內存的存儲原理

㈠ 內存的結構原理

內存也叫主存，是PC系統存放數據與指令的半導體存儲器單元，也叫主存儲器（Main Memory），通常分為只讀存儲器（ROM-Read Only Memory）、隨機存儲器（RAM-Red Access Memory）和高速緩存存儲器（Cache）。我們平常所指的內存條其實就是RAM，其主要的作用是存放各種輸入、輸出數據和中間計算結果，以及與外部存儲器交換信息時做緩沖之用。
下面是結構：
1、PCB板
內存條的PCB板多數都是綠色的。如今的電路板設計都很精密，所以都採用了多層設計，例如4層或6層等，所以PCB板實際上是分層的，其內部也有金屬的布線。理論上6層PCB板比4層PCB板的電氣性能要好，性能也較穩定，所以名牌內存多採用6層PCB板製造。因為PCB板製造嚴密，所以從肉眼上較難分辯PCB板是4層或6層，只能藉助一些印在PCB板上的符號或標識來斷定。
2、金手指
黃色的接觸點是內存與主板內存槽接觸的部分，數據就是靠它們來傳輸的，通常稱為金手指。金手指是銅質導線，使用時間長就可能有氧化的現象，會影響內存的正常工作，易發生無法開機的故障，所以可以隔一年左右時間用橡皮擦清理一下金手指上的氧化物。
3、內存晶元
內存的晶元就是內存的靈魂所在，內存的性能、速度、容量都是由內存晶元組成的。
4、內存顆粒空位
5、電容
PCB板上必不可少的電子元件就是電容和電阻了，這是為了提高電氣性能的需要。電容採用貼片式電容，因為內存條的體積較小，不可能使用直立式電容，但這種貼片式電容性能一點不差，它為提高內存條的穩定性起了很大作用。
6、電阻
電阻也是採用貼片式設計，一般好的內存條電阻的分布規劃也很整齊合理。
7、內存固定卡缺口：內存插到主板上後，主板上的內存插槽會有兩個夾子牢固的扣住內存，這個缺口便是用於固定內存用的。
8、內存腳缺口
內存的腳上的缺口一是用來防止內存插反的（只有一側有），二是用來區分不同的內存，以前的SDRAM內存條是有兩個缺口的，而DDR則只有一個缺口，不能混插。
9、SPD
SPD是一個八腳的小晶元，它實際上是一個EEPROM可擦寫存貯器，這的容量有256位元組，可以寫入一點信息，這信息中就可以包括內存的標准工作狀態、速度、響應時間等，以協調計算機系統更好的工作。從PC100時代開始，PC100規准中就規定符合PC100標準的內存條必須安裝SPD，而且主板也可以從SPD中讀取到內存的信息，並按SPD的規定來使內存獲得最佳的工作環境。

㈡ 計算機儲存原理

動態存儲器（DRAM）的工作原理

動態存儲器每片只有一條輸入數據線，而地址引腳只有8條。為了形成64K地址，必須在系統地址匯流排和晶元地址引線之間專門設計一個地址形成電路。使系統地址匯流排信號能分時地加到8個地址的引腳上，藉助晶元內部的行鎖存器、列鎖存器和解碼電路選定晶元內的存儲單元，鎖存信號也靠著外部地址電路產生。

當要從DRAM晶元中讀出數據時，CPU首先將行地址加在A0-A7上，而後送出RAS鎖存信號，該信號的下降沿將地址鎖存在晶元內部。接著將列地址加到晶元的A0-A7上，再送CAS鎖存信號，也是在信號的下降沿將列地址鎖存在晶元內部。然後保持WE=1，則在CAS有效期間數據輸出並保持。

當需要把數據寫入晶元時，行列地址先後將RAS和CAS鎖存在晶元內部，然後，WE有效，加上要寫入的數據，則將該數據寫入選中的存貯單元。

由於電容不可能長期保持電荷不變，必須定時對動態存儲電路的各存儲單元執行重讀操作，以保持電荷穩定，這個過程稱為動態存儲器刷新。PC/XT機中DRAM的刷新是利用DMA實現的。

