製作存儲器
A. 怎樣製作簡易24CXX存儲器讀寫工具
大家好！僅有這個讀寫器是不行的，還需要燒錄軟體的。先我共享給大家。 本人在網上搜索了一款24C、93C系列存儲器(E2PROM、EEPROM、EPROM）讀寫器,它可以打開以BIN為後綴的二進制24C、93C系列存儲器數據文件。使用25針列印口LPT1（埠地址為378H）埠工作。經我改進後設計如下線路圖。主要是在各個數據輸入端加了保護電阻，增加開關，使其使用的時候不必要拔插頭關機。但是由於在開著計算機，所以開關電源的時候產生的脈沖干擾對主機的影響是很大，必須考慮，所以本人在電源輸入部分加了電容、電感、電阻來保護主機的安全。當工作的時候本電路電源供電為3.3V左右，但是讀寫的數據是沒有問題。本站提供DOS和WINDOWS兩個版本的操作程序。 DOS程序，本程序不遜色於某些大型軟體，介面也很簡單，稍加熟悉便會使用。注意本程序在其它系統下使用可能會有錯誤。 1 介面的左上角是軟體的名稱及版本號：24C×× PROGRAMER VER1.0； 2 介面的右上角是被寫晶元的名稱和類型：Mfr:ATMEL Type:AT24C01A（預設值）。 3 中間大范圍的部分是代碼編輯緩沖區，可以將晶元中的內容先讀入到該編輯區，重新編輯後再寫回到晶元中去。也可以將緩沖區中的內容以二進制文件的形式存放到硬碟上，或將硬碟上的二進制文件調入緩沖區，再寫入到晶元中去。 4 中間靠右側是彈出式菜單條，可用上下箭頭選取菜單，再按回車鍵執行。也可以按加亮的大寫字母所代表的鍵進行相應的操作。 5 左下部是代碼保存的二進制文件名輸入區FileName。 6 中下部是晶元的起始地址StartAddr和結束地址EndAddr。 7 右下部是緩沖區代碼的校驗和Check Sum。 菜單功能介紹： 1 晶元類型選擇—Type，按T鍵彈出一個菜單，按數字鍵1～9可分別選擇下列晶元：AT24C01A、AT24C02、AT24C04、AT24C08、AT24C16、AT24C32、AT24C64、AT24C128、AT24C256。 2 Read—讀片，按R鍵可將晶元數據讀入到緩沖區。 3 Auto—自動編程，按A鍵可自動完成寫片、校驗等一連串操作。 4 Blank check—空片檢查，按B鍵可檢查晶元是否為空片（FF）。 5 Erase—晶元擦除，按E鍵可擦除整個晶元，即將晶元寫入全1（FF）。 6 Program—晶元編程，按P鍵可將緩沖區內容寫入到晶元中去。 7 Verify—晶元校驗，按V鍵可比對緩沖區數據和晶元內數據是否一致，若不相等則給出不相等數據的首地址。 8 lock bit—位鎖定，暫不能用。 9 Load—裝入檔，按L鍵並輸入文件名，可將2進制文件裝入到數據緩沖區。 10 Save—保存緩沖區內容，按S鍵可將緩沖區內容保存為二進制文件。 11 eDit—編輯緩沖區數據，按D鍵可編輯、修改緩沖區內容。 12 clear Memory—清緩沖區，按M鍵可全部清除緩沖區內容，以FF填滿。 13 unlock—解鎖，暫不能用。 14 abOut—查看軟體信息，按O鍵可查看到關於該軟體的一些信息，如軟體名稱、版本數、作者等。 15 Quit—退出鍵，按Q鍵可退出該程序。 16 PgUp——上翻頁。 17 PgDn—下翻頁。 windows中文版本僅支持24C系列的存儲器。支持98、ME、2000、XP等系統。由於全是中文，本站就不對其具體解釋程序中的文字意思，只對其使用方法介紹一下： 製作好讀寫器連接電腦的列印口後，裝上待讀寫的存儲器（24C系列）打開軟體，點「設置」選擇相對應的存儲器型號（24C01-24C256）然後點確定。 如果要讀存儲器數據，就直接點「讀晶元」讀好後點「保存」選擇要保存的目錄保存就可以了。 如果要寫晶元。首先點「打開」選擇文件，注意存儲器的容量確保和選擇的文件大小一致。