sram存儲器的特點

『壹』 sram存儲器的特點是什麼

關於SRAM存儲容量及基本特點。

半導體隨機存儲器晶元內集成有記憶功能的存儲矩陣，解碼驅動電路和讀/寫電路等等。
下面介紹幾個重要的概念：
讀寫電路：包括讀出放大器和寫入電路，用來完成讀/寫操作。
地址線：單向輸入，其位數與晶元的容量有關
片選線：確定哪個晶元被選中（用來選擇晶元）
數據線：雙向輸入，其位數與晶元可讀出或者寫入的位數有關，也與晶元容量有關。

存儲容量

通常我們將存儲容量表示為：字數X位數，比如64KX8位，其含義為，以8位構成一個字，一共有64個字。這個概念要相當熟悉，後面理解題目很有用。

『貳』 什麼是閃速存儲器它有哪些特點

90年代INTEL公司發明的一種高密度、非易失性的讀寫半導體存儲器
閃速存儲器的特點
閃速存儲器（Flash Memory）是一類非易失性存儲器NVM（Non-Volatile Memory）即使在供電電源關閉後仍能保持片內信息；而諸如DRAM、SRAM這類易失性存儲器，當供電電源關閉時片內信息隨即丟失。 Flash Memory集其它類非易失性存儲器的特點：與EPROM相比較，閃速存儲器具有明顯的優勢——在系統電可擦除和可重復編程，而不需要特殊的高電壓（某些第一代閃速存儲器也要求高電壓來完成擦除和/或編程操作）；與EEPROM相比較，閃速存儲器具有成本低、密度大的特點。其獨特的性能使其廣泛地運用於各個領域，包括嵌入式系統，如PC及外設、電信交換機、蜂窩電話、網路互聯設備、儀器儀表和汽車器件，同時還包括新興的語音、圖像、數據存儲類產品，如數字相機、數字錄音機和個人數字助理（PDA）。