首先應用可編程定時器8253的計數器1，每隔1⒌12μs產生一次DMA請求，該請求加在DMA控制器的0通道上。當DMA控制器0通道的請求得到響應時，DMA控制器送出到刷新地址信號，對動態存儲器執行讀操作，每讀一次刷新一行。

(2)內存的存儲原理擴展閱讀

描述內、外存儲容量的常用單位有：

1、位/比特（bit）：這是內存中最小的單位，二進制數序列中的一個0或一個1就是一比比特，在電腦中，一個比特對應著一個晶體管。

2、位元組（B、Byte）：是計算機中最常用、最基本的存在單位。一個位元組等於8個比特，即1 Byte=8bit。

3、千位元組（KB、Kilo Byte）：電腦的內存容量都很大，一般都是以千位元組作單位來表示。1KB=1024Byte。

4、兆位元組（MBMega Byte）：90年代流行微機的硬碟和內存等一般都是以兆位元組（MB）為單位。1 MB=1024KB。

5、吉位元組（GB、Giga Byte）：市場流行的微機的硬碟已經達到430GB、640GB、810GB、1TB等規格。1GB=1024MB。

6、太位元組（TB、Tera byte）：1TB=1024GB。最新有了PB這個概念，1PB=1024TB。

㈢ 內存卡儲存的原理

1、FLASH 晶元 是應用非常廣泛的存儲材料，與之容易混淆的是 RAM晶元 ，我們經常在有關IT的文章裡面談到這兩種晶元。由於它們的工作條件與方式不一樣，決定它們性能和用途也有差異。 這里簡單介紹一下它們的工作原理。首先介紹一下計算機的信息是怎樣儲存的。計算機用的是二進制，也就是0與1。在二進制中，0與1可以組成任何數。而電腦的器件都有兩種狀態，可以表示0與1。比如三極體的斷電與通電，磁性物質的已被磁化與未被磁化，物質平面的凹與凸，都可以表示0與1。 硬碟( FLASH晶元）—— 硬碟就是採用磁性物質記錄信息的，磁碟上的磁性物質被磁化了就表示1，未被磁化就表示0，因為磁性在斷電後不會喪失，所以磁碟斷電後依然能保存數據。而內存的儲存形式則不同，內存不是用磁性物質，而是用RAM晶元。現在請你在一張紙上畫一個「田」，就是畫一個正方形再平均分成四份，這個「田」字就是一個內存，這樣，「田」裡面的四個空格就是內存的儲存空間了，這個儲存空間極小極小，只能儲存電子 內存（RAM晶元） ——內存通電後，如果我要把「1010」這個信息保存在內存（現在畫的「田」字）中，那麼電子就會進入內存的儲存空間里。「田」字的第一個空格你畫一點東西表示電子，第二個空格不用畫東西，第三個空格又畫東西表示電子，第四個格不畫東西。這樣，「田」的第一格有電子，表示1，第二格沒有，表示0，第三格有電子，表示1，第四格沒有，表示0，內存就是這樣把「1010」這個數據保存好了。電子是運動沒有規律的物質，必須有一個電源才能規則地運動，內存通電時它很安守地在內存的儲存空間里，一旦內存斷電，電子失去了電源，就會露出它亂雜無章的本分，逃離出內存的空間去，所以，內存斷電就不能保存數據了。 再看看U盤、MP3，它們的儲存晶元是Flash晶元，它與RAM晶元的工作原理相似但不同。現在你在紙上再畫一個「田」字，這次要在四個空格中各畫一個頂格的圓圈，這個圓圈不是表示電子，而是表示一種物質。好，Flash晶元工作通電了，這次也是保存「1010」這個數據。電子進入了「田」的第一個空格，也就是晶元的儲存空間。電子把裡面的物質改變了性質，為了表示這個物質改變了性質，你可以把「田」內的第一個圓圈塗上顏色。由於數據「1010」的第二位數是0，所以Flash晶元的第二個空間沒有電子，自然裡面那個物質就不會改變了。