。但是最快的要屬CPU中的緩存,一級緩存最快,比內存還快幾百上千倍,其次是二級緩存,三級緩存。也有部分CPU設計了四級緩存,速度類推。
儲存卡讀寫速度的快慢是有差異的,對於內存卡來說,讀寫速度是以class做標志的,市面上比較常見的有三種,分別是C4、C6、C10。分別表示最低寫入速度為4M/s、6M/s、10M。C4等級為最常見的內存卡,C6/C8為高速卡,通常能良好滿足相機等設備高速連拍、高清攝像。
資料拓展:
存儲器單元實際上是時序邏輯電路的一種。按存儲器的使用類型可分為只讀存儲器(ROM)和隨機存取存儲器(RAM),兩者的功能有較大的區別,因此在描述上也有所不同。
存儲器是許多存儲單元的集合,按單元號順序排列。每個單元由若干三進制位構成,以表示存儲單元中存放的數值,這種結構和數組的結構非常相似,故在VHDL語言中,通常由數組描述存儲器。
存儲器的主要功能是存儲程序和各種數據,並能在計算機運行過程中高速、自動地完成程序或數據的存取。存儲器是具有「記憶」功能的設備,它採用具有兩種穩定狀態的物理器件來存儲信息。這些器件也稱為記憶元件。
❷ 以下哪一種儲存器存儲速度最快A軟盤 B硬碟 C光碟 D內存
現在的答案是可能是硬碟。
你沒有看錯!
前面有好多人說是內存最快,那是因為貧窮限制了他們的想像,它們的知識已經跟不上發展。
廢話不多說,我給你發一張我昨天剛剛組建成功的陣列磁碟數據圖。
我用了兩個三星980Pro,組建了raid0陣列磁碟。
有圖有真相自己看,至於內存的傳輸速度,你找一找知道了。
❸ 又能讀又能寫、且存取速度快的村儲器是什麼
這個叫隨機存取存儲器。它可以隨時讀寫(刷新時除外),而且速度很快,通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲介質。RAM工作時可以隨時從任何一個指定的地址寫入(存入)或讀出(取出)信息。
當存儲器中的數據被讀取或寫入時,所需要的時間與這段信息所在的位置或所寫入的位置無關。相對的,讀取或寫入順序訪問(Sequential Access)存儲設備中的信息時,其所需要的時間與位置就會有關系。它主要用來存放操作系統、各種應用程序、數據等。
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現代ram依靠電容器來存儲數據。電容充電子表1(二進制),不充電代表0。由於電容器或多或少地存在泄漏,如果不進行特殊處理,數據將逐漸丟失。刷新是指周期性地讀取電容器的狀態,然後根據原始狀態對電容器進行充電,以彌補失去的電荷。刷新的需要解釋了ram的波動性。
dram利用電容電荷存儲原理來存儲信息。電路簡單,集成度高。由於任何一個電容器都有泄漏電流,當電容器充電時,電容器在一段時間內放電會導致電荷的丟失,從而導致存儲信息的丟失。
❹ 下列有關存儲器讀寫速度的排列,正確的是()
答案是B,Cache>RAM>硬碟>軟盤。
Cache:高速緩沖存儲器(Cache)是位於cpu和內存之間的存儲器,是一個讀寫速度比內存更快的存儲器,當cpu向內存中讀取或寫入數據的時候買這些數據也會存入Cache中。
當cup再需要這些數據的時候,就會直接去Cache中讀取,而不是內存中,當然,若需要的數據在Cache中沒有,cpu會再去內存中讀取。
RAM:隨機存儲器(Random Access Memory)表示既可以從中讀取數據,也可以寫入數據。當機器電源關閉時,存於其中的數據就會丟失。我們通常購買或升級的內存條就是用作電腦的內存。
內存條(SIMM)就是將RAM集成塊集中在一起的一小塊電路板,它插在計算機中的內存插槽上,以減少RAM集成塊佔用的空間。目前市場上常見的內存條有4M/條、8M/條、16M/條等。
硬碟:傳輸速率(Data Transfer Rate)硬碟的數據傳輸率是指硬碟讀寫數據的速度,單位為兆位元組每秒(MB/s)。硬碟數據傳輸率又包括了內部數據傳輸率和外部數據傳輸率。
內部傳輸率(Internal Transfer Rate) 也稱為持續傳輸率(Sustained Transfer Rate),它反映了硬碟緩沖區未用時的性能。內部傳輸率主要依賴於硬碟的旋轉速度。
外部傳輸率(External Transfer Rate)也稱為突發數據傳輸率(Burst Data Transfer Rate)或介面傳輸率,它標稱的是系統匯流排與硬碟緩沖區之間的數據傳輸率,外部數據傳輸率與硬碟介面類型和硬碟緩存的大小有關。
