存儲資料庫工作原理

Ⅰ 儲存卡存儲數據原理

儲存卡也可以叫做快閃記憶體主要分為NOR Flash和NAND Flash兩種，兩種快閃記憶體的原理有所不同，下面介紹的就是這兩種快閃記憶體運作的基本原理。
NOR Flash
快閃記憶體將數據存儲在由浮閘晶體管組成的記憶單元數組內，在單階存儲單元(Single-level cell, SLC)設備中，每個單元只存儲1比特的信息。而多階存儲單元(Multi-level cell, MLC)設備則利用多種電荷值的控制讓每個單元可以存儲1比特以上的數據。
快閃記憶體的每個存儲單元類似一個標准MOSFET, 除了晶體管有兩個而非一個閘極。在頂部的是控制閘(Control Gate, CG)，如同其他MOS晶體管。但是它下方則是一個以氧化物層與周遭絕緣的浮閘(Floating Gate, FG)。這個FG放在CG與MOSFET通道之間。由於這個FG在電氣上是受絕緣層獨立的, 所以進入的電子會被困在裡面。在一般的條件下電荷經過多年都不會逸散。當FG抓到電荷時，它部分屏蔽掉來自CG的電場，並改變這個單元的閥電壓(VT)。在讀出期間。利用向CG的電壓，MOSFET通道會變的導電或保持絕緣。這視乎該單元的VT而定(而該單元的VT受到FG上的電荷控制)。這股電流流過MOSFET通道，並以二進制碼的方式讀出、再現存儲的數據。在每單元存儲1比特以上的數據的MLC設備中，為了能夠更精確的測定FG中的電荷位準，則是以感應電流的量(而非單純的有或無)達成的。
邏輯上，單層NOR Flash單元在默認狀態代表二進制碼中的「1」值，因為在以特定的電壓值控制閘極時，電流會流經通道。經由以下流程，NOR Flash 單元可以被設置為二進制碼中的「0」值。
1. 對CG施加高電壓(通常大於5V)。
2. 現在通道是開的，所以電子可以從源極流入汲極(想像它是NMOS晶體管)。
3. 源-汲電流夠高了，足以導致某些高能電子越過絕緣層，並進入絕緣層上的FG，這種過程稱為熱電子注入。
由於汲極與CG間有一個大的、相反的極性電壓，藉由量子穿隧效應可 以將電子拉出FG，所以能夠地用這個特性抹除NOR Flash單元(將其重設為「1」狀態)。現代的NOR Flash晶元被分為若干抹除片段(常稱為區扇(Blocks or sectors))，抹除操作只能以這些區塊為基礎進行;所有區塊內的記憶單元都會被一起抹除。不過一般而言，寫入NOR Flash單元的動作卻可以單一位元組的方式進行。
雖然抹寫都需要高電壓才能進行，不過實際上現今所有快閃記憶體晶元是藉由晶元內的電荷幫浦產生足夠的電壓，所以只需要一個單一的電壓供應即可。

Ⅱ Sybase資料庫的基本原理： （1）、列方式的存儲，可以減少IO 那個IO是什麼

列存儲——有別於傳統的關系型資料庫，Sybase IQ是按照數據表中的列來存儲與訪問數據的。基於列來讀取數據，即使在數據不斷膨脹的情況下，你也只須讀出你想要了解的數據，避免了重復的全面掃描，顯著提供查詢速度，進而提升了性能指數P；同時，由於同一列中的所有數據域有相同的數據類型，因此，每一列都可以以更優化的效率和檢索進行壓縮，從而降低了佔用的資源T。

數據壓縮——正是由於數據按列存儲，相鄰的欄位值具有相同的數據類型，所以壓縮更容易，通常能得到大於50%的壓縮。在海量數據下，隨著數據的大幅壓縮，所佔用的空間等資源成本會顯著減少。因此，更大的壓縮比，加上大頁面，使得Sybase IQ在獲得優良查詢性能的同時，減少了對存儲空間的需求，因此佔用的資源T也大大降低了。

豐富的索引——傳統的關系型資料庫引擎只能一對一地解決問題，在數據爆炸的今天，如此「大海撈針」似的查詢會令反應速度非常遲緩。而Sybase IQ針對數據倉庫應用有多種不同的索引技術，並且這些技術中的每一個都與數據倉庫的查詢問題相吻合，從而顯著減少給定查詢或更新的工作量，加快查詢速度，自然帶動性能P的提升。