第三位數是1，所以「田」的第三個空格通電，第四個不通電。現在你畫的「田」字，第一個空格的物質塗上了顏色，表示這個物質改變了性質，表示1，第二個沒有塗顏色，表示0，以此類推。當Flash晶元斷電後，物質的性質不會改變了，除非你通電擦除。當Flash晶元通電查看儲存的信息時，電子就會進入儲存空間再反饋信息，電腦就知道晶元裡面的物質有沒有改變。就是這樣，RAM晶元斷電後數據會丟失，Flash晶元斷電後數據不會丟失，還有一點RAM的讀取數據速度遠遠快於Flash晶元，所以運行游戲、程序速度快慢看的是RAM，也就是動態內存，而FLASH的大小並不影響運行速度。
3、FLASH 晶元 是應用非常廣泛的存儲材料，與之容易混淆的是 RAM晶元 ，我們經常在有關IT的文章裡面談到這兩種晶元。由於它們的工作條件與方式不一樣，決定它們性能和用途也有差異。 這里簡單介紹一下它們的工作原理。首先介紹一下計算機的信息是怎樣儲存的。計算機用的是二進制，也就是0與1。在二進制中，0與1可以組成任何數。而電腦的器件都有兩種狀態，可以表示0與1。比如三極體的斷電與通電，磁性物質的已被磁化與未被磁化，物質平面的凹與凸，都可以表示0與1。 硬碟( FLASH晶元）—— 硬碟就是採用磁性物質記錄信息的，磁碟上的磁性物質被磁化了就表示1，未被磁化就表示0，因為磁性在斷電後不會喪失，所以磁碟斷電後依然能保存數據。而內存的儲存形式則不同，內存不是用磁性物質，而是用RAM晶元。現在請你在一張紙上畫一個「田」，就是畫一個正方形再平均分成四份，這個「田」字就是一個內存，這樣，「田」裡面的四個空格就是內存的儲存空間了，這個儲存空間極小極小，只能儲存電子 內存（RAM晶元） ——內存通電後，如果我要把「1010」這個信息保存在內存（現在畫的「田」字）中，那麼電子就會進入內存的儲存空間里。「田」字的第一個空格你畫一點東西表示電子，第二個空格不用畫東西，第三個空格又畫東西表示電子，第四個格不畫東西。這樣，「田」的第一格有電子，表示1，第二格沒有，表示0，第三格有電子，表示1，第四格沒有，表示0，內存就是這樣把「1010」這個數據保存好了。電子是運動沒有規律的物質，必須有一個電源才能規則地運動，內存通電時它很安守地在內存的儲存空間里，一旦內存斷電，電子失去了電源，就會露出它亂雜無章的本分，逃離出內存的空間去，所以，內存斷電就不能保存數據了。再看看U盤、MP3，它們的儲存晶元是Flash晶元，它與RAM晶元的工作原理相似但不同。現在你在紙上再畫一個「田」字，這次要在四個空格中各畫一個頂格的圓圈，這個圓圈不是表示電子，而是表示一種物質。好，Flash晶元工作通電了，這次也是保存「1010」這個數據。電子進入了「田」的第一個空格，也就是晶元的儲存空間。電子把裡面的物質改變了性質，為了表示這個物質改變了性質，你可以把「田」內的第一個圓圈塗上顏色。由於數據「1010」的第二位數是0，所以Flash晶元的第二個空間沒有電子，自然裡面那個物質就不會改變了。第三位數是1，所以「田」的第三個空格通電，第四個不通電。現在你畫的「田」字，第一個空格的物質塗上了顏色，表示這個物質改變了性質，表示1，第二個沒有塗顏色，表示0，以此類推。當Flash晶元斷電後，物質的性質不會改變了，除非你通電擦除。當Flash晶元通電查看儲存的信息時，電子就會進入儲存空間再反饋信息，電腦就知道晶元裡面的物質有沒有改變。就是這樣，RAM晶元斷電後數據會丟失，Flash晶元斷電後數據不會丟失，還有一點RAM的讀取數據速度遠遠快於Flash晶元，所以運行游戲、程序速度快慢看的是RAM，也就是動態內存，而FLASH的大小並不影響運行速度。

