u盤的存儲結構

1. u盤是一種可什麼的數據存儲工具

u盤是一種可攜帶、可移動的數據存儲工具。
1、內容「USB快閃記憶體檔」（以下簡稱「U盤」）是基於USB介面、以快閃記憶體晶元為存儲介質的無需驅動器的新一代存儲設備。U盤的出現是移動存儲技術領域的一大突破，其體積小巧，特別適合隨身攜帶，可以隨時隨地、輕松交換資料數據，是理想的移動辦公及數據存儲交換產品。
U盤的結構基本上由五部分組成，USB埠、主控晶元、FLASH（快閃記憶體）晶元、PCB底板、外殼封裝。
USB埠負責連接電腦，是數據輸入或輸出的通道；主控晶元負責各部件的協調管理和下達各項動作指令，並使計算機將U盤識別為「可移動磁碟」，是U盤的「大腦」；FLASH晶元與電腦中內存條的原理基本相同，是保存數據的實體，其特點是斷電後數據不會丟失，能長期保存；PCB底板是負責提供相應處理數據平台，且將各部件連接在一起。當U盤被操作系統識別後，使用者下達數據存取的動作指令後，USB移動存儲盤的工作便包含了這幾個處理過程。

2. U盤是如何存儲信息的

u盤是靠快閃記憶體晶元存儲信息的.快閃記憶體晶元類似內存晶元,但掉電後仍可保存數據(內存晶元掉電後數據自動消失),快閃記憶體晶元通後控制晶元進行地址定址,一個完整的u盤包括存儲晶元和控制晶元

3. U盤內部存儲結構原理及怎麼組成

U盤的結構基本上由五部分組成：USB埠、主控晶元、FLASH（快閃記憶體）晶元、PCB底板、外殼封裝。其中，主控晶元可由部分公司自行研發，而價格最貴的部分是FLASH（快閃記憶體）晶元，可佔到U盤總價的6/7左右，且一般使用是品牌廠商的，目前市場品牌種類繁多，如：三激胡星、海力士、東芝和Intel等等，因目前快閃記憶體晶元價格不同，三星的價格最慧鉛孫高，其中需要注意的是：必須事先對快閃記憶體晶元與注入的軟體進行測試，以確實哪種快閃記憶體晶元能快速識別其ID，所以，快閃記憶體晶元的價格浮動較大，測試以前不能前鏈確定。

4. 硬碟與U盤存儲數據的通俗原理

U盤是以Flash Memory 作為存儲單元，是一種可擦寫的內存，其載體是半導體晶元。普通的內存是一種RAM，斷電後即丟失所有數據，而Flash Memory 則必須通過加電才能改變數據，所以可以
長時間保持數據。

傳統硬碟實際上就是一個高密度的磁碟，是在一塊硬質基板上塗覆了磁粉，通過讀寫磁頭產生的磁場改變磁碟上的每一個磁軌記錄單元內磁體方向的變化進行讀寫處理。說白了就是一張類似原來的3寸、5寸磁碟，不過是密度、可靠性等大大提高而已。

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相對而言傳統的機械硬碟由於技術上比較成熟，針對其恢復的技術也比較成熟

1、機械硬碟在刪除格式化時並沒有對底層數據做清零的操作，只是在某個扇區做了一個標識，在出現邏輯故障時數據恢復的成功率是非常高的，當然前提是沒有寫入新的數據到這個硬碟或分區上。

2、機械硬碟在出現，硬碟電路板壞，硬碟有壞道，硬碟固件區問題，硬碟磁頭損壞，只要沒有傷到或只是輕微劃傷硬碟的存儲碟片，那麼數據恢復的成功率是可以達到90%以上。

5. U盤是如何存儲數據的

快閃記憶體(Flash Memory)是非揮發存儲的一種，具有關掉電源仍可保存數據的優點，同時又可重復讀寫且讀寫速度快、單位體積內可儲存最多數據量，以及低功耗特性等優點。 其存儲物理機制實際上為一種新型EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲）。是SCM（半導體存儲器）的一種。

早期的SCM採用典型的晶體管觸發器作為存儲位元，加上選擇、讀寫等電路構成存儲器。現代的SCM採用超大規模集成電路工藝製成存儲晶元，每個晶元中包含相當數量的存儲位元，再由若干晶元構成存儲器。目前SCM廣泛採用的主要材料是金屬氧化物場效應管（MOS），包括PMOS、NMOS、CMOS三類，尤其是NMOS和CMOS應用最廣泛。

