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滅磁開關電源配置有哪些

發布時間: 2025-06-29 22:20:58

A. abb滅磁開關為什麼有四對主觸頭

一、可控硅跨接器滅磁系統
在傳統的直流開關滅磁系統中,所應用的直流開關均具有土、弧觸頭,以滿足正常磁場迴路的切合以及滅磁操作的需要。當這種特殊設計和製造的直流開關用於非線性電阻滅磁系統時,由於對開關主觸頭斷開時產生的弧壓有嚴格的要求,而使得開關的結構復雜化:在某些情況下,甚至要求開關具有兩個或更多的串聯主觸頭,建立更高的斷口電壓,以滿足在滅磁時使非線性電阻導通並將勵磁電流換流到滅磁迴路中的要求。這種專用的開關價格較高,市場較小,因而對生產及開發均帶來了不利的影響。為此,國外目前生產專用滅磁開關的製造廠正逐漸減少,取而代之的是採用無輔助弧觸頭的通用直流斷路器作為滅磁開關使用。 由於通用直流斷路器用途廣泛,屬批量生產,在使用上亦有成熟的經驗,為此這一取代技術趨勢在國外的滅磁系統設計中已成為主流,並在此基礎上開發了與直流斷路器配合使用的可控硅跨接器滅磁系統。 1.線性電阻跨接器滅磁系統
以ABB公司典型滅磁線路作為接線方式的實例,滅磁系統如圖1所示。

滅磁系統所應用的直流斷路器是單極的,由並聯連接的正、反向可控硅整流器組成的跨接器與線性滅磁電阻連接,並接在勵磁繞組兩端。這種滅磁及過電壓保護迴路,國外統稱為Crowbar迴路,在國內則稱之為跨接器。在這種可控硅跨接器網路中包括有下列元件: (1)反向過電壓保護和滅磁可控硅元們:Z1、正向過電壓保護元件Z2: (2)包括有過電壓測量單元的可控硅觸發迴路: (3)電源、電流監測及報警網路。
可控硅元件的參數選擇,應滿足滅磁時元件所承受的熱容量以及直流斷路器斷開時的最
大弧電壓。
為保證與直流斷路器配合使用的可控硅跨接器可靠地工作,ABB公司在設計中作了許多作了許多考慮,為勵磁提供通路的可控硅Z1的觸發迴路由多重的測量迴路予以保證。在對直流斷路器發出跳閘指令的同時,由獨立的觸發迴路使滅磁可控硅元件Z1導通。即使此觸發迴路故障,由直流斷路器斷開時所產生的過電壓也足以使滅磁可控硅元件Z1導通。 此外,可控磚元件自身可提供一種最後的過電壓保護措施。當選擇可控硅元件Z1的正向峰值阻斷電壓低於斷路器產生的弧電壓時,即使在上述兩種觸發網路均故障的情況下,此時可控磚元件Z1自身亦將被此弧電壓強制觸發而構成通路。這種操作方式雖然會導致可控硅元們:損壞,但是卻可抑制過電壓對勵磁繞組的危害。
另外,當感應的過電壓正方向與整流器輸出正端相同時,如果感應電壓足夠高,在感應電壓的作用下將使發電機的勵磁電流被閉鎖而趨於零,直流迴路被阻斷並由此引起過電壓。過電壓的持續時間決定於發電機勵磁電流被阻斷到零和重新呈現正電流的時間間隔。 在圖2中示出了一台1150MVA汽輪發電機在轉子功率角δ=180°失去同步時,發電機勵磁迴路在正向反電壓作用下,由於勵磁電流被阻斷而引起的轉子過電壓波形圖。 為了安全上的考慮,在上述狀態下,由於勵磁電流的減少、或者說反向電流的增加所引起的過電壓,應保證其峰值不超過轉子繞組的試驗電壓值以及可控硅整流器的反向峰值阻斷電壓值。為此,在正向過電壓作用下,測量迴路中的雪崩二極體BOD將被觸發導通,進而觸發正向過電壓保護可控硅元件Z1,使正向過電壓被吸收和抑制(圖2)。
應予以說明的是,一旦正向過電壓保護元件Z2導通,此時必須立即切斷整流器的觸發脈沖,避免電源側繼續通過Z2向滅磁電阻續流。當正向過電壓迴路動作後、非同步狀態仍在繼續時,通常經過一段時間例如5s後,需跳磁場斷路器進行滅磁。
應說明的是,在傳統習慣上,多將用於滅磁的開關稱為滅磁開關,這是不確切的。因為此開關的功能不僅是滅磁,而且用於正常時磁場迴路的切合,所以稱之為磁場斷路器是較為適宜的,依此,對應用於跨接器滅磁迴路中的無弧觸頭的標准通用直流開關,稱之為直流斷路器是適宜的。應當強調指出,這種直流斷路器還具有另殊功能,即它附有過流脫扣線圈,可用
於保護直流側直接短路故障,而一般磁場斷路器是不具備這一功能的應說明的是,在切斷交流斷路器前,應先消除可控硅整流器的脈沖信號:並使滅磁電阻迴路可控硅元件導通,進行換流操作可顯著減輕交流斷路器的負擔。作為應用實例,在圖5中示出了由美國西屋公司研製的用於600MW汽輪發電機組的交流滅磁系統原理圖。

DXCB型交流滅磁系統的滅磁和過電壓保護迴路分別獨立的接入滅磁或過電壓保護限流電阻,此接線與其它國外公司開發的線路是不同的,其滅磁程序為:
在滅磁時,首先切斷功率整流櫃的脈沖,然後分斷功率整流櫃交流斷路器。在斷開交流斷路器過程中,在發電機勵磁繞組迴路中將產生很高的過電壓,以力求維持發電機勵磁電流不變,當此過電壓值超過與滅磁可控硅整流器Z1並聯的限壓二級管BOD的正向峰值阻斷電壓值時(圖中未畫出),限壓二極體正向導通,使滅磁可控硅Z1隨之導通,發電機勵磁電流通過滅磁電阻迴路進行滅磁,與滅磁電阻串聯的電感Ld用以降低勵磁電流的衰減速度和危及轉子繞組安全的過電壓值。
滅磁迴路中限壓二極體BOD的伏安特性曲線的基本特性為:限壓二極體BOD在正向電壓作用下,在非導通段流過的正向漏電流很小;當外加電壓繼續上升、並達到二極體轉折電壓UBo時,限壓二極體導通,其兩端正向通態電壓僅為兒伏,並允許流過規定額定電流值:當外加正向電壓消失,限壓二極體又恢復其阻斷特性;當限壓二極體外加反向電壓大於反向峰值阻斷電壓時,限壓二極體處於反向擊穿損壞,其工作特性不可恢復。
在滅磁迴路中,根據滅磁時轉子過電壓值的設定,可將多個限壓二極體串聯,然後再並聯在滅磁可控磚整流器S1的兩端。只要BOD元件承受的外加正向電壓小於其正向阻斷電壓,將不導通:在滅磁時,在轉子過電壓的作用下,BOD導通,然後由導通的BOD觸發滅磁可控磚元件,實現滅磁要求。

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