㈣ 內存的數據存儲機制

1.寄存器(register)。這是最快的存儲區，寄存器的數量極其有限，所以寄存器由
編譯器
根據需求進行分配，你不能
直接控制
。
2.堆棧(Stack)。位於通用RAM(
random-access
memory,
隨機訪問存儲器
)中，通過它的「
堆棧指針
」可以從處理器那裡獲得。堆棧指針若向
下移動，則分配新的內存空間，若向上移動，則
釋放內存
。創建程序時，
Java編譯器
必須知道存儲在堆棧內所有數據的大小和生命周期，
因為它必須生成相應的代碼，以便上下移動堆棧指針。由於約束性質，所以一般存儲的是Java的
對象引用
和變數。
優點：快速分配的存儲，僅次於寄存器。
缺點：限制了程序的靈活性。
3.堆(heap)。通用性
內存池
，用於存放所有的Java對象。堆的好處是：編輯器
不需要知道
堆里要分配多少
存儲區域
，也
不必知道
存儲的數
據在堆里的存活多長時間。在Java中，創建一個對象，只需要用new，當執行這行代碼，會自動在堆里進行存儲分配。
優點：在堆里分配存儲有很大的靈活性。
缺點是：用堆進行存儲分配比用堆棧進行存儲需要更多的時間。
4.靜態存儲(static
storage)。是指在固定位置(也在RAM里)。靜態存儲里存放程序運行時
一直存在
的數據。通常是Java的
靜態變數
，但
Java對象本身從來不會放在靜態存儲空間里。
5.常量存儲(constant
storage)。通常是存放在ROM(read-only
memory，
只讀存儲器
)中，因為常量本身他們永遠不會被改變。

㈤ 手機內存卡存儲原理

手機內存卡存儲原理是運用快閃記憶體技術。是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式，允許在操作中被多次擦或寫的存儲器。

快閃記憶體的基本單元電路，與EEPROM類似，也是由雙層浮空柵MOS管組成。但是第一層柵介質很薄，作為隧道氧化層。寫入方法與EEPROM相同，在第二級浮空柵加以正電壓，使電子進入第一級浮空柵。讀出方法與EPROM相同。

擦除方法是在源極加正電壓利用第一級浮空柵與源極之間的隧道效應，把注入至浮空柵的負電荷吸引到源極。由於利用源極加正電壓擦除，因此各單元的源極聯在一起，這樣，快擦存儲器不能按位元組擦除，而是全片或分塊擦除。

到後來，隨著半導體技術的改進，快閃記憶體也實現了單晶體管（1T）的設計，主要就是在原有的晶體管上加入了浮動柵和選擇柵，

在源極和漏極之間電流單向傳導的半導體上形成貯存電子的浮動棚。浮動柵包裹著一層硅氧化膜絕緣體。它的上面是在源極和漏極之間控制傳導電流的選擇/控制柵。數據是0或1取決於在硅底板上形成的浮動柵中是否有電子。有電子為0，無電子為1。

快閃記憶體就如同其名字一樣，寫入前刪除數據進行初始化。具體說就是從所有浮動柵中導出電子。即將有所數據歸「1」。

寫入時只有數據為0時才進行寫入，數據為1時則什麼也不做。寫入0時，向柵電極和漏極施加高電壓，增加在源極和漏極之間傳導的電子能量。這樣一來，電子就會突破氧化膜絕緣體，進入浮動柵。

讀取數據時，向柵電極施加一定的電壓，電流大為1，電流小則定為0。浮動柵沒有電子的狀態（數據為1）下，在柵電極施加電壓的狀態時向漏極施加電壓，源極和漏極之間由於大量電子的移動，就會產生電流。

