存儲器讀寫實驗心得

『壹』 只讀存儲器和隨機存儲器有什麼區別

只讀存儲器和隨機存儲器區別：作用不同、特點不同

1、作用不同

只讀存儲器的主要作用是完成對系統的加電自檢、系統中各功能模塊的初始化、系統的基本輸入／輸出的驅動程序及引導操作系統。

隨機存儲器是與CPU直接交換數據的內部存儲器。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統運改或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲介質。

2、特點不同

RAM 是隨機存取存儲器，它的特點是易揮發性，即掉電失憶。ROM 通常指固化存儲器（一次寫入，反復讀取），它的特點與RAM 相反。ROM又分一次性固化、光擦除和電擦除重寫三種類型。

舉個例子來說手虧也就是，如果突然停電或者沒有保存就關閉了文件，那麼ROM可以隨機保存之前沒有儲存的文件但是RAM會使之前沒有保存的文件消失。

(1)存儲器讀寫實驗心得擴展閱讀：

隨機存儲器的分類：

1、靜態隨機存儲器（SRAM）

靜態存儲單元是在靜態觸發器的基礎上附加門畢悄神控管而構成的。因此，它是靠觸發器的自保功能存儲數據的。

2、動態隨機存儲器（DRAM）

動態RAM的存儲矩陣由動態MOS存儲單元組成。動態MOS存儲單元利用MOS管的柵極電容來存儲信息，但由於柵極電容的容量很小，而漏電流又不可能絕對等於0，所以電荷保存的時間有限。為了避免存儲信息的丟失，必須定時地給電容補充漏掉的電荷。

只讀存儲器的種類：

1、ROM

只讀內存（Read－Only Memory）是一種只能讀取資料的內存。在製造過程中，將資料以一特製光罩（mask）燒錄於線路中，其資料內容在寫入後就不能更改，所以有時又稱為「光罩式只讀內存」（mask ROM）。此內存的製造成本較低，常用於電腦中的開機啟動。

2、可編程只讀存儲器

可編程只讀存儲器（英文：Programmable ROM，簡稱：PROM）一般可編程一次。PROM存儲器出廠時各個存儲單元皆為1，或皆為0。用戶使用時，再使用編程的方法使PROM存儲所需要的數據。

『貳』 鐵電存儲器的讀寫操作

FRAM保存數據不是通過電容上的電荷，而是由存儲單元電容中鐵電晶體的中心原子位置進行記錄。直接對中心原子的位置進行檢測是不能實現的，實際的讀操作過程是：在存儲單元電容上施加一已知電場（即對電容充電），如果原來晶體的中心原子的位置與所施加的電場方向使中心原子要達到的位置相同，則中心原子不會移動；若相反，則中心原子將越過晶體中間層的高能階到達另一位置，則在充電波形上就會出現一個尖峰，即產生原子移動的比沒有產生移動的多了一個尖峰，把這個充電波形同參考位（確定且已知）的充電波形進行比較，便可以判斷檢測的存儲單元中的內容是「1」或「0」。
無論是2T2C還是1T1C的FRAM，對存儲單元進行讀操作時，數據位狀態可能改變而參考位則不會改變（這是因為讀操作施加的電場方向與原參考位中原子的位置相同）。由於讀操作可能導致存儲單元狀態的改變，需要電路自動恢復其內容，所以每個讀操作後面還伴隨一個"預充"（precharge）過程來對數據位恢復，而參考位則不用恢復。晶體原子狀態的切換時間小於1ns，讀操作的時間小於70ns，加上"預充"時間60ns，一個完整的讀操作時間約為130ns。
寫操作和讀操作十分類似，只要施加所要方向的電場改變鐵電晶體的狀態就可以了，而無需進行恢復。但是寫操作仍要保留一個"預充"時間，所以總的時間與讀操作相同。FRAM的寫操作與其它非易失性存儲器的寫操作相比，速度要快得多，而且功耗小。

『叄』 計算機的主存儲器是指

計算機主存儲器是ROM（只讀內存）和RAM（隨機存取存儲器）。

主存儲器一般採用半導體存儲器，與輔助存儲器相比有容量小、讀寫速度快、價格高等特點。計算機中的主存儲器主要由存儲體、控衡薯制線路、地址寄存器、數據寄存器和地址解碼電路五部分組成。