RAM（隨機存取存儲），是一種半導體存儲器。必須在通電情況下工作，否則會喪失存儲信息。RAM又分為DRAM（動態）和SRAM（靜態）兩種，我們現在普遍使用的PC機內存即是SDRAM（同步動態RAM），它在運行過程當中需要按一定頻率進行充電（刷新）以維持信息。DDR DDR2內存也屬於SDRAM。而SRAM不需要頻繁刷新，成本比DRAM高，主要用在CPU集成的緩存（cache）上。

PROM（可編程ROM）則只能寫入一次，寫入後不能再更改。

EPROM（可擦除PROM）這種EPROM在通常工作時只能讀取信息，但可以用紫外線擦除已有信息，並在專用設備上高電壓寫入信息。

EEPROM（電可擦除PROM），用戶可以通過程序的控制進行讀寫操作。

快閃記憶體實際上是EEPROM的一種。一般MOS閘極(Gate)和通道的間隔為氧化層之絕緣(gate oxide)，而Flash Memory的特色是在控制閘(Control gate)與通道間多了一層稱為「浮閘」(floating gate)的物質。拜這層浮閘之賜，使得Flash Memory可快速完成讀、寫、抹除等三種基本操作模式；就算在不提供電源給存儲的環境下，也能透過此浮閘，來保存數據的完整性。

Flash Memory晶元中單元格里的電子可以被帶有更高電壓的電子區還原為正常的1。Flash Memory採用內部閉合電路，這樣不僅使電子區能夠作用於整個晶元，還可以預先設定「區塊」(Block)。在設定區塊的同時就將晶元中的目標區域擦除干凈，以備重新寫入。傳統的EEPROM晶元每次只能擦除一個位元組，而Flash Memory每次可擦寫一塊或整個晶元。Flash Memory的工作速度大幅領先於傳統EEPROM晶元。

MSM（磁表面存儲）是用非磁性金屬或塑料作基體，在其表面塗敷、電鍍、沉積或濺射一層很薄的高導磁率、硬矩磁材料的磁面，用磁層的兩種剩磁狀態記錄信息"0"和"1"。基體和磁層合稱為磁記錄介質。依記錄介質的形狀可分別稱為磁卡存儲器、磁帶存儲器、磁鼓存儲器和磁碟存儲器。計算機中目前廣泛使用的MSM是磁碟和磁帶存儲器。硬碟屬於MSM設備。

ODM（光碟存儲）和MSM類似，也是將用於記錄的薄層塗敷在基體上構成記錄介質。不同的是基體的圓形薄片由熱傳導率很小，耐熱性很強的有機玻璃製成。在記錄薄層的表面再塗敷或沉積保護薄層，以保護記錄面。記錄薄層有非磁性材料和磁性材料兩種，前者構成光碟介質，後者構成磁光碟介質。
ODM是目前輔存中記錄密度最高的存儲器，存儲容量很大且碟片易於更換。缺點是存儲速度比硬碟低一個數量級。現已生產出與硬碟速度相近的ODM。CD-ROM、DVD-ROM等都是常見的ODM。

6. U盤屬於什麼儲存介質

U盤屬於快閃記憶體存儲介質，集磁碟存儲技術、快閃記憶體技術及通用串列匯流排技術於一體。

U盤機芯包括一塊PCB+USB主控晶元+晶振+貼片電阻、電容+USB介面+貼片LED（不是所有的U盤都有）+FLASH（快閃記憶體）晶元。

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計算機把二進制數字信號轉為復合二進制數握乎搏字信號（加入分配、核對、堆棧等指令），讀寫到USB晶元適配介面，通過晶元處理信號分配給EEPROM存儲晶元的相應地址存儲二進制數據，實現數據的存儲。

U盤從所有浮動柵中導出電子。即將有所數據歸「1」。寫入時只有數據為0時才進行寫入，數據為1時則什麼也不做。寫入0時，向柵電極和漏極施加高電壓，增加在源極和漏極之間傳導段祥的電子能量。

