存儲器存取周期最短

㈠ 下列幾種存儲器中,存取周期最短的是

內存儲器 內存直接和cpu傳輸，所有的數據得經過內存然後傳到cpu，他慢了整體性能肯定跟不上，硬碟是外存儲器，他的數據是經過南橋經內存到cpu處理，他在快也沒內存快，就算他比內存快，內存慢了處理速度還是跟不上

㈡ 存儲周期最短的存儲器

存取周期最短的存儲器是內存儲器。存取周期是存儲器進行一次完整的讀/寫操作所允許的最短時間間隔。存取周期越短，則存取速度越快。內存儲器的速度最快，所以它的存取周期最短，其次是硬碟，最慢的是軟盤。

內存是計算機中重要的部件之一，它是外存與CPU進行溝通的橋梁。計算機中所有程序的運行都是在內存中進行的，因此內存的性能對計算機的影響非常大。

內存(Memory)也被稱為內存儲器和主存儲器，其作用是用於暫時存放CPU中的運算數據，以及與硬碟等外部存儲器交換的數據。只要計算機在運行中，操作系統就會把需要運算的數據從內存調到CPU中進行運算，當運算完成後CPU再將結果傳送出來，內存的運行也決定了計算機的穩定運行。 內存條是由內存晶元、電路板、金手指等部分組成的。

㈢ 下列存儲器中，存取周期最短的是（） A：硬碟存儲器 B：CD-ROM C：DRAM D：SRAM

SRAM。

SRAM主要用於二級高速緩存掘敬（Level2 Cache)。它利用晶體管來存儲數據。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內存小。

SRAM是靜態存儲方式，以雙穩態電路作為存儲單元，SRAM不像DRAM一樣需要不斷刷新，而且工作速度較快，但由於存儲單元器件較多，集成度不太高，功耗也較大。

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SRAM可分為五大部分：存儲單元陣列（core cells array），行/列地址解碼器(decode），靈敏放大器(Sense Amplifier），控制電路（control circuit），緩沖/驅動電路（FFIO）判山慎。

存取周期為存儲器的性能指標之一，直接影響電子計算機的技術性能。存儲周期愈短，運算速度愈快，但對存儲元件及工藝的要求也愈高。

例如磁芯存儲器的存取周期為零點幾到幾個微秒。半導體存儲器的存取周期通常在幾十到幾百毫微秒之間。那麼半導體存儲器的性能比磁芯存儲器的性能要好。