從70年代起，主存儲器已逐步採用大規模集成電路構成。用得最普遍的也是最經濟的動態隨機存儲器晶元（DRAM）。

(3)存儲器讀寫實驗心得擴展閱讀：

1995年集成度為64Mb（可存儲400萬個漢字）的DRAM晶元已經開始商業性生產，16MbDRAM晶元已成為市場主流產品。DRAM晶元的存取速度適中，一般為50~70ns。有一些改進型的DRAM，如EDO DRAM（即擴充數據輸出的DRAM），其性能可較普通DRAM提高10%以上。

又如SDRAM（即同步DRAM），其性能又可較EDO DRAM提高10%左右。1998年SDRAM的後繼產品為SDRAMⅡ（或稱DDR，即雙倍數據速率）的品種已上市。在追求速度和可靠性的場合，通常採用價格較貴的靜態隨機存儲器晶元（SRAM），其存取速度可以達到了1~15ns。

無論主存採用DRAM還是SRAM晶元構成，在斷電時存儲的信息都會「丟失」，因此計算機設計者應考慮發生這種情況時，設法維持若干毫秒的供電以保存主存中的重要信息，以便供電恢復時計算機能恢復正常運行。

鑒知枝於上述情況，在某些應用中主存中存儲重要而相對固定的程序和數據的部分採用「非易失性」存儲器晶元（如EPROM，快快閃記憶體儲晶元等）構成；對於完全固定的程序，數據搭攔敏區域甚至採用只讀存儲器（ROM）晶元構成；主存的這些部分就不怕暫時供電中斷，還可以防止病毒侵入。

『肆』 存儲器讀寫是什麼意思

問題一：讀寫是什麼意思 讀寫。如果是指電腦類。通常是指對存儲器的的數據的讀出（把存儲器的數據讀出來）與寫入（把要存儲的數據寫入存儲器）。

問題二：存儲器的讀寫過程是什麼樣的？ 首頁 采購專區 供應專區 技術資料 環保電子 商情資訊 我的B2BIC
5.1 存儲器系統基本知識

作者： 時間： 2008-04-10 來源：
5.1.1存儲器的分類
按照存儲介質不同，可以將存儲器分為半導體存儲器、磁存儲器、激光存儲器。
這里我們只討論構成內存的半導體存儲器。
按照存儲器的存取功能不同，半導體存儲器可分為只讀存儲器（Read Only Memory簡稱ROM）和隨機存儲器（Random Access Memory簡稱RAM）
1.只讀存儲器（ROM）
ROM的特點是把信息寫入存儲器以後，能長期保存，不會因電源斷電而丟失信息。計算機在運行過程中，只能讀出只讀存儲器中的信息，不能再寫入信息。一般地，只讀存儲器用來存放固定的程序和數據，如微機的監控程序、匯編程序、用戶程序、數據表格等。根據編程方式的不同，ROM共分為以下5種：
(1)掩模工藝ROM
這種ROM是晶元製造廠根據ROM要存貯的信息，設計固定的半導體掩模版進行生產的。一旦制出成品之後，其存貯的信息即可讀出使用，但不能改變。這種ROM常用於批量生產，生產成本比較低。微型機中一些固定不變的程序或數據常採用這種ROM存貯。
(2)可一次性編程ROM（PROM）
為了使用戶能夠根據自己的需要來寫ROM，廠家生產了一種PROM。允許用戶對其進行一次編程──寫入數據或程序。一旦編程之後，信息就永久性地固定下來。用戶可以讀出和使用，但再也無法改變其內容。
(3)紫外線擦除可改寫ROM（EPROM）
可改寫ROM晶元的內容也由用戶寫入，但允許反復擦除重新寫入。EPROM是用電信號編程而用紫外線擦除的只讀存儲器晶元。在晶元外殼上方的中央有一個圓形窗口，通過這個窗口照射紫外線就可以擦除原有的信息。由於陽光中有紫外線的成分，所以程序寫好後要用不透明的標簽封窗口，以避免因陽光照射而破壞程序。EPROM的典型晶元是Intel公司的27系列產品，按存儲容量不同有多種型號，例如2716（2KB′8）、2732（4KB′8）、2764（8KB′8）、27128（16KB′8）、27256（32KB′8）等，型號名稱後的數字表示其存儲容量。
(4)電擦除可改寫ROM（EEPROM或E2PROM）
這是一種用電信號編程也用電信號擦除的ROM晶元，它可以通過讀寫操作進行逐個存儲單元讀出和寫入，且讀寫操作與RAM存儲器幾乎沒有什麼差別，所不同的只是寫入速度慢一些。但斷電後卻能保存信息。典型E2PROM晶元有28C16、28C17、2817A等。
(5)快擦寫ROM（flash ROM）
E2PROM雖然具有既可讀又可寫的特點，但寫入的速度較慢，使用起來不太方便。而flash ROM是在EPROM和E2PROM的基礎上發展起來的一種只讀存儲器，讀寫速度都很快，存取時間可達70ns，存儲容量可達16MB~128MB。這種晶元可改寫次數可從1萬次到100萬次。典型flash ROM晶元有28F256、28F516、AT89等。
2.隨機存儲器RAM（也叫讀寫存儲器）
讀寫存儲器RAM按其製造工藝又可以分為雙極型RAM和金屬氧化物RAM。
(1) 雙極型RAM
雙極型RAM的主要特點是存取時間短，通常為幾到幾十納秒（ns）。與下面提到的MOS型RAM相比，其集成度低、功耗大，而且價格也較高。因此，雙極型RAM主要用於要求存取時間短的微型計算機中。
(2) 金屬氧化物（MOS）RAM
用MO......>>