Fast ATA介面硬碟的最大外部傳輸率為16.6MB/s,而Ultra ATA介面的硬碟則達到33.3MB/s。
軟式磁碟驅動器則稱FDD,軟碟片是覆蓋磁性塗料的塑料片,用來儲存數據文件,磁碟片的容量有5.25」的1.2MB,3.5」的1.44MB。
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選用基本原則:
1.內部存儲器與外部存儲器
當確定了存儲程序代碼和數據所需要的存儲空間之後,設計工程師將決定是採用內部存儲器還是外部存儲器。
通常情況下,內部存儲器的性價比最高但靈活性最低,因此設計工程師必須確定對存儲的需求將來是否會增長,以及是否有某種途徑可以升級到代碼空間更大的微控制器。
2.引導存儲器
在較大的微控制器系統或基於處理器的系統中,設計工程師可以利用引導代碼進行初始化。應用本身通常決定了是否需要引導代碼,以及是否需要專門的引導存儲器。某些微控制器既有內部存儲器也有外部定址匯流排,在這種情況下,引導代碼將駐留在內部存儲器中,而操作代碼在外部存儲器中。
3.配置存儲器
對於現場可編程門陣列(FPGA)或片上系統(SoC),人們使用存儲器來存儲配置信息。這種存儲器必須是非易失性EPROM、EEPROM或快閃記憶體。
大多數情況下,FPGA採用SPI介面,但一些較老的器件仍採用FPGA串列介面。串列EEPROM或快閃記憶體器件最為常用,EPROM用得較少。
4.程序存儲器
所有帶處理器的系統都採用程序存儲器,但設計工程師必須決定這個存儲器是位於處理器內部還是外部。在做出了這個決策之後,設計工程師才能進一步確定存儲器的容量和類型。
在大多數嵌入式系統中,人們利用快閃記憶體存儲程序以便在線升級固件。代碼穩定的較老的應用系統仍可以使用ROM和OTP存儲器,但由於快閃記憶體的通用性,越來越多的應用系統正轉向快閃記憶體。
5.數據存儲器
與程序存儲器類似,數據存儲器可以位於微控制器內部,或者是外部器件,但這兩種情況存在一些差別。
有時微控制器內部包含SRAM(易失性)和EEPROM(非易失)兩種數據存儲器,但有時不包含內部EEPROM,在這種情況下,當需要存儲大量數據時,設計工程師可以選擇外部的串列EEPROM或串列快閃記憶體器件。
當需要外部高速數據存儲器時,通常選擇並行SRAM並使用外部串列EEPROM器件來滿足對非易失性存儲器的要求。一些設計還將快閃記憶體器件用作程序存儲器,但保留一個扇區作為數據存儲區。這種方法可以降低成本、空間並提供非易失性數據存儲器。
針對非易失性存儲器要求,串列EEPROM器件支持I2C、SPI或微線(Microwire)通訊匯流排,而串列快閃記憶體通常使用SPI匯流排。由於寫入速度很快且帶有I2C和SPI串列介面,FRAM在一些系統中得到應用。
6.易失性和非易失性存儲器
存儲器可分成易失性存儲器或者非易失性存儲器,前者在斷電後將丟失數據,而後者在斷電後仍可保持數據。設計工程師有時將易失性存儲器與後備電池一起使用,使其表現猶如非易失性器件,但這可能比簡單地使用非易失性存儲器更加昂貴。
在有連續能量供給的系統中,易失性或非易失性存儲器都可以使用,但必須基於斷電的可能性做出最終決策。如果存儲器中的信息可以在電力恢復時從另一個信源中恢復出來,則可以使用易失性存儲器。
選擇易失性存儲器與電池一起使用的另一個原因是速度。盡管非易失存儲器件可以在斷電時保持數據,但寫入數據(一個位元組、頁或扇區)的時間較長。
7.串列存儲器和並行存儲器
在定義了應用系統之後,微控制器的選擇是決定選擇串列或並行存儲器的一個因素。對於較大的應用系統,微控制器通常沒有足夠大的內部存儲器,這時必須使用外部存儲器,因為外部定址匯流排通常是並行的,外部的程序存儲器和數據存儲器也將是並行的。
較小的應用系統通常使用帶有內部存儲器但沒有外部地址匯流排的微控制器。如果需要額外的數據存儲器,外部串列存儲器件是最佳選擇。大多數情況下,這個額外的外部數據存儲器是非易失性的。
根據不同的設計,引導存儲器可以是串列也可以是並行的。如果微控制器沒有內部存儲器,並行的非易失性存儲器件對大多數應用系統而言是正確的選擇。但對一些高速應用,可以使用外部的非易失性串列存儲器件來引導微控制器,並允許主代碼存儲在內部或外部高速SRAM中。
8.EEPROM與快閃記憶體
存儲器技術的成熟使得RAM和ROM之間的界限變得很模糊,如今有一些類型的存儲器(如EEPROM和快閃記憶體)組合了兩者的特性。這些器件像RAM一樣進行讀寫,並像ROM一樣在斷電時保持數據,它們都可電擦除且可編程,但各自有它們優缺點。