而在浮動柵有電子的狀態（數據為0）下，溝道中傳導的電子就會減少。因為施加在柵電極的電壓被浮動柵電子吸收後，很難對溝道產生影響。

(5)內存的存儲原理擴展閱讀：

手機存儲卡的辨別：

一是要注意包裝和做工。假冒存儲卡的包裝和做工比較粗糙，和正品存儲卡放在一起對比明顯。

二是要注意防偽標識。知名品牌的存儲卡包裝上一般會印有帶有認證電話和識別碼的防偽標識，你可以撥打認證電話進行正品驗證。

三是要看價格。假冒存儲卡的價格一般要比正品便宜一半以上，網友們可以先看看相關行情信息，以防購買到假冒存儲卡。

㈥ 內存條是用什麼材料做的，它的存儲原理是什麼

材料：貼片記錄器，貼片越多記錄越多速度越快。
存儲原理：垂直存儲技術，就如條紋碼這樣識別。

㈦ 內存的原理

內存可以分為隨機訪問存儲器和只讀存儲器。隨機訪問存儲器，只有當開機加電後才能存儲信息，斷電後所有存儲的信息就會消失。一般程序必須首先裝入到內存中才可以由中央處理器來打開。只讀存儲器的信息不會丟失，但存儲的量很小，通常只是存儲一些電腦自身所必需的重要信息。
一般電腦上使用的內存，都是以插條的形式插在主板上，叫做單列直插式內存模塊，俗稱內存條。內存條與主板插接時引腳個數叫做線，主板上插內存條的插槽有幾個引腳，就決定了只能插幾根線的內存條。
內存存取數據的速度，以納秒來計算，十億分之一秒就是一納秒，數字越小，存取速度就越高，在內存的晶元上可以看出來。
只讀存儲器中，一般存儲固定的信息，如自檢程序等。
希望我能幫助你解疑釋惑。

㈧ 內存的工作原理

內存也叫主存，是PC系統存放數據與指令的半導體存儲器單元，也叫主存儲器（Main
Memory），通常分為只讀存儲器（ROM-Read
Only
Memory）、隨機存儲器（RAM-Red
Access
Memory）和高速緩存存儲器（Cache）。我們平常所指的內存條其實就是RAM，其主要的作用是存放各種輸入、輸出數據和中間計算結果，以及與外部存儲器交換信息時做緩沖之用。
下面是結構：
1、PCB板
內存條的PCB板多數都是綠色的。如今的電路板設計都很精密，所以都採用了多層設計，例如4層或6層等，所以PCB板實際上是分層的，其內部也有金屬的布線。理論上6層PCB板比4層PCB板的電氣性能要好，性能也較穩定，所以名牌內存多採用6層PCB板製造。因為PCB板製造嚴密，所以從肉眼上較難分辯PCB板是4層或6層，只能藉助一些印在PCB板上的符號或標識來斷定。
2、金手指
黃色的接觸點是內存與主板內存槽接觸的部分，數據就是靠它們來傳輸的，通常稱為金手指。金手指是銅質導線，使用時間長就可能有氧化的現象，會影響內存的正常工作，易發生無法開機的故障，所以可以隔一年左右時間用橡皮擦清理一下金手指上的氧化物。
3、內存晶元
內存的晶元就是內存的靈魂所在，內存的性能、速度、容量都是由內存晶元組成的。
4、內存顆粒空位
5、電容
PCB板上必不可少的電子元件就是電容和電阻了，這是為了提高電氣性能的需要。電容採用貼片式電容，因為內存條的體積較小，不可能使用直立式電容，但這種貼片式電容性能一點不差，它為提高內存條的穩定性起了很大作用。
6、電阻
電阻也是採用貼片式設計，一般好的內存條電阻的分布規劃也很整齊合理。
7、內存固定卡缺口：內存插到主板上後，主板上的內存插槽會有兩個夾子牢固的扣住內存，這個缺口便是用於固定內存用的。
8、內存腳缺口
內存的腳上的缺口一是用來防止內存插反的（只有一側有），二是用來區分不同的內存，以前的SDRAM內存條是有兩個缺口的，而DDR則只有一個缺口，不能混插。
9、SPD
SPD是一個八腳的小晶元，它實際上是一個EEPROM可擦寫存貯器，這的容量有256位元組，可以寫入一點信息，這信息中就可以包括內存的標准工作狀態、速度、響應時間等，以協調計算機系統更好的工作。從PC100時代開始，PC100規准中就規定符合PC100標準的內存條必須安裝SPD，而且主板也可以從SPD中讀取到內存的信息，並按SPD的規定來使內存獲得最佳的工作環境。

㈨ 內存數據存儲原理

不需要，操作系統等具有存儲管理模式，利用這種功能可以實現存儲的管理。
內存屬於動態存儲介質，斷電內存里的文件就會丟失，不可能有東西存儲的。
具體的解答屬於微機原理或者是硬體基礎的內容。