7. U盤儲存的原理是什麼

U盤，作為我們生活、工作中必不可少移動存儲設備，對我們來說可以說是不可或缺，幫助我們存儲著一些重要的數據文件，但是，這么重要的設備我們對它又了解多少呢?現在讓我們一起去解讀一下U盤的存儲原理吧，讓我們更加熟悉它的工作原理。

快閃記憶體(Flash Memory)盤是一種採用USB介面的無需物理驅動器的微型高容量移動存儲產品，大家都管他叫U盤，是非揮發存儲的一種，具有關掉電源仍可保存數據的優點，同時又可重復讀寫且讀寫速度快、單位體積內可儲存最多數據量，以及低功耗特性等優點。 其存儲物理機制實際上為一種新型EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲)。是SCM(半導體存儲器)的一種。

早期的SCM採用典型的晶體管觸發器作為存儲位元，加上選擇、讀寫等電路構成存儲器。現代的SCM採用超大規模集成電路工藝製成存儲晶元，每個晶元中包含相當數量的存儲位元，再由若干晶元構成存儲器。目前SCM廣泛採用的主要材料是金屬氧化物場效應管(MOS)，包括PMOS、NMOS、CMOS三類，尤其是NMOS和CMOS應用最廣泛。

RAM(隨機存取存儲)，是一種半導體存儲器。必須在通電情況下工作，否則會喪失存儲信息。RAM又分為DRAM(動態)和SRAM(靜態)兩種，我們現在普遍使用的PC機內存即是SDRAM(同步動態RAM)，它在運行過程當中需要按一定頻率進行充電(刷新)以維持信息。DDR DDR2內存也屬於SDRAM。而SRAM不需要頻繁刷新，成本比DRAM高，主要用在CPU集成的緩存(cache)上。

PROM(可編程ROM)則只能寫入一次，寫入後不能再更改。

EPROM(可擦除PROM)這種EPROM在通常工作時只能讀取信息，但可以用紫外線擦除已有信息，並在專用設備上高電壓寫入信息。

EEPROM(電可擦除PROM)，用戶可以通過程序的控制進行讀寫操作。

快閃記憶體實際上是EEPROM的一種。一般MOS閘極(Gate)和通道的間隔為氧化層之絕緣(gate oxide)，而Flash Memory的特色是在控制閘(Control gate)與通道間多了一層稱為「浮閘」(floating gate)的物質。拜這層浮閘之賜，使得Flash Memory可快速完成讀、寫、抹除等三種基本操作模式;就算在不提供電源給存儲的環境下，也能透過此浮閘，來保存數據的`完整性。

Flash Memory晶元中單元格里的電子可以被帶有更高電壓的電子區還原為正常的1。Flash Memory採用內部閉合電路，這樣不僅使電子區能夠作用於整個晶元，還可以預先設定「區塊」(Block)。在設定區塊的同時就將晶元中的目標區域擦除干凈，以備重新寫入。傳統的EEPROM晶元每次只能擦除一個位元組，而Flash Memory每次可擦寫一塊或整個晶元。Flash Memory的工作速度大幅領先於傳統EEPROM晶元。

MSM(磁表面存儲)是用非磁性金屬或塑料作基體，在其表面塗敷、電鍍、沉積或濺射一層很薄的高導磁率、硬矩磁材料的磁面，用磁層的兩種剩磁狀態記錄信息「0」和「1」。基體和磁層合稱為磁記錄介質。依記錄介質的形狀可分別稱為磁卡存儲器、磁帶存儲器、磁鼓存儲器和磁碟存儲器。計算機中目前廣泛使用的MSM是磁碟和磁帶存儲器。硬碟屬於MSM設備。

ODM(光碟存儲)和MSM類似，也是將用於記錄的薄層塗敷在基體上構成記錄介質。不同的是基體的圓形薄片由熱傳導率很小，耐熱性很強的有機玻璃製成。在記錄薄層的表面再塗敷或沉積保護薄層，以保護記錄面。記錄薄層有非磁性材料和磁性材料兩種，前者構成光碟介質，後者構成磁光碟介質。

ODM是目前輔存中記錄密度最高的存儲器，存儲容量很大且碟片易於更換。缺點是存儲速度比硬碟低一個數量級。現已生產出與硬碟速度相近的ODM。CD-ROM、DVD-ROM等都是常見的ODM。