選擇好後，點「寫晶元」就可以把選擇好的數據寫進去存儲器IC內部了。 常用的串列存儲器分為24系列與93系列兩種，分別有自己獨特的通訊協議。24系列目前市面常見的有24C01A/02/04/08/16/32/64/256。93系列常見有93C46/56/66/76/86。做為手機或CALL的碼片廣泛存在於這些通訊設備中。因此這些器件的讀寫成為維修的最基本問題。 注意：美國AT、ST、BR公司生產的24C××系列存儲器其⑦腳需接地才能寫入數據；而韓國KOA、KOR、KS公司生產的24C××系列存儲器其⑦腳則需接高電平才能寫入數據。 PCF（PCA）85系列的腳位排列以及工作方式基本和24C系列一樣。可以相互代換 三個系列的存儲器存儲空間與型號說明位元組\型號\廠商ATMEL24C系列PCF(PCA)85系列M93CXX系列1K(128x8bit)24C01APCF858193C462K(256x8bit)24C02PCF8582/85102C-2/85103C-293C564K(512x8bit)24C04PCF8592/8594C-293C668K(1024x8bit)24C08PCF8598C-293C7616K(2048x8bit)24C16PCF85116C-393C8632K(4096x8bit)24C32 64K(8182x8bit)24C64 128K(16364x8bit)24C128 256K(32728x8bit)24C256
B. 內存是怎麼製作的
1. 內存的工作原理
顯然，題主指的是PC中緩褲腔常見的內存條，這一類內存屬於動態隨機訪問存儲器 DRAM (Dynamic Random Access Memory), 它的基本存儲單元非常簡單易懂，由一個N型場效應晶體管(NMOS FET)和一個電容組成（如下圖）。
這一結構其實很像一座樓房，晶元製造的過程也有點像蓋樓的過程，非常簡化的步驟如下：
作者：又見山人
鏈接：http://www.hu.com/question/20442122/answer/15167153
來源：知乎
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設計圖，也就是晶元的版圖（layout）；版圖是一幅分層的俯視圖，包含了每一層的物理形狀信息和層與層間的位置連接關系。版圖被轉化成掩模（mask），每張掩模則是某一層的俯視圖，一顆晶元往往有幾十張掩模。晶元的每層是被同時製作的，就像蓋樓是必須3樓蓋好才能蓋4樓。
平整土地。這個沒什麼說的，絕大部分晶元都是從平整的芯圓（wafer）開始的，要對芯圓進行清洗啊什麼的.
地基和底層。這是在製造過程中最關鍵最復雜的一步，因為所有重要的有源器件（active device）如晶體管都是在電路的最底層。 首先要劃線（光照Photolithography）界定哪裡要挖掉哪裡要保留，然後挖坑（ecthing刻蝕），在需要的地方做固化（離子注入Ion Implantation），蓋牆鋪管道什麼的（化學沉積和物理沉積CVD&PVD）等等。具體步驟十分復雜，往往需要十幾張掩模才能完成，不過大家可以自行腦補一座大樓怎麼從地上長出來的。
高層。較高的層就相對簡單了，還是劃線決定（光照Photolithography）哪裡要做牆或柱子，哪裡是空間，再沉積金屬把這些東西長出來。這些層次基本都是銅或鋁金屬連接，少有復雜器件。純高
封頂。做一層金屬化合物固化保護，當然要把連接點（PAD）露出來。
清洗，切割。 這一步蓋樓是沒有的。。。。一塊300毫米直徑的晶圓上可能有成百上千塊晶元，像切蛋糕一樣切下來。
封裝。 有點像外立面裝修，然後給整座樓通水通電通氣。一塊小小的硅晶元就變成了我們經常看到的樣子，需要的信號和電源被連接到一個個焊球或針腳上。封裝是一門很大的學問，對晶元的電氣性能影響巨大。