問題三：存儲器的讀寫 20分 RAM、硬碟、光碟、儲蓄器

問題四：按內容訪問的存儲器是什麼 相聯存儲器是一種按內容訪問的存儲器，每個存儲單元有匹配電梗，可用於cache中查找數據，整個存儲器陣列同時進行數據的匹配操作。

問題五：4. 存儲器的讀寫操作是怎樣的 1.存儲器通過加法處理器對CS:IP進行處理,得到一個物理地址;
2.通過地址績線在內存中找到物理地址,在物理地址內存中找到對應的機器碼即匯編指令
3.機器碼通過數據匯流排到達指令緩沖器
4.執行機器碼
至於是讀還是寫就要看匯編指令是怎麼的了

問題六：讀寫平台是什麼意思 現代的內存儲器多半是半導體存儲器，採用大規模集成電路或超大規模集成電路器件。內存儲器按其工作方式的不同，可以分為隨機存取存儲器（簡稱隨機存儲器或RAM）和只讀存儲器（簡稱ROM）

問題七：手機儲存和內置儲存是什麼意思 5分 手機存儲，就是指手機的「內置存儲」與「外置存儲」。外置就是我們用戶加上去的所謂擴展的D卡，4G，8G,等。總之除SD卡，就是手機的內置存儲，一般手機只有幾百兆，好的手機可能大些，這生產廠家在工廠做了的，我們不能改變的。

問題八：存儲讀取數據的緩沖區是什麼意思 緩沖區: 讀取的數據暫時存放的位置,便於後續處理
起始偏移量: 從什麼位置開始存儲, 如果緩沖區的數據位null, 起始偏移量為0;如果緩沖區已經有數據並且要把心的數據追加到原數據之後, 那麼就要找到第一個為null的數據, byte的初始值是0
阻塞: 在這個方法操作緩沖區時, 不能被其他的非同步線程調用
希望能幫助你

問題九：幾種存儲器讀寫速度關系 存儲器大體分為兩種：只讀存儲器ROM和隨機存儲器RAM。ROM用得比較多的是NANDFLASH和NOR FLASH，寫入速度NAND比NOR快，讀取速度NOR比NAND快。隨機存儲器分為靜態RAM（SRAM）和動態RAM（DRAM），速度是SR暢M>DDR3>DDR2>DDR>SDRAM.

問題十：cpu對存儲器的讀寫操作是按什麼進行的?是地址嗎? 記得微機原理這本書有詳細的解釋的，應該是根據邏輯地址and物理地址去讀寫數據的