從軟體角度看,獨立的EEPROM和快閃記憶體器件是類似的,兩者主要差別是EEPROM器件可以逐位元組地修改,而快閃記憶體器件只支持扇區擦除以及對被擦除單元的字、頁或扇區進行編程。
對快閃記憶體的重新編程還需要使用SRAM,因此它要求更長的時間內有更多的器件在工作,從而需要消耗更多的電池能量。設計工程師也必須確認在修改數據時有足夠容量的SRAM可用。
存儲器密度是決定選擇串列EEPROM或者快閃記憶體的另一個因素。市場上可用的獨立串列EEPROM器件的容量在128KB或以下,獨立快閃記憶體器件的容量在32KB或以上。
如果把多個器件級聯在一起,可以用串列EEPROM實現高於128KB的容量。很高的擦除/寫入耐久性要求促使設計工程師選擇EEPROM,因為典型的串列EEPROM可擦除/寫入100萬次。快閃記憶體一般可擦除/寫入1萬次,只有少數幾種器件能達到10萬次。
今天,大多數快閃記憶體器件的電壓范圍為2.7V到3.6V。如果不要求位元組定址能力或很高的擦除/寫入耐久性,在這個電壓范圍內的應用系統採用快閃記憶體,可以使成本相對較低。
9.EEPROM與FRAM
EEPROM和FRAM的設計參數類似,但FRAM的可讀寫次數非常高且寫入速度較快。然而通常情況下,用戶仍會選擇EEPROM而不是FRAM,其主要原因是成本(FRAM較為昂貴)、質量水平和供貨情況。設計工程師常常使用成本較低的串列EEPROM,除非耐久性或速度是強制性的系統要求。
DRAM和SRAM都是易失性存儲器,盡管這兩種類型的存儲器都可以用作程序存儲器和數據存儲器,但SRAM主要用於數據存儲器。DRAM與SRAM之間的主要差別是數據存儲的壽命。只要不斷電,SRAM就能保持其數據,但DRAM只有極短的數據壽命,通常為4毫秒左右。
與SRAM相比,DRAM似乎是毫無用處的,但位於微控制器內部的DRAM控制器使DRAM的性能表現與SRAM一樣。DRAM控制器在數據消失之前周期性地刷新所存儲的數據,所以存儲器的內容可以根據需要保持長時間。
由於比特成本低,DRAM通常用作程序存儲器,所以有龐大存儲要求的應用可以從DRAM獲益。它的最大缺點是速度慢,但計算機系統使用高速SRAM作為高速緩沖存儲器來彌補DRAM的速度缺陷。
10、雲儲存
和傳統存儲相比,雲存儲系統具有如下優勢:優異性能支持高並發、帶寬飽和利用。雲存儲系統將控制流和數據流分離,數據訪問時多個存儲伺服器同時對外提供服務,實現高並發訪問。
❺ 哪種存儲器存取速度最快
存儲器中,存取速度最快的是cache,cache 高速緩沖存儲器 一種特殊的存儲器子系統,其中復制了頻繁使用的數據以利於快速訪問。存儲器的高速緩沖存儲器存儲了頻繁訪問的 RAM 位置的內容及這些數據項的存儲地址。當處理器引用存儲器中的某地址時,高速緩沖存儲器便檢查是否存有該地址。如果存有該地址,則將數據返回處理器;如果沒有保存該地址,則進行常規的存儲器訪問。因為高速緩沖存儲器總是比主RAM 存儲器速度快,所以當 RAM 的訪問速度低於微處理器的速度時,常使用高速緩沖存儲器
❻ 存儲器存取速度快慢 Cache存儲器,RAM和ROM,寄存器,硬碟和優盤,他們的存取速度哪個最快,分別是多少
速度:寄存器>緩存>RAM內存>ROM
SRAM一般做緩存,速度在半導體存儲器中僅次於寄存器,所以做的比較小,電腦上緩存一般就是KB為單位的;RAM對應起來就是我們通常所說的內存了,現在基本都上G了,速度比ROM很快。
cache是一個高速小容量的臨時存儲器,可以用高速的靜態存儲器晶元實現,或者集成到CPU晶元內部,存儲CPU最經常訪問的指令或者操作數據。而寄存器不同,寄存器是內存階層中的最頂端,也是系統獲得操作資料的最快速途徑。
寄存器存放的是當前CPU環境以及任務環境的數據,而cache則存放最近經常訪問的指令和數據。
(6)正常速度讀取的存儲器擴展閱讀:
當訪問RAM時,對所選寄存器的讀或寫操作由讀和寫信號控制。在讀取操作過程中,所選單元的數據通過數據線和輸入/輸出線傳輸到CPU(中央處理器)。
在寫操作期間,CPU通過輸入/輸入行和數據行將數據存儲到選定的單元中。
RAM通過輸入/輸入報頭與計算機的CPU交換數據,讀取時輸入到報頭,寫入時輸入到報頭,兩用。由讀/寫控制線控制。
輸入/輸出端的數據行數與對應一個地址的寄存器數相同。一些RAM晶元有單獨的輸入/輸出端。通常RAM的輸出端有一個開路集電極或三態輸出結構。