Multiplex可擴展能力——Sybase IQ的Multiplex組件增加了在單一的Sybase IQ環境中支持多個SMP機器節點的功能，顯著地減輕了進程與內存負擔。因此，在信息飛速增長的商業社會，它允許數據倉庫從基礎開始擴展，從很小的規模擴展到非常巨大的規模，擁有卓越的可擴展能力，避免了數據爆炸帶來的更新和不便。

總之，正是憑藉以上引領未來的核心科技，Sybase IQ 在保證數據壓縮的目標下，能夠同時提高查詢性能。因此，不論以S/T(即資料庫壓縮比)、P/T，還是從整體SPoT公式來看，Sybase IQ 都擁有更高的綠色數據指標，是「綠色資料庫」的完美體現。

信息飛速膨脹的時代呼喚有效利用資源的綠色科技。綠色資料庫Sybase IQ是對傳統商業智能軟體的挑戰，引領了未來關系型資料庫的發展方向，其低成本、高效能的綠色效應必將促進企業健康持久成長，營造和諧持續發展的綠色信息環境。

Ⅲ 資料庫系統原理 什麼是存儲過程有什麼優點

存儲過程也可以看成是函數的一種， 而且存儲過程中的過程如果放到了開發 系統的 D 層的時候執行效果也是相同的。 存儲過程是存儲在資料庫中的一個程序 塊， 裡麵包含了自己定義的一段程序來實現相應的功能，比如要選擇資料庫的表 裡面的記錄，就可以使用下面的存儲過程的框架：
這個實現的過程比較簡單， 就是利用的是資料庫自帶的存儲過程的模版，新 建存儲過

程的時候就可以非常方便的實現自己所需要的功能。 存儲過程中使用的 是資料庫的語言， 跟其他的高級語言的用法相似，熟練的使用資料庫的語言可以 加快開發的效率，技術也是很厲害的。 存儲過程的到底有什麼好處呢？一定要用存儲過程嗎？ 存儲過程的優點： 1.存儲過程只在創造時進行編譯，以後每次執行存儲過 程都不需再重新編譯，而一般 SQL 語句每執行一次就編譯一次,所以使用存儲過 程可提高資料庫執行速度。 2.當對資料庫進行復雜操作時，可將此復雜操作用 存儲過程封裝起來與資料庫提供的事務處理結合一起使用。更多資料庫的知識， 盡在南京寶雲官網。 3.存儲過程可以重復使用,可減少資料庫開發人員的工作量 4.安全性高,可設定只有某此用戶才具有對指定存儲過程的使用權。 存儲過程有利於實現一系列的操作簡化，提高系統的執行效率，而且放在存 儲過程中的 SQL 語句是直接在資料庫中編譯過了的， 系統在執行的時候就可以減 少這部分代碼的資源開銷。 但是對於機房重構中，有時候我們只需要更新一個記錄中的某一個欄位的值， 這個時候用存儲過程就有點不劃算了，這個時候系統如 果不用存儲過程直接用 SQL 語句來說，是比較方便的。所以存儲過程並不是所有 的地方用都好，凡事都有一個合適的問題，一個度的問題。 可能有的人想存儲過程這么有用，而且對系統的性能有提升，那就強迫症的 都去使用存儲過程。 這里又有一個問題了，存儲過程的作用主要是對資料庫進行 操作， 那麼學過資料庫系統原理的我們就需要注意一個問題了，如何防止死鎖？ 毫無節制的使用存儲過程， 而不考慮資料庫結構是不科學的。對於相同的表進行 不同的操作，所產生的結果也是不一樣的，產生的順序也是不一樣的，如何在存 儲過程中進行有效的操作來使系統健康強壯，這是需要注意的。 通過使用存儲過程， 可以更加清晰的理解資料庫和系統是如何相互關聯工作 的，存儲過程的使用不僅是一種技術上的提升，更是思想上的一種啟發，在今後 的開發工作中是否有相同的地方需要這樣的抽象封裝呢。 面對更多的重復出現的 封裝，我們的工作也將更加